【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体i cp(电感耦合等离子体)，涉及一种快速恢复i cp腔体作业环境的装置及方法。
技术介绍
1、半导体制造工艺中的刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。早期普遍采用的是湿法刻蚀，但由于其在线宽控制及刻蚀方向性等多方面的局限，3μm之后的工艺大多采用干法刻蚀；湿法刻蚀仅用于某些特殊材料层的去除和残留物的清洗。干法刻蚀是指使用气态的化学刻蚀剂与晶圆片上的材料发生反应，以刻蚀掉需去除的部分材料并形成可挥发性的反应生成物，然后将其抽离反应腔的过程；刻蚀剂通常直接或间接地产生于刻蚀气体的等离子体，所以干法刻蚀也称为等离子体刻蚀。
2、电感耦合等离子体(icp)是半导体行业中的一项重要技术，主要用于去除晶圆制造中的光刻胶和进行蚀刻。这项技术是根据半导体行业的工艺要求开发的，通过高频电流通过螺旋线圈产生感应放电等离子体，从而实现对材料的刻蚀和处理。icp技术在集成光学、光电子学、微机械系统(mems)、光子晶体等领域都有广泛应用，是制作许多重要器件的关键步骤，如白光led、半导体激光器、探测器等。
3、半导体icp干法刻蚀设备保养中，通常使用带有乙醇、异丙醇或纯水的无尘布对作业腔体进行擦拭，由于需要开腔处理，内腔会与大气接触，破坏其真空状态，并且经过上述溶剂擦拭后，腔体湿度上升，导致后续合腔需要做多次dummy wafer(也被称为test wafer,中文名称为测试片/假片)以便恢复腔体最佳作业环境，通常耗时4-12小时并需要2-4次dummy wafer。鉴于此，亟需提供一种快速恢复icp腔体作业环境的装
技术实现思路
1、基于此，本专利技术提供一种快速恢复icp腔体作业环境的装置及方法，解决了保养后腔体作业环境恢复时间过长的问题。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、本专利技术提供的一种快速恢复icp腔体作业环境的装置，包括：
4、载台，包括圆周面和上表面，所述载台上表面设有细微小孔，所述载台内部为中空的；
5、冷却循环系统，设置在载台内部，用于向载台输送冷却液；
6、气体热传导管，设置在载台内部，用于载台与载片盘间的温度传导；
7、抽气管，设置在所述载台的正下方，连接在icp腔体上，所述抽气管的抽气口位于icp腔体壁上，所述抽气口所在的平面为抽气口面；
8、顶针，穿过所述载台且外露于所述载台上表面，用于托起载片盘；
9、顶针气缸，位于所述载台的下方与所述抽气口面的上方，用于驱动顶针做升降运动。
10、进一步地，所述冷却循环系统包括冷却器进管和冷却器出管，所述冷却器进管用于向所述载台内输入冷却液，所述冷却器出管用于从所述载台内输出冷却液。
11、优选地，所述冷却器进管和所述冷却器出管为金属材质。
12、优选地，所述气体热传导管为氦气管。
13、进一步地，所述装置还包括：
14、陶瓷保护罩，位于所述载台的下方与所述抽气口面的上方，且分别与所述载台和所述抽气口面固定连接；用于保护所述冷却循环系统和所述气体热传导管。
15、进一步地，所述装置还包括：
16、过滤器，安装在所述抽气管的抽气口前端，用于过滤工艺废物。
17、进一步地，所述过滤器通过卡箍固定在所述抽气管上，与所述抽气管可拆卸连接。
18、优选地，所述过滤器内部由直径为5mm的圆孔不锈钢316面板组成。
19、进一步地，所述装置还包括：
20、陶瓷隔网，安装在所述载台圆周面的外围，用于吸附工艺废物。
21、本专利技术还提供一种快速恢复icp腔体作业环境的方法，包括以下步骤：
22、s1打开icp腔体，拆卸陶瓷隔网，使用乙醇擦拭陶瓷隔网与icp腔体的连接处，然后安装上备用陶瓷隔网，合上icp腔体；
23、s2拆卸过滤器，安装上备用过滤器，对icp腔体进行抽气；
24、s3待icp腔体抽至极限真空后，用机械手传一盘dummy wafer至载片台上；
25、s4向icp腔体内通入150±5sccm氯气，流气10min；
26、s5不关闭氯气，打开上射频，输入1500w射频功率，等待2min；
27、s6关闭上射频，关闭氯气，向icp腔体内通入80±2sccm三氯化硼，流气5min；
28、s7不关闭三氯化硼，打开上射频，输入1200w射频功率，等待2min；
29、s8关闭上射频，关闭三氯化硼，向icp腔体内通入氧气200±5sccm，四氟化碳100±2sccm，流气2min；
30、s9关闭氧气和四氟化碳，同时打开氯气和三氯化硼，向icp腔体内通入氯气和三氯化硼各50±1sccm，打开上射频，输入800w射频功率，打开下射频，输入300w射频功率，等待1min；
31、s10关闭上射频、下射频与气阀，进行台阶测试，若未达标，再重复执行步骤s3-s9。
32、sccm为体积流量单位，全称是standard cubic centimeter per minute，标准立方厘米每分钟。表示在标准状态下(温度为0摄氏度，压力为1个大气压)每分钟泄漏的气体体积。
33、本专利技术的有益效果：
34、(1)通过将抽气口设置在载台正下方，从而缩短出气口与抽气口的距离，提高了刻蚀效率。
35、(2)通过增设陶瓷保护罩，从而防止冷却器管路和氦气管被工艺气体腐蚀。
36、(3)通过在抽气口增设可拆卸过滤器，可以将工艺残余化合物吸附在过滤器中，并且便于拆装。
37、(4)通过在载台圆周面的外围增设陶瓷隔网，不但可以将反应后的工艺残余化合物进行一次吸附，而且能够防止抽气口处过滤器堵塞影响抽气效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，所述冷却循环系统包括冷却器进管和冷却器出管，所述冷却器进管用于向所述载台内输入冷却液，所述冷却器出管用于从所述载台内输出冷却液。
3.根据权利要求1所述的一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，所述气体热传导管为氦气管。
4.根据权利要求1所述的一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，所述装置还包括：
5.根据权利要求1所述的一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，所述装置还包括：
6.根据权利要求5所述的一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，所述过滤器通过卡箍固定在所述抽气管上，与所述抽气管可拆卸连接。
7.根据权利要求5所述的一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，所述过滤器内部由直径为5mm的圆孔不锈钢316面板组成。
8.根据权利要求1所述的一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，所述装置还包括
9.根据权利要求2所述的一种快速恢复ICP腔体作业环境的装置，其特征在于，所述冷却器进管和所述冷却器出管为金属材质。
10.一种快速恢复ICP腔体作业环境的方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种快速恢复icp腔体作业环境的装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种快速恢复icp腔体作业环境的装置，其特征在于，所述冷却循环系统包括冷却器进管和冷却器出管，所述冷却器进管用于向所述载台内输入冷却液，所述冷却器出管用于从所述载台内输出冷却液。
3.根据权利要求1所述的一种快速恢复icp腔体作业环境的装置，其特征在于，所述气体热传导管为氦气管。
4.根据权利要求1所述的一种快速恢复icp腔体作业环境的装置，其特征在于，所述装置还包括：
5.根据权利要求1所述的一种快速恢复icp腔体作业环境的装置，其特征在于，所述装置还包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：占鹏华，樊永辉，许明伟，樊晓兵，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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