【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法。
技术介绍
1、在微电子产品制造工艺中，pecvd(增强型等离子体化学气相淀积)方法被广泛运用，但随着等离子体的引入，因反应腔体的几何尺寸设计及工艺设定引起的局部等离子体不平衡而带来的等离子损伤不可避免。有效的控制及降低等离子的损伤会降低因天线效应带来的器件电学特性恶化。
2、在制品评价前，我们通常使用spv(表面光电压)方法得出的vs stdev(表面电压标准方差)表征等离子损伤的大小，vs stdev越大表征等离子的程度越严重。
3、如在某等离子体工艺中，初始的vs stdev在1.86左右，等离子体损伤程度较严重，需改善。现有技术的降低等离子体损伤的方法有改变工艺腔体的设计，改变淀积中的工艺参数，但改变工艺腔体的设计往往代价较高，同时会带来额外的颗粒，膜厚均匀性变差等问题，改变淀积中的工艺气体及参数，膜质也会随之改变。
4、为解决上述问题，需要提出一种新型的降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法，用于解决现有技术中降低等离子体损伤的方法有改变工艺腔体的设计，改变淀积中的工艺参数，但改变工艺腔体的设计往往代价较高，同时会带来额外的颗粒，膜厚均匀性变差等问题，改变淀积中的工艺气体及参数，膜质也会随之改变的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专
3、步骤一、提供衬底，将所述衬底置于增强型等离子体化学气相淀积的反应腔体中，利用增强型等离子体化学气相淀积的方法在所述衬底上形成pecvd薄膜；
4、步骤二、在所述反应腔体中通入o2和he，利用射频源将o2和he电离为等离子体对所述pecvd薄膜的表面进行处理，使得所述pecvd薄膜的表面电压标准方差符合预设值；
5、步骤三、去除所述反应腔体中的工艺气体。
6、优选地，步骤一中的所述pecvd薄膜的材料包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅。
7、优选地，步骤一中的射频起辉步中，向所述反应腔体中通入o2和he。
8、优选地，步骤一中的所述o2的气体流量为500-4000sccm，所述he的气体流量为500-5000sccm。
9、优选地，步骤二中的所述o2的气体流量为500-4000sccm，所述he的气体流量为550-7500sccm。
10、优选地，步骤二中的所述射频源的功率为100-250w。
11、优选地，步骤二中的所述射频源为高频。
12、优选地，步骤二中对所述pecvd薄膜的表面进行处理的时间为3-30s。
13、优选地，步骤二中利用表面光电压的方法获取所述表面电压标准方差。
14、优选地，步骤三中利用泵抽取工艺去除所述反应腔体中的工艺气体。
15、如上所述，本专利技术的降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法，具有以下有益效果：
16、本专利技术能够使最终表征等离子体损伤趋势的表面电压标准方差(vs stdev)有明显下降。
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1.一种降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤一中的所述PECVD薄膜的材料包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅。
3.根据权利要求1所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤一中的射频起辉步中，向所述反应腔体中通入O2和He。
4.根据权利要求3所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤一中的所述O2的气体流量为500-4000sccm，所述He的气体流量为500-5000sccm。
5.根据权利要求1所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤二中的所述O2的气体流量为500-4000sccm，所述He的气体流量为550-7500sccm。
6.根据权利要求1所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤二中的所述射频源的功率为100-250W。
7.根据权利要求1所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤二中的所述射频源为高频
8.根据权利要求1所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤二中对所述PECVD薄膜的表面进行处理的时间为3-30s。
9.根据权利要求1所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤二中利用表面光电压方法获取所述表面电压标准方差。
10.根据权利要求1所述的降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤三中利用泵抽取工艺去除所述反应腔体中的工艺气体。
...【技术特征摘要】
1.一种降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤一中的所述pecvd薄膜的材料包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅。
3.根据权利要求1所述的降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤一中的射频起辉步中，向所述反应腔体中通入o2和he。
4.根据权利要求3所述的降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤一中的所述o2的气体流量为500-4000sccm，所述he的气体流量为500-5000sccm。
5.根据权利要求1所述的降低pecvd薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于：步骤二中的所述o2的气体流量为500-4000sccm，所述he的气体...
【专利技术属性】
技术研发人员：王剑敏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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