【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储，特别涉及一种内存芯片的信号优化方法、系统及设备。
技术介绍
1、随着信息技术的不断发展，人们对于信息的存储和读取要求也越来越严格，因此对于ssd存储介质的容量要求和存取速率要求也越来越高；为满足该要求，ssd产品在内存芯片(nand，electrically erasable programmable read only memory，eeprom)总线设计时通过增加内存芯片负载数量来扩大容量，并同步提升内存芯片信号的运行速率。
2、现有的技术方案还停留在依靠对内存芯片进行拓扑优化，而仅仅依靠拓扑优化已经无法满足要求，因此亟需一种从端接电阻配置出发的信号优化方法以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种内存芯片的信号优化方法、计算机程序产品、设备及介质。
2、第一方面，本申请提供一种内存芯片的信号优化方法，方法包括：
3、获取所述内存芯片的拓扑结构以确认所述内存芯片包含的分区芯片以及所述分区芯片对应的分区片选信号；
4、根据所述分区片选信号以及预设的选取配置规则，生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表；
5、选取空闲分区芯片并根据所述端接电阻组合值列表，配置所述内存芯片内的端接电阻以优化所述内存芯片信号。
6、在一些实施例中，所述根据所述分区片选信号以及预设的选取配置规则，以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
7、获取每一分区芯片
8、选取与所述可选片选信号数匹配的第一分区片选信号；
9、配置所述第一分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表。
10、在一些实施例中，所述获取每一分区芯片内包含的分区片选信号的数量，确定可选分区片选信号数，包括：
11、若所述分区芯片内包含的分区片选信号的数量大于2，则根据所述分区片选信号数量与1的差值确定所述分区芯片匹配的所述可选分区片选信号数的个数；
12、若所述分区芯片内包含的分区片选信号的数量等于2，则确定所述可选分区片选信号数与所述分区芯片内包含的分区片选信号匹配；
13、若所述分区芯片内包含的分区片选信号的数量等于1，则停止生成所述分区芯片对应的端接电阻组合值列表。
14、在一些实施例中，所述选取与所述可选片选信号数匹配的第一分区片选信号，包括：
15、若所述分区芯片内包含的分区片选信号的数量大于2，针对每一个分区片选信号数，随机选取所述分区芯片内与所述可选分区片选信号数匹配的分区片选信号为第一分区片选信号；
16、若所述分区芯片内包含的分区片选信号的数量等于2，选取所述分区芯片内所有的分区片选信号为第一分区片选信号。
17、在一些实施例中，所述配置所述第一分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
18、获取端接电阻默认值列表中包含的多个端接电阻初始值，以构建每一个所述第一分区片选信号对应的端接电阻值集合；
19、输入所述第一分区片选信号对应的端接电阻值集合至嵌套循环脚本并运行所述嵌套循环脚本以生成所述分区芯片对应的端接电阻组合值列表。
20、在一些实施例中，所述配置所述第一分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
21、获取端接电阻默认值列表中包含的多个端接电阻初始值，以构建每一个所述第一分区片选信号对应的端接电阻值集合；
22、输入所述第一分区片选信号对应的端接电阻值集合至递归循环脚本并运行所述递归循环脚本以生成所述分区芯片对应的端接电阻组合值列表。
23、在一些实施例中，所述方法还包括：
24、获取生成的所述端接电阻组合值列表；
25、合并所述端接电阻组合值列表中相同端接电阻组合值；
26、根据所述端接电阻组合值的大小对所述端接电阻组合值列表进行排序。
27、在一些实施例中，所述合并所述端接电阻组合值列表中相同端接电阻组合值，包括：
28、比较所述相同端接电阻组合值匹配的第一分区片选信号配置，所述第一分区片选配置包括第一分区片选信号的个数和第一分区片选信号对应配置的端接电阻值；
29、若存在所述相同端接电阻组合值匹配的第一分区片选信号配置重复，则合并重复的第一分区片选信号配置；
30、若不存在所述相同端接电阻组合值匹配的第一分区片选信号配置重复，则保留所述相同端接电阻组合值匹配的多个不同分区片选信号。
31、在一些实施例中，所述选取空闲分区芯片并根据所述端接电阻组合值列表，配置所述内存芯片内的端接电阻以优化所述内存芯片信号，包括：
32、响应于检测到读写优化配置，选取所述内存芯片接收到的读写操作对应的目标分区芯片远端的空闲分区芯片；
33、根据第一预设规则，确定所述端接电阻组合值列表内与所述空闲分区芯片匹配的目标端接电阻组合值；
34、根据所述目标端接电阻组合值配置所述空闲分区芯片内包含的分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以优化所述内存芯片信号。
35、在一些实施例中，所述选取空闲分区芯片并根据所述端接电阻组合值列表，配置所述内存芯片内的端接电阻以优化所述内存芯片信号，包括：
36、响应于检测到多负载优化配置，选取所述内存芯片接收到的读操作对应的目标分区芯片远端的第一分区芯片以及目标分区芯片近端的第二分区芯片；
37、根据所述第一分区芯片和第二分区芯片确定所述空闲分区芯片；
38、根据第二预设规则，确定所述端接电阻组合值列表内与所述空闲分区芯片匹配的目标端接电阻组合值；
39、根据所述目标端接电阻组合值配置所述空闲分区芯片内包含的分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以优化所述内存芯片信号。
40、在一些实施例中，所述根据第二预设规则，查找所述端接电阻组合值列表内与所述空闲分区芯片匹配的目标端接电阻组合值，包括：
41、根据所述端接电阻组合值列表内包含的所有端接电阻组合值生成所述组合配置列表，所述组合配置列表包括第一分区芯片可配置的端接电阻组合值和第二分区芯片可配置的端接电阻组合值的所有组合配置；
42、根据所述组合配置列表，逐一配置所述第一分区芯片内的分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以及第二分区芯片内的分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值，并对配置后的所述信号线进行仿真以生成待选仿真结果，所述待选仿真结果表征所述信号线上传输的待选信号质量；
43、确定表征的待选信号质量最优的待选仿真结果匹配的组合配置中包含的第一分区芯片的端接电阻组合值为与第一分区芯片匹配的目标端接电阻组合值；
【技术保护点】
1.一种内存芯片的信号优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述分区片选信号以及预设的选取配置规则，以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取每一分区芯片内包含的分区片选信号的数量，确定可选分区片选信号数，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述选取与所述可选片选信号数匹配的第一分区片选信号，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述配置所述第一分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述配置所述第一分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述合并所述端接电阻组合值列表中相同端接电阻组合值，包括：
9.根据权
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选取空闲分区芯片并根据所述端接电阻组合值列表，配置所述内存芯片内的端接电阻以优化所述内存芯片信号，包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述根据第二预设规则，查找所述端接电阻组合值列表内与所述空闲分区芯片匹配的目标端接电阻组合值，包括：
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述根据第一预设规则，查找所述端接电阻组合值列表内与所述空闲分区芯片匹配的目标端接电阻组合值，包括：
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述根据第一预设规则，查找所述端接电阻组合值列表内与所述空闲分区芯片匹配的目标端接电阻组合值，包括：
14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述根据第一预设规则，查找所述端接电阻组合值列表内与所述空闲分区芯片匹配的目标端接电阻组合值，包括：
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述比较所述第一信号质量与预设的预设信号质量，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一比较结果和第二比较结果判断所述第一信号质量是否优于所述预设信号质量，包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
18.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-17中任一所述的方法的步骤。
19.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
20.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其存储计算机程序，所述计算机程序使得计算机执行权利要求1-17中任一所述方法。
...【技术特征摘要】
1.一种内存芯片的信号优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述分区片选信号以及预设的选取配置规则，以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取每一分区芯片内包含的分区片选信号的数量，确定可选分区片选信号数，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述选取与所述可选片选信号数匹配的第一分区片选信号，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述配置所述第一分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述配置所述第一分区片选信号对应的信号线上的端接电阻值以生成每一分区芯片对应的端接电阻组合值列表，包括：
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述合并所述端接电阻组合值列表中相同端接电阻组合值，包括：
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选取空闲分区芯片并根据所述端接电阻组合值列表，配置所述内存芯片内的端接电阻以优化所述内存芯片信号，包括：
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选取空闲分区芯片并根据所述端接电阻组合值列表，配置所述内存芯片内的端接电阻以优化所述内存芯片信号，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：张毅军，
申请(专利权)人：苏州元脑智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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