【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，具体涉及一种离子源中和器、离子收集极和半导体加工设备。
技术介绍
1、离子源中和器，是一种能够收集正离子输出电子的装置，该电子可以用于对等离子体刻蚀工艺中的离子进行电位中和。由于收集正离子的离子收集极的离子收集能力会影响离子源中和器的寿命和性能，因此，如何提高离子收集极的离子收集能力是本领域技术人员亟待解决的问题之一。
技术实现思路
1、本专利技术公开一种离子源中和器、离子收集极和半导体加工设备，以提高离子收集极的离子收集能力，提高离子源中和器的寿命和性能。
2、第一方面，本专利技术公开了一种离子源中和器，包括：电离腔室；设于所述电离腔室内部的离子收集极；所述离子收集极从所述电离腔室的第一端向所述电离腔室的第二端延伸，且所述离子收集极包括朝向所述电离腔室的侧壁凸出的凸起结构，所述第一端与所述第二端相对设置，所述侧壁位于所述第一端与所述第二端之间。
3、在一些可选示例中，所述离子收集极包括柱状结构和所述凸起结构，所述柱状结构从所述电离腔室的第一端向所述电离腔室的第二端延伸，所述凸起结构设于所述柱状结构表面。
4、在一些可选示例中，所述离子收集极包括多个弯折部；所述多个弯折部从所述电离腔室的第一端向所述电离腔室的第二端依次排列，且所述多个弯折部按其排列顺序依次相连；所述弯折部朝向所述电离腔室的侧壁弯折或凸出，所述弯折部包括所述凸起结构。
5、在一些可选示例中，所述离子源中和器还包括设于所述电离腔室外部的射频线圈，
6、在一些可选示例中，所述离子源中和器还包括设于所述电离腔室外部的射频线圈；所述射频线圈与所述电离腔室之间具有间隙。
7、在一些可选示例中，所述离子源中和器还包括绝缘固定支架；所述绝缘固定支架设于所述电离腔室外部，所述射频线圈固定在所述绝缘固定支架上。
8、在一些可选示例中，所述离子源中和器还包括屏蔽盒和屏蔽盖；所述电离腔室设于所述屏蔽盒与所述屏蔽盖构成的容纳空间内；所述绝缘固定支架设于所述屏蔽盒与所述电离腔室之间，且所述绝缘固定支架固定在所述屏蔽盒上。
9、在一些可选示例中，所述离子源中和器还包括进气组件；所述进气组件设于所述电离腔室的第一端，所述进气组件用于将反应气体从所述电离腔室外部传输至其内部，并在所述电离腔室内部均匀喷出。
10、在一些可选示例中，所述进气组件包括进气管路和匀气部件；所述进气管路从所述电离腔室外部延伸至其内部，用于将所述反应气体从所述电离腔室外部传输至其内部的匀气部件；所述匀气部件用于使所述反应气体在所述电离腔室内部均匀喷出。
11、在一些可选示例中，所述离子源中和器还包括引出电极和控制电极；所述引出电极和所述控制电极设于所述电离腔室外部，所述引出电极和所述控制电极位于所述电离腔室的第二端，所述引出电极位于所述控制电极与所述电离腔室之间，所述引出电极具有正电位，所述控制电极具有接地电位。
12、在一些可选示例中，所述离子源中和器还包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层位于所述电离腔室与所述引出电极之间；所述第二绝缘层位于所述引出电极与所述控制电极之间。
13、在一些可选示例中，所述电离腔室具有出射口，所述出射口贯穿所述电离腔室的一端及其一端的所有结构；并且，在远离所述电离腔室的方向上，所述出射口的宽度逐渐增大。
14、第二方面，本专利技术公开了一种离子收集极，用于设置在电离腔室内部，所述离子收集极从所述电离腔室的第一端向所述电离腔室的第二端延伸，且所述离子收集极包括朝向所述电离腔室的侧壁凸出的凸起结构，所述第一端与所述第二端相对设置，所述侧壁位于所述第一端与所述第二端之间。
15、第三方面，本专利技术公开了一种半导体加工设备，包括如上任一项所述的离子源中和器或如上所述的离子收集极。
16、本专利技术公开的离子源中和器、离子收集极和半导体加工设备，离子收集极从电离腔室的第一端如顶部向电离腔室的第二端如底部延伸，且离子收集极包括朝向电离腔室的侧壁凸出的凸起结构，从而可以通过增加凸起结构增大离子收集极的表面积，进而可以增强离子收集极的离子收集能力，进而可以提高离子源中和器的寿命和性能。
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1.一种离子源中和器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子收集极包括柱状结构和所述凸起结构，所述柱状结构从所述电离腔室的第一端向所述电离腔室的第二端延伸，所述凸起结构设于所述柱状结构表面。
3.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子收集极包括多个弯折部；
4.根据权利要求1～3任一项所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括设于所述电离腔室外部的射频线圈，所述射频线圈螺旋环绕所述电离腔室设置；
5.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括设于所述电离腔室外部的射频线圈；
6.根据权利要求5所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括绝缘固定支架；
7.根据权利要求6所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括屏蔽盒和屏蔽盖；
8.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括进气组件；
9.根据权利要求8所述的离子源中和器，其特征在于，所述进气组件
10.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括引出电极和控制电极；
11.根据权利要求10所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括第一绝缘层和第二绝缘层；
12.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述电离腔室具有出射口，所述出射口贯穿所述电离腔室的一端及其一端的所有结构；并且，在远离所述电离腔室的方向上，所述出射口的宽度逐渐增大。
13.一种离子收集极，用于设置在电离腔室内部，其特征在于，所述离子收集极从所述电离腔室的第一端向所述电离腔室的第二端延伸，且所述离子收集极包括朝向所述电离腔室的侧壁凸出的凸起结构，所述第一端与所述第二端相对设置，所述侧壁位于所述第一端与所述第二端之间。
14.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1～12任一项所述的离子源中和器或权利要求13所述的离子收集极。
...【技术特征摘要】
1.一种离子源中和器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子收集极包括柱状结构和所述凸起结构，所述柱状结构从所述电离腔室的第一端向所述电离腔室的第二端延伸，所述凸起结构设于所述柱状结构表面。
3.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子收集极包括多个弯折部；
4.根据权利要求1～3任一项所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括设于所述电离腔室外部的射频线圈，所述射频线圈螺旋环绕所述电离腔室设置；
5.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括设于所述电离腔室外部的射频线圈；
6.根据权利要求5所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括绝缘固定支架；
7.根据权利要求6所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括屏蔽盒和屏蔽盖；
8.根据权利要求1所述的离子源中和器，其特征在于，所述离子源中和器还包括进气组件；...
【专利技术属性】
技术研发人员：田甲，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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