【技术实现步骤摘要】
本申请总体上涉及半导体领域，并且更具体的，涉及一种存储器及其制造方法。
技术介绍
1、半导体存储器是信息技术的基础，作为下一代的非易失半导体存储器的候选者，相变存储器(phase change random access memory，pcram)由于高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点，得到广泛的关注。目前的三维相变存储工艺中，刻蚀以及化学机械研磨工艺面临极大的挑战。
2、在通过刻蚀工艺形成地址线的过程中，地址线顶部容易损失，造成顶部尺寸小于底部尺寸从而影响地址线的性能。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种存储器及其制备方法，旨在减少地址线顶部由于刻蚀工艺带来的损失。
2、第一方面，本申请提供一种存储器，包括：
3、存储单元；
4、地址线，位于所述存储单元的一侧；
5、保护层，位于所述地址线远离所述存储单元的一侧，所述保护层包括导电材料。
6、在一些实施例中，所述保护层的导电率大于或等于所述地址线的导电率。
7、在一些实施例中，所述保护层的材料包括银。
8、在一些实施例中，所述存储器还包括：
9、第二介质层，位于相邻所述地址线之间以及相邻所述保护层之间；
10、其中，所述第二介质层远离所述存储单元的一侧表面与所述保护层远离所述存储单元的一侧表面齐平。
11、第二方面，本申请提供一种存储器的制备方法，包括
12、形成存储叠层，并在所述存储叠层的一侧形成导电层；
13、在所述导电层远离所述存储叠层的一侧形成初始保护层，所述初始保护层包括导电材料；
14、对所述初始保护层、所述导电层和所述存储叠层进行刻蚀，形成存储单元、地址线和保护层，所述地址线位于所述存储单元和所述保护层之间。
15、在一些实施例中，对所述初始保护层、所述导电层和所述存储叠层进行刻蚀的步骤包括：
16、在所述初始保护层远离所述导电层的一侧形成图案化掩膜层；
17、利用所述图案化掩膜层对所述初始保护层、所述导电层和所述存储叠层进行刻蚀；
18、其中，在对所述导电层进行刻蚀的过程中，所述保护层相对于所述导电层的刻蚀选择比小于1，且所述保护层相对于所述图案化掩膜层的选择比小于1。
19、在一些实施例中，还包括：
20、形成第一介质层，所述第一介质层位于相邻所述存储单元之间、相邻所述地址线之间、相邻所述保护层之间和相邻所述图案化掩膜层之间；
21、通过刻蚀工艺去除所述图案化掩膜层和部分所述第一介质层，保留相邻所述存储单元之间的所述第一介质层；
22、其中，在所述刻蚀工艺过程中，所述保护层相对于所述第一介质层的刻蚀选择比小于1。
23、在一些实施例中，对所述存储叠层进行刻蚀之后，所述存储器的制备方法还包括：
24、形成第二介质层，所述第二介质层位于相邻所述地址线之间，相邻所述保护层之间，以及所述保护层远离所述地址线的一侧；
25、对所述第二介质层进行化学机械研磨工艺，所述保护层作为所述化学机械研磨工艺的停止层。
26、在一些实施例中，在所述化学机械研磨工艺中，所述保护层的选择比小于所述第二介质层的选择比。
27、在一些实施例中，所述初始保护层的导电率大于或等于所述地址线的导电率。
28、在一些实施例中，所述初始保护层的材料包括银。
29、在一些实施例中，所述初始保护层的厚度小于所述图案化掩膜层的厚度。
30、在一些实施例中，还包括：
31、在形成所述导电层之前，在所述存储叠层的外围形成第三介质层；
32、在所述第三介质层靠近所述存储叠层的一侧形成所述导电层；
33、其中，在刻蚀所述初始保护层和所述导电层的过程中，位于所述第三介质层一侧的所述导电层形成对准标记，且所述保护层还形成在所述对准标记远离所述第三介质层的第一侧。
34、本申请提供一种存储器及其制备方法，该存储器包括存储单元、地址线和保护层，地址线位于所述存储单元的一侧，保护层位于所述地址线远离所述存储单元的一侧。由于保护层覆盖地址线的顶部，因此可以减少地址线的在制备过程中的损失，增大地址线顶部的尺寸。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述保护层的导电率大于或等于所述地址线的导电率。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述保护层的材料包括银。
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
6.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的存储器的制备方法，其特征在于，对所述初始保护层、所述导电层和所述存储叠层进行刻蚀的步骤包括：
8.根据权利要求7所述的存储器的制备方法，其特征在于，对所述存储叠层进行刻蚀之后，所述存储器的制备方法还包括：
9.根据权利要求8所述的存储器的制备方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述化学机械研磨工艺中，所述保护层的研磨选择比小于所述第二介质层的研磨选择比。
【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述保护层的导电率大于或等于所述地址线的导电率。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述保护层的材料包括银。
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
6.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺祖茂，刘峻，刘国强，殷然，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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