【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种led芯片及其制备方法。
技术介绍
1、led(light emitting diode，发光二极管）是一种能将电能转化为光能的半导体发光器件。随着led芯片制造技术的发展与进步，逐渐成为继白炽灯和荧光灯之后的新型主流照明光源，具有体积小、反应快、寿命长、环保节能等优点，被广泛应用于照明、显示屏等领域。
2、目前市场上的照明灯具，用的主流芯片还是正装led芯片，通过打线方式实现电源连接。其结构由外延层和芯片层组成，外延一般包含衬底、n型半导体、量子阱、p型半导体；芯片结构从下往上依次为电流阻挡层、透明导电层、电极与钝化层。
3、现有技术中，在电极位置，需要对钝化层进行开孔，在开孔位置，底部需要设置电流阻挡层，否则电流会直接从电极垂直流向外延层而达不到横向均匀性传导作用，而非钝化层开孔位置，本身已有钝化层起到阻挡作用，其底部的电流阻挡层的存在没有意义，但这部分电流阻挡层存在遮光，影响led芯片的发光亮度。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种led芯片及其制备方法，旨在解决现有技术中位于钝化层底部的电流阻挡层区域存在遮光，影响led芯片发光亮度的技术问题。
2、本专利技术的第一方面在于提供一种led芯片，所述led芯片包括衬底、外延层与芯片层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底之上的n型半导体层、发光层与p型半导体层，所述芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，所述电极层包
3、其中，所述电流阻挡层设于所述p型半导体层之上，所述电流阻挡层为非连续性结构，包括多个间隔设置的电流阻挡块，所述透明导电层设于所述电流阻挡层之上并在相邻所述电流阻挡块之间与所述p型半导体层接触，设于所述透明导电层之上的所述钝化层贯穿设有与所述电流阻挡块相对的钝化层通孔，设于所述钝化层之上的p型电极至少部分通过所述钝化层通孔与所述透明导电层接触。
4、根据上述技术方案的一方面，所述钝化层通孔与所述电流阻挡块的中心重叠。
5、根据上述技术方案的一方面，所述p型电极的宽度为2μm-6μm；
6、所述钝化层通孔的形状为矩形通孔，所述钝化层通孔的长度为6μm-12μm，所述钝化层通孔的宽度为通孔边缘距所述p型电极边缘2μm-4µm。
7、根据上述技术方案的一方面，任意相邻两个所述钝化层通孔之间的间距为6μm-18μm，所述钝化层通孔与所述钝化层的面积比为1：4-2：3。
8、根据上述技术方案的一方面，所述电流阻挡块的宽度为边缘间距所述p型电极边缘3μm-8μm，所述电流阻挡块的长度为边缘间距所述钝化层通孔边缘2μm-7μm。
9、根据上述技术方案的一方面，相邻所述钝化层通孔之间，所述钝化层的至少部分朝向所述透明导电层一侧凹陷，并与相邻所述电流阻挡块之间的间隙相对。
10、根据上述技术方案的一方面，所述p型电极远离所述钝化层的一侧表面，设有与所述钝化层通孔中心重叠的第一电极孔，以及与所述钝化层的凹陷部中心重叠的第二电极孔，所述第一电极孔与所述第二电极孔交替分布。
11、本专利技术的第二方面在于提供一种led芯片的制备方法，用于制备上述技术方案当中所述的led芯片，所述制备方法包括：
12、提供一衬底，在所述衬底上制作外延层；其中，所述外延层包括n型半导体层、发光层与p型半导体层；
13、对所述外延层进行刻蚀，以暴露出所述n型半导体层；
14、在所述p型半导体层之上制作电流阻挡层，对所述电流阻挡层进行刻蚀，形成多个间隔的电流阻挡块；
15、在所述电流阻挡层之上制作透明导电层，使所述透明导电层在相邻两个所述电流阻挡块之间与所述p型半导体层接触；
16、在所述透明导电层之上制作钝化层，在所述钝化层中与所述电流阻挡块的对应区域进行开孔，得到钝化层通孔；
17、在所述钝化层上制作电极层，所述电极层包括p型电极，所述p型电极的至少部分通过所述钝化层通孔与所述透明导电层接触。
18、根据上述技术方案的一方面，在所述钝化层中与所述电流阻挡块的对应区域进行开孔，得到钝化层通孔的步骤，具体包括：
19、在所述钝化层中与每个电流阻挡块的中心重叠区域进行开孔，得到多个钝化层通孔。
20、根据上述技术方案的一方面，所述电流阻挡层采用sio2材料沉积得到。
21、与现有技术相比，采用本专利技术所示的led芯片及其制备方法，有益效果在于：
22、在p型电极的设置区域，通过在p型半导体层上设置非连续性的电流阻挡层，包括多个间隔设置的电流阻挡块，则去除了电流阻挡块之间的材料覆盖，减少了电流阻挡层的遮光面积，且间隔设置的电流阻挡块同样能够对电极传输的电流进行阻挡与导向，则电流阻挡层采用如此非连续性的电流阻挡块结构既不影响电流阻挡功能的正常使用，又能极大程度地减少电流阻挡层的遮光面积，从而增加光线的出射，提升led芯片的发光亮度。
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1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括衬底、外延层与芯片层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底之上的N型半导体层、发光层与P型半导体层，所述芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，所述电极层包括N型电极与P型电极；
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述钝化层通孔与所述电流阻挡块的中心重叠。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述P型电极的宽度为2μm-6μm；
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，任意相邻两个所述钝化层通孔之间的间距为6μm-18μm，所述钝化层通孔与所述钝化层的面积比为1：4-2：3。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡块的宽度为边缘间距所述P型电极边缘3μm-8μm，所述电流阻挡块的长度为边缘间距所述钝化层通孔边缘2μm-7μm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的LED芯片，其特征在于，相邻所述钝化层通孔之间，所述钝化层的至少部分朝向所述透明导电层一侧凹陷，并与相邻所述电流阻挡块之间的间隙相对。
7.
8.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-7任一项所述的LED芯片，所述制备方法包括：
9.根据权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述钝化层中与所述电流阻挡块的对应区域进行开孔，得到钝化层通孔的步骤，具体包括：
10.根据权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述电流阻挡层采用SiO2材料沉积得到。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片，其特征在于，所述led芯片包括衬底、外延层与芯片层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底之上的n型半导体层、发光层与p型半导体层，所述芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，所述电极层包括n型电极与p型电极；
2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述钝化层通孔与所述电流阻挡块的中心重叠。
3.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述p型电极的宽度为2μm-6μm；
4.根据权利要求3所述的led芯片，其特征在于，任意相邻两个所述钝化层通孔之间的间距为6μm-18μm，所述钝化层通孔与所述钝化层的面积比为1：4-2：3。
5.根据权利要求4所述的led芯片，其特征在于，所述电流阻挡块的宽度为边缘间距所述p型电极边缘3μm-8μm，所述电流阻挡块的长度为边缘间距所述钝化层通孔边缘2μm-7μm。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，张雪，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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