【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种研磨垫、研磨垫的制造方法及晶圆研磨方法。
技术介绍
1、具备平台与载体的晶圆研磨装置是已知的。平台具有沿与轴心正交的方向延伸的固定面，且绕轴心旋转。载体相对于平台能够相对旋转地保持平板状的晶圆。
2、通过该晶圆研磨装置研磨si、sic、gan等平板状的晶圆的情况下，在平台的固定面固定研磨垫。并且，在研磨液的存在下、将研磨垫与晶圆在规定的表面压力下进行抵接的同时，使平台与载体相对旋转。在研磨液包含碱等药剂的情况下，在cmp(chemicalmechanical polishing：化学机械研磨)步骤中研磨晶圆。
3、在研磨垫为一般的无纺布或硬质氨基甲酸酯等不具有研磨粒子的情况下，研磨液包含研磨粒子。该情况下，需要对研磨液进行管理，且需要对研磨后的晶圆进行清洗。另外，由于研磨液价格昂贵，所以还需要回收研磨后的研磨液，再调节为特定状态后进行再利用。进而，废弃研磨后的研磨液或清洗液的情况下，必须进行复杂的处理，以使它们不破坏环境。因此，在该情况下，产生半导体装置的制造成本的高涨化，且环境负担大。
4、另一方面，如专利文献1～3所公开的那样，在研磨垫具有包含母材树脂且形成有多个气孔的母材、及保持于母材或气孔内的研磨粒子情况下，可采用不含研磨粒子的研磨液。该情况下，不需要进行研磨液的管理或容易进行研磨液的管理，且可省略或简化研磨后的晶圆的清洗步骤。另外，由于研磨液变得廉价，所以并非必须回收研磨后的研磨液而进行再利用。进而，即便在废弃研磨后的研磨液时，也无需特别的处理。因此，在该情况下，可
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：日本专利第4266579号公报
8、专利文献2：日本专利第5511266号公报
9、专利文献3：日本专利第6636634号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、然而，在晶圆的研磨步骤中，期望研磨后的晶圆的高面品质与高研磨速率。
3、本专利技术是鉴于上述以往的实际情况而完成的，其课题在于提供一种研磨垫，容易进行研磨液的管理，可省略或简化研磨后的晶圆的清洗步骤，并且研磨后的研磨液的处理不麻烦，且可实现研磨后的晶圆的高面品质与高研磨速率。另外，本专利技术的课题在于提供这样的研磨垫的制造方法。进而，本专利技术的课题在于提供这样的晶圆研磨方法。
4、用于解决问题的手段
5、本专利技术的研磨垫用于晶圆研磨装置，所述装置包含：平台，其具有沿与轴心正交的方向延伸的固定面，且绕上述轴心旋转；及载体，其相对于上述平台能够相对旋转地保持平板状的晶圆；
6、所述研磨垫固定于上述固定面，在研磨液的存在下，在规定的表面压力下，对上述晶圆进行研磨，其特征在于，
7、具有包含母材树脂且形成有多个气孔的母材、及保持于上述母材或上述气孔内的研磨粒子；
8、将任意的上述气孔作为特定气孔，定义上述特定气孔中最短内径为短径，最长内径为长径，将上述短径、上述长径、圆周率及1/4相乘而得到的气孔相关面积的平均值为87.7μm2以上；
9、上述研磨粒子是比表面积为8.9～10.5m2/g的二氧化硅粒子。
10、本专利技术的研磨垫具有包含母材树脂且形成有多个气孔的母材、及保持于母材或气孔内的研磨粒子。因此，可采用不含研磨粒子的研磨液。因此，容易进行研磨液的管理，且可省略或简化研磨后的晶圆的清洗步骤。另外，由于研磨液变得平价，所以并非必须回收研磨后的研磨液而进行再利用。进而，即便在废弃研磨后的研磨液时，也无需特别的处理。
11、为了获得研磨后的晶圆的高面品质，一般使用细小的研磨粒子。另一方面，认为若使用细小的研磨粒子，则无法获得高研磨速率，若不使用粗的研磨粒子，则无法实现高研磨速率。本专利技术人等为了解决这样的通常相反的课题，着眼于母材所形成的气孔的表面积与研磨粒子的比表面积。并且，本专利技术人等通过对与气孔的表面积相关联的气孔相关面积与研磨粒子的比表面积进行各种调节，而获得最佳的研磨垫，从而完成了本专利技术。
12、即，专利技术人将任意的气孔作为特定气孔，定义特定气孔中最短内径为短径，最长内径为长径，计算出将短径、长径、圆周率及1/4相乘而得到的气孔相关面积。并且，根据专利技术人的试验，若使气孔相关面积的平均值为87.7μm2以上；采用比表面积为8.9～10.5m2/g的二氧化硅粒子作为研磨粒子，则可实现研磨后的晶圆的高面品质与高研磨速率。
13、因此，若在上述晶圆研磨装置中使用本专利技术的研磨垫，则容易进行研磨液的管理，可省略或简化另外的清洗步骤，并且研磨后的研磨液的处理不麻烦，且可实现研磨后的晶圆的高面品质与高研磨速率。因此，可使半导体装置的制造成本更低廉化，且可减轻环境负担。
14、本专利技术的研磨垫的制造方法的特征在于，包括：
15、第1步骤，准备包含母材树脂、研磨粒子及溶剂的糊状物；
16、第2步骤，将上述糊状物成形为片状的成形体；
17、第3步骤，将上述成形体浸渍于置换液中，用上述置换液置换上述成形体中的上述溶剂而获得置换体；及
18、第4步骤，从上述置换体去除上述置换液而获得研磨垫，所述研磨垫具有包含上述母材树脂且形成有多个气孔的母材、及保持于上述母材或上述气孔内的研磨粒子；
19、作为上述研磨粒子，使用比表面积为8.9～10.5m2/g的二氧化硅粒子；
20、在上述第1步骤中，调节上述母材树脂、上述研磨粒子、与上述溶剂的比例，使得：将任意的气孔作为特定气孔，定义特定气孔中最短内径为短径，最长内径为长径，将短径、长径、圆周率及1/4相乘而得到的气孔相关面积的平均值为87.7μm2以上。
21、通过本专利技术的制造方法，可制造本专利技术的研磨垫。本专利技术人等确认溶剂为n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)，置换液为水，可利用本专利技术的制造方法制造本专利技术的研磨垫。
22、本专利技术的晶圆研磨方法的特征在于，在研磨液的存在下，在规定的表面压力下，将平板状的晶圆与平板状的研磨垫抵接，并且，围绕沿上述晶圆的厚度方向延伸的轴心，使上述晶圆与上述研磨垫相对旋转，从而对上述晶圆进行研磨，
23、上述研磨垫具有包含母材树脂且形成有多个气孔的母材、及保持于上述母材或上述气孔内的研磨粒子；
24、将任意的上述气孔作为特定气孔，定义上述特定气孔中最短内径为短径，最长内径为长径，将上述短径、上述长径、圆周率及1/4相乘而得到的气孔相关面积的平均值为87.7μm2以上；
25、上述研磨粒子是比表面积为8.9～10.5m2/g的二氧化硅粒子。
26、本专利技术的晶圆研磨方法由于使用本专利技术的研磨垫，所以可使半导体装置的制造成本更低廉化，且可减轻环境负担。
27、专利技术效果
28、若使用本专利技术的研磨垫，则容易进行研磨液的管理，可省略或简化另外的清本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种研磨垫，其用于晶圆研磨装置，所述装置包含：
2.根据权利要求1的研磨垫，其中，所述气孔相关面积的最大值为209.3μm2以上，最小值为29.3μm2以上。
3.根据权利要求1或2的研磨垫，其中，所述母材树脂为聚醚砜。
4.一种研磨垫的制造方法，其特征在于，包括：
5.一种晶圆研磨方法，其特征在于，在研磨液的存在下，在规定的表面压力下，将平板状的晶圆与平板状的研磨垫抵接，并且，围绕沿所述晶圆的厚度方向延伸的轴心，使所述晶圆与所述研磨垫相对旋转，从而对所述晶圆进行研磨，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种研磨垫，其用于晶圆研磨装置，所述装置包含：
2.根据权利要求1的研磨垫，其中，所述气孔相关面积的最大值为209.3μm2以上，最小值为29.3μm2以上。
3.根据权利要求1或2的研磨垫，其中，所述母材树脂为聚醚砜。
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