【技术实现步骤摘要】
本公开的一个或多个实施例涉及一种用于移除边珠以减少沿晶片边缘的金属污染的组合物以及一种包括利用所述组合物来移除边珠的步骤的形成图案的方法及形成图案的系统。
技术介绍
1、近年来，工业中的半导体制造一直伴随着临界尺寸(critical dimension)的实质上不断减小，且此种尺寸上的减小需要或期望满足对此种越来越小的特征进行处理和图案化的需求的新类型(种类)的高性能光刻胶材料和图案化方法。
2、另外，随着近来半导体工业中的快速发展，要求或期望半导体装置具有相对快的操作速度和大的储存容量，且根据此种要求或期望，正在开发用于改善半导体装置的集成度(integration)、可靠性和响应速度的工艺技术。举例来说，重要的是在半导体衬底(例如，硅衬底)的工作区(working region)中准确地控制/植入杂质并对这些工作区进行互连以形成装置和/或超高密度集成电路，此可通过光刻工艺(photolithographic process)来实现。换句话说，重要的是对包括以下操作的光刻工艺进行整合：在衬底上涂布光刻胶，将所述光刻胶选择性地暴露于紫外线(ultraviolet，uv)(包括极紫外线(extremeultraviolet，euv))、电子束(electron beam，e-beam)、x射线或类似射线，且然后对所述光刻胶进行显影。
3、举例来说，在形成光刻胶膜的工艺中，主要在使衬底(例如，硅衬底)旋转的同时将光刻胶组合物涂布在所述衬底上，其中光刻胶被涂布在衬底的边缘和后表面上，此可能在随后的半导体工艺(例
技术实现思路
1、本公开的实施例的一个或多个方面涉及一种用于移除边珠的组合物，且具体来说，涉及一种用于移除边珠从而使光刻胶残留物最少化的组合物。
2、本公开的实施例的一个或多个方面涉及一种形成图案的方法，更详细来说，涉及一种包括边珠移除步骤的形成图案的方法。
3、附加的方面将在以下说明中部分地进行阐述，并且部分地将根据所述说明而显而易见，或者可通过实践本公开的所呈现的实施例来了解。
4、根据本公开一个或多个实施例的一种用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物包含：
5、添加剂，包含选自磷酸(phosphoric acid)、亚磷酸类化合物(phosphorous acid-based compound)和次亚磷酸类化合物(hypophosphorous acid-based compound)中的至少一者；
6、羧酸类化合物(carboxylic acid-based compound)；以及
7、有机溶剂，
8、其中选自磷酸、亚磷酸类化合物和次亚磷酸类化合物中的所述至少一者对羧酸类化合物的混合重量比可为约9:1到约1.2:1。
9、在一个或多个实施例中，选自磷酸、亚磷酸类化合物和次亚磷酸类化合物中的所述至少一者对羧酸类化合物的混合重量比可为约9:1到约6:4。
10、所述用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物可包含约0.01重量％到约50重量％的添加剂以及约50重量％到约99.99重量％的有机溶剂。
11、在一个或多个实施例中，以100重量％的所述用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物计，可以约0.005重量％到约10重量％的量包含选自磷酸、亚磷酸类化合物和次亚磷酸类化合物中的所述至少一者。
12、以100重量％的所述用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物计，可以约0.001重量％到约5重量％的量包含羧酸类化合物。
13、所述亚磷酸类化合物可为膦酸(phosphonic acid)、甲基膦酸(methylphosphonic acid)、乙基膦酸(ethyl phosphonic acid)、丁基膦酸(butyl phosphonicacid)、己基膦酸(hexyl phosphonic acid)、正辛基膦酸(n-octyl phosphonic acid)、十四烷基膦酸(tetradecyl phosphonic acid)、十八烷基膦酸(octadecyl phosphonicacid)、苯基膦酸(phenyl phosphonic acid)、乙烯基膦酸(vinyl phosphonic acid)、氨基甲基膦酸(aminomethyl phosphonic acid)、亚甲基二胺四亚甲基膦酸(methylenediaminetetra methylene phosphonic acid)、乙二胺四亚甲基膦酸(ethylenediamine tetramethylene phosphonic acid)、1-氨基1-膦酰基辛基膦酸(1-amino 1-phosphonooctylphosphonic acid)、羟乙磷酸(etidronic acid)、2-氨基乙基膦酸(2-aminoethylphosphonic acid)、3-氨基丙基膦酸(3-aminopropyl phosphonic acid)、6-羟基己基膦酸(6-hydroxyhexyl phosphonic acid)、癸基膦酸(decyl phosphonic acid)、亚甲基二膦酸(methylene diphosphonic acid)、次氮基三亚甲基三膦酸(nitrilotrimethylenetriphosphonic acid)、1h,1h,2h,2h-全氟辛烷膦酸(h,1h,2h,2h-perfluorooctanephosphonic acid)或其组合。
14、所述次亚磷酸类化合物可为次膦酸(phosphinic acid)、苯基次膦酸(phenylphosphinic acid)、二苯基次膦酸(diphenylphosphinic acid)、双(4-甲氧基苯基)次膦酸(bis(4-methoxyphenyl)phosphinic acid)、双(羟甲基)次膦酸(bis(hydroxymethyl)phosphinic acid)、对(3-氨基丙基)-对丁基次膦酸(p-(3-aminopropyl)-p-butylphosphinic acid)或其组合。
15、所述羧酸类化合物可为选自乙酸(acetic acid)、甲酸(formic acid)、丙酸(propionic acid)、丁酸(butyric acid)、戊酸(valeric acid)、己酸(caproic acid)和苯甲酸(benzoic 本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物，所述组合物包括：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中
3.根据权利要求1所述的组合物，其中
4.根据权利要求1所述的组合物，其中
5.根据权利要求1所述的组合物，其中
6.根据权利要求1所述的组合物，其中
7.根据权利要求1所述的组合物，其中
8.根据权利要求1所述的组合物，其中
9.根据权利要求1所述的组合物，其中
10.根据权利要求1所述的组合物，其中
11.根据权利要求1所述的组合物，其中
12.一种形成图案的方法，所述方法包括：
13.一种形成图案的系统，所述系统包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物，所述组合物包括：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中
3.根据权利要求1所述的组合物，其中
4.根据权利要求1所述的组合物，其中
5.根据权利要求1所述的组合物，其中
6.根据权利要求1所述的组合物，其中
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭泽秀，朴时均，文炯朗，扈锺必，朴庆熏，宋明洙，裵鎭希，金旼秀，韩承，金兑镐，朴景铃，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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