System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种有机发光器件及包含其的显示装置制造方法及图纸_技高网

一种有机发光器件及包含其的显示装置制造方法及图纸

技术编号:43397246 阅读:5 留言:0更新日期:2024-11-19 18:14
本发明专利技术提供一种有机发光器件及包含其的显示装置,所述有机发光器件包括阳极、阴极和设置于阳极和阴极之间的至少两个发光单元,每个发光单元中各自独立地包括发光层;至少一个所述发光层包括第一发光子层、第二发光子层和设置于第一发光子层与第二发光子层之间的间隔层;第一发光子层中第一掺杂材料的质量百分含量>间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量,第二发光子层中第二掺杂材料的质量百分含量>间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量。本发明专利技术的至少一个发光层中形成掺杂材料浓度梯度,可以降低激子淬灭,增大激子形成及复合区域,避免效率滚降,使所述有机发光器件具有更优异的发光效率和稳定性,并显著延长器件的工作寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示,具体涉及一种有机发光器件及包含其的显示装置


技术介绍

1、有机电致发光二极管(organic light-emitting diode,oled)是近年来热门且极具发展前景的新一代显示技术,其具有自发光、超轻薄、宽视角、响应速度快、发光效率和亮度高、工作温度范围宽、生产工艺简单、功耗低以及柔性等优点,目前被广泛应用于平板显示、柔性显示、车载显示和固态照明等多个领域。

2、随着oled技术的不断发展,人们逐渐发现,单层oled器件要获得高亮度,就会因驱动电流过大而引起热量激增,从而降低器件的性能和工作寿命。因此,在较低的电流密度下实现高的发光亮度和效率,同时提高器件的工作寿命,是实现oled产业化的关键因素。叠层oled(tandem oled)的概念最早由日本山形大学junji kido教授于2003年提出,通过将至少2个单层oled单元通过电荷产生层进行串联,从而获得更高的发光亮度和电流效率;同时,在相同的电流密度下进行测量时,叠层oled和oled单元的老化性质是一样的,但由于叠层oled的初始亮度大,当换算成同样初始亮度时,叠层oled器件的寿命将明显高于单层oled。

3、尽管叠层oled器件在发光性能和工作寿命方面较单层oled器件有所提升,但随着器件的应用范围增大和用户对显示性能要求的提升,叠层oled器件的寿命和发光效率仍然有明显的不足之处,性能提升空间很大。因此,本领域亟待开发具有更高性能的叠层oled器件。


技术实现思路

<p>1、为了提升叠层oled的发光效率和寿命、开发具有更高发光性能的叠层oled器件,本专利技术的目的之一在于提供一种有机发光器件,其包括阳极、阴极和设置于所述阳极和阴极之间的至少两个发光单元,每个所述发光单元中各自独立地包括发光层。

2、至少一个所述发光层包括第一发光子层、第二发光子层和设置于所述第一发光子层与第二发光子层之间的间隔层;所述第一发光子层包括第一主体材料和第一掺杂材料,所述第二发光子层包括第二主体材料和第二掺杂材料,所述间隔层包括第三主体材料和可选地第三掺杂材料。

3、所述第一发光子层中第一掺杂材料的质量百分含量>所述间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量,所述第二发光子层中第二掺杂材料的质量百分含量>所述间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量。

4、本专利技术提供的有机发光器件中,至少一个发光层采用特定的三层结构设计,位于两侧的第一发光子层、第二发光子层中掺杂材料的含量高,位于中间的间隔层掺杂材料的含量低,从而使所述发光层中形成特定的掺杂材料浓度梯度,可以有效降低激子的淬灭,增大激子形成及复合区域,抑制效率滚降,从而使所述有机发光器件具有更高的发光效率和更长的工作寿命。

5、本专利技术的目的之二在于提供一种显示装置,其包括如目的之一所述的有机发光器件。

6、相对于现有技术,本专利技术具有以下有益效果:

7、本专利技术提供的有机发光器件中,至少一个发光层包括依次设置的第一发光子层、间隔层和第二发光子层,位于中间的间隔层中掺杂材料的含量低于两侧的第一发光子层、第二发光子层中的掺杂材料含量,从而使所述发光层中形成特定的掺杂材料浓度梯度,可以有效降低激子的淬灭,增大激子形成及复合区域,避免效率滚降,使所述有机发光器件具有更优异的发光效率和稳定性,并显著延长器件的工作寿命,提升综合发光性能,使其充分满足叠层oled器件在高性能显示装置及电子设备中的应用要求。

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【技术保护点】

1.一种有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件包括阳极、阴极和设置于所述阳极和阴极之间的至少两个发光单元,每个所述发光单元中各自独立地包括发光层;

2.根据权利要求2所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一发光子层中第一掺杂材料的质量百分含量为0.5-12%;和/或,所述第二发光子层中第二掺杂材料的质量百分含量为0.5-12%;和/或,所述间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量≤3%。

3.根据权利要求2所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一掺杂材料、第二掺杂材料和第三掺杂材料为磷光掺杂材料,所述第一发光子层中第一掺杂材料的质量百分含量为1-12%;和/或,所述第二发光子层中第二掺杂材料的质量百分含量为1-12%;和/或,所述间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量≤3%。

4.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一掺杂材料、第二掺杂材料和第三掺杂材料为荧光掺杂材料,所述第一发光子层中第一掺杂材料的质量百分含量为0.5-5%;和/或,所述第二发光子层中第二掺杂材料的质量百分含量为0.5-5%;和/或,所述间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量≤2%。

5.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一发光子层、第二发光子层的厚度各自独立地为8-30nm;和/或,所述间隔层的厚度为1-7nm。

6.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一主体材料、第二主体材料和第三主体材料各自独立地包括电子型主体材料、空穴型主体材料、双极性主体材料、激基复合物材料中的任意一种或至少两种的组合。

7.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,每个所述发光单元各自独立地包括空穴传输区和电子传输区,所述发光层设置于空穴传输区和电子传输区之间。

8.根据权利要求7所述的有机发光器件,其特征在于,所述空穴传输区包括空穴传输层和可选地电子阻挡层;

9.根据权利要求8所述的有机发光器件,其特征在于,所述电荷产生层包括p型层、n型层和设置于所述p型层与n型层之间的阻隔层。

10.根据权利要求9所述的有机发光器件,其特征在于,所述p型层包括p型主体材料和p型掺杂剂,所述n型层包括n型主体材料和n型掺杂剂,所述阻隔层包括p型主体材料和/或n型主体材料。

11.根据权利要求9所述的有机发光器件,其特征在于,所述阻隔层的LUMO能级为2.5-2.9eV,HOMO能级为5.5-6.0eV。

12.根据权利要求9所述的有机发光器件,其特征在于,所述p型层、n型层的厚度各自独立地为2-30nm;和/或,所述阻隔层的厚度为0.5-2nm。

13.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,每个所述发光单元各自独立地选自绿色发光单元、蓝色发光单元、红色发光单元或黄色发光单元中的任意一种。

14.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述发光单元为绿色发光单元,所述绿色发光单元中的发光层包括第一发光子层、第二发光子层和设置于所述第一发光子层与第二发光子层之间的间隔层;

15.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述阴极远离发光单元的一侧还设置有光取出层。

16.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-15任一项所述的有机发光器件。

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【技术特征摘要】

1.一种有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件包括阳极、阴极和设置于所述阳极和阴极之间的至少两个发光单元,每个所述发光单元中各自独立地包括发光层;

2.根据权利要求2所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一发光子层中第一掺杂材料的质量百分含量为0.5-12%;和/或,所述第二发光子层中第二掺杂材料的质量百分含量为0.5-12%;和/或,所述间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量≤3%。

3.根据权利要求2所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一掺杂材料、第二掺杂材料和第三掺杂材料为磷光掺杂材料,所述第一发光子层中第一掺杂材料的质量百分含量为1-12%;和/或,所述第二发光子层中第二掺杂材料的质量百分含量为1-12%;和/或,所述间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量≤3%。

4.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一掺杂材料、第二掺杂材料和第三掺杂材料为荧光掺杂材料,所述第一发光子层中第一掺杂材料的质量百分含量为0.5-5%;和/或,所述第二发光子层中第二掺杂材料的质量百分含量为0.5-5%;和/或,所述间隔层中第三掺杂材料的质量百分含量≤2%。

5.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一发光子层、第二发光子层的厚度各自独立地为8-30nm;和/或,所述间隔层的厚度为1-7nm。

6.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述第一主体材料、第二主体材料和第三主体材料各自独立地包括电子型主体材料、空穴型主体材料、双极性主体材料、激基复合物材料中的任意一种或至少两种的组合。

7.根据权利要求1所述的有机发光器件,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王荷丹张玉佩杜瑞铭刘园园陶宁黄智
申请(专利权)人:武汉天马微电子有限公司上海分公司
类型:发明
国别省市:

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