【技术实现步骤摘要】
本申请涉及混合键合，具体涉及一种用于混合键合微区应力表征的方法。
技术介绍
1、在摩尔定律趋缓的背景下，多芯片集成是一种重要的提高芯片性能的方法，混合键合是实现多芯片集成的重要技术，其可以实现高密度细间距集成，但是集成过程中在金属互连结构及其周围会存在应力问题，这主要是因为金属和周围的介质以及硅的热膨胀系数不同，在工艺，尤其的退火工艺中会形成热应力，而且在整个工艺过程中都会伴随着损伤造成的应力问题，但是金属互连结构及周围的应力难以测量。虽然拉曼、x射线衍射(xrd)等方法可以实现测量，但是测量空间分辨率有限，而且这些方法都是依靠光学进行测量，难以穿透多芯片集成的三维结构。
2、因此，出于混合键合微区应力难以准确定量表征的困难，开发一种可以定量表征混合键合微区应力的方法非常重要。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种用于混合键合微区应力表征的方法，以解决混合键合微区应力难以准确定量表征的问题。
2、本申请提供一种用于混合键合微区应力表征的方法，包括：
3、提供两个准备键合的基础芯片；
4、分别在两个所述基础芯片的键合面上形成图形化的介质层，得到介质结构；
5、在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，得到两个目标基础芯片；
6、将两个所述目标基础芯片进行混合键合形成混合键合结构，观察该混合键合结构中应力表征物的形变；
7、根据所述应力表征物的形变得到混合键合微区的应力。
8、在本申
9、在本申请的一些实施方式中，所述聚合物纳米小球采用聚苯乙烯聚合物制作而成。
10、在本申请的一些实施方式中，所述纳米小球的数量小于等于4个。
11、在本申请的一些实施方式中，所述在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，包括：
12、将含有应力表征物的金属电镀液电镀到所述介质结构的凹槽中，形成含有应力表征物的金属结构。
13、在本申请的一些实施方式中，所述在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，包括：
14、在所述介质结构的凹槽中沉积应力表征物；
15、在沉积应力表征物完成后，在所述介质结构的凹槽中电镀或沉积金属，形成含有应力表征物的金属结构。
16、在本申请的一些实施方式中，所述介质结构为长方形凹槽、正方形凹槽或圆形凹槽。
17、在本申请的一些实施方式中，所述介质结构的制作材料为二氧化硅或碳氮化硅。
18、在本申请的一些实施方式中，所述金属结构的制作材料为铜、孪晶铜、钨或钌。
19、相较于现有技术，本申请提供的用于混合键合微区应力表征的方法，包括提供两个基础芯片；分别在两个所述基础芯片的键合面上形成图形化的介质层，得到介质结构；在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，得到两个目标基础芯片；将两个所述目标基础芯片进行混合键合形成混合键合结构，观察该混合键合结构中应力表征物的形变；根据所述应力表征物的形变得到混合键合微区的应力。本申请中，在制作混合键合结构时将应力表征物制作在了其中，在两基础芯片混合键合后，可以通过应力表征物的形变来定量表征混合键合微区的应力，从而解决了混合键合微区应力难以准确定量表征的问题，可以实现混合键合微区应力变化的检测。
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1.一种用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述应力表征物采用纳米小球，所述纳米小球采用聚合物纳米小球或记忆金属纳米小球。
3.根据权利要求2所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述聚合物纳米小球采用聚苯乙烯聚合物制作而成。
4.根据权利要求2所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述纳米小球的数量小于等于4个。
5.根据权利要求1所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，包括：
6.根据权利要求1所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，包括：
7.根据权利要求1所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述介质结构为长方形凹槽、正方形凹槽或圆形凹槽。
8.根据权利要求7所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述介质结构的制作材料为二氧化硅或碳氮化硅。<...
【技术特征摘要】
1.一种用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述应力表征物采用纳米小球，所述纳米小球采用聚合物纳米小球或记忆金属纳米小球。
3.根据权利要求2所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述聚合物纳米小球采用聚苯乙烯聚合物制作而成。
4.根据权利要求2所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述纳米小球的数量小于等于4个。
5.根据权利要求1所述的用于混合键合微区应力表征的方法，其特征在于，所述在所述介质结构...
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