【技术实现步骤摘要】
本申请涉及振荡器，尤其涉及一种振荡装置。
技术介绍
1、振荡器是一种用来产生重复电子信号的电子元件，可以用于给芯片提供参考时钟的电路中，随着芯片复杂度、集成度的提高，对芯片的功耗提出了越来越高的要求，随之对振荡器的功耗要求也越来越高。
2、当前常用的振荡器结构有rc振荡器、环形振荡器、lc振荡器、晶体振荡器等；相较于rc振荡器，其他几种振荡器由于面积过大、集成化难、功耗高、成本高等缺点，导致其他几种振荡器在芯片内集成的应用中没有rc振荡器广泛；而rc振荡器具有面积小、易于集成、低功耗、低成本以及结构简单的优点，成为当今片内集成振荡器的首选。由于传统rc振荡器使用了比较器，通过比较器获取振荡器的参照电压和实际电压之间的差值，从而通过调整输入电压使得的实际电压符合参照电压的要求，但是使用比较器会产生较高的功耗，因此，如何对传统rc振荡器进行改进、降低功耗，成为了一项急需解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种振荡装置，用以解决上述
技术介绍
中的问题。
2、本申请提供一种振荡装置，包括：使能电路、第一偏置电路、第二偏置电路与振荡电路，所述使能电路分别与所述第一偏置电路和所述第二偏置电路电连接，所述第一偏置电路分别与所述第二偏置电路和所述振荡电路电连接，所述第二偏置电路还与所述振荡电路电连接；
3、所述使能电路，用于接收外部控制信号，并分别向所述第一偏置电路和所述第二偏置电路发送使能信号；
4、所述第一偏置电路，用于接收来自所述使能电路的
5、所述第二偏置电路，用于接收来自助所述使能电路的所述使能信号以及来自所述第一偏置电路的第二偏置电压信号，根据所述第二偏置电压信号向所述振荡电路分别发送第三偏置电压信号和第四偏置电压信号；
6、所述振荡电路，用于根据所述第一偏置电压信号、第三偏置电压信号和第四偏置电压信号，产生时钟信号。
7、可选地，所述使能电路包括第一使能电路和第二使能电路，所述使能信号包括第一使能信号、第二使能信号和第三使能信号；
8、所述第一使能电路，用于接收低电平的外部控制信号(en)，并根据所述外部控制信号分别向所述第一偏置电路和第二偏置电路发送第一使能信号和第二使能信号；
9、所述第二使能电路，用于接收所述低电平的外部控制信号的反相信号并根据所述反相信号向所述第一偏置电路发送第三使能信号；
10、其中，所述第一使能信号为高电平，所述第二使能信号为高电平，所述第三使能信号为低电平。
11、可选地，所述第一使能电路包括五个电压输出端(vb1、vb2、vb3、vg1、vg2)、两个第一pmos管(mp01、mp02)、第一nmos管(mn01)；
12、所述第一pmos管(mp01)的源极用于连接电源，第一pmos管(mp01)的漏极分别连接所述第一pmos管(mp02)的源极和所述第一nmos管(mn01)的漏极，所述第一pmos管(mp01)的栅极分别连接所述第一nmos管(mn01)的栅极、所述第一pmos管(mp02)的栅极；
13、所述第一pmos管(mp02)的源极连接所述第一nmos管(mn01)的漏极，所述第一pmos管(mp02)的漏极分别连接电压输出端(vg1、vg2、vb1、vb2、vb3)，所述第一pmos管(mp02)的栅极连接所述第一pmos管(mn01)的栅极；
14、所述第一nmos管(mn01)的源极接地；
15、所述第一pmos管(mp01)、所述第一pmos管(mp02)、所述第一nmos管(mn01)的栅极分别用于接收所述低电压的外部控制信号(en)；
16、所述第一使能信号包括电压输出端(vb3、vg1、vg2)输出的高电平信号；
17、所述第二使能信号包括电压输出端(vb1、vb2)输出的高电平信号。
18、可选地，所述第二使能电路包括两个第二nmos管(mn02、mn03)、第二pmos管mp03、电压输出端(vb0、vg3、vg4)；
19、所述第二pmos管(mp03)的源极用于连接电源，所述第二pmos管(mp03)的漏极连接所述第二nmos管(mn02)的源极和所述第二nmos管(mn03)的漏极，所述第二pmos管(mp03)的栅极连接所述第二nmos管(mn02)的栅极、所述第二pmos管(mn03)的栅极；
20、所述第二nmos管(mn02)的源极还连接所述第二nmos管(mn03)的漏极，所述第二nmos管(mn02)的漏极分别连接电压输出端(vb0、vg3、vg4)，所述第二nmos管(mn02)的栅极连接所述第二pmos管(mp03)的栅极；
21、所述第二nmos管(mn03)的源极接地；
22、所述第二nmos管(mn02)、所述第二nmos管(mn03)和所述第二pmos管(mp03)的栅极分别用于接收所述低电压的外部控制信号的反相信号
23、所述第三使能信号包括电压输出端(vb0、vg3、vg4)输出的低电压信号。
24、可选地，所述第一偏置电路包括多个第三pmos管(mp1、mp2、mp8、mp9)、第四pmos管(mp10)、多个第五pmos管(mp11、mp12、mp18、mp19)、一组第六pmos管(mp3、mp13)、多个第三nmos管(mn1、mn7)、多个第四nmos管(mn8、mn14)、多个第五nmos管(mn15、mn16)、一组第六nmos管(mn2、mn9)、多个电阻(r1、r2、r3、r4)、多个电容(c1、c2、c3、c4)、一组开关(s1、s6)和传输门(tg)；
25、所述多个第三pmos管(mp1、mp2、mp8、mp9)、所述第三pmos管(mp1、mp2、mp8、mp9)、第六pmos管(mp3)的栅极分别连接所述电容(c1)的一端、所述电阻(r2)的一端、所述第三pmos管(mp12)的漏极，所述第三pmos管(mp1、mp2、mp8、mp9)、第六pmos管(mp3)的漏极分别与所述第五pmos管(mp11、mp12、mp18、mp19)、第六pmos管(mp13)的源极相连，第六pmos管(mp3)的源极、所述电容(c1)的另一端、所述第四pmos管(mp10)的源极均与电源连接；
26、所述第四pmos管(mp10)的栅极和漏极连接所述第五nmos管(mn16)的漏极，所述第四pmos管(mp10)的栅极还用于与所述第一偏置电路的所述电压输出端(vb3)连接；
27、所述第五pmos管(mp11、mp12、mp18、mp19)、第六pmos管(mp13)的栅极分别连接所述电容(c2)的一端、所述电阻(r1)及所述电阻(r2)公共的一端，所述第五pmos管(mp11)的漏极连本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种振荡装置，其特征在于，包括：使能电路、第一偏置电路、第二偏置电路与振荡电路，所述使能电路分别与所述第一偏置电路和所述第二偏置电路电连接，所述第一偏置电路分别与所述第二偏置电路和所述振荡电路电连接，所述第二偏置电路还与所述振荡电路电连接；
2.根据权利要求1所述的振荡装置，其特征在于，所述使能电路包括第一使能电路和第二使能电路，所述使能信号包括第一使能信号、第二使能信号和第三使能信号；
3.根据权利要求2所述的振荡装置，其特征在于，所述第一使能电路包括五个电压输出端(Vb1、Vb2、Vb3、VG1、VG2)、两个第一PMOS管(MP01、MP02)、第一NMOS管(MN01)；
4.根据权利要求3所述的振荡装置，其特征在于，所述第二使能电路包括两个第二NMOS管(MN02、MN03)、第二PMOS管MP03、电压输出端(Vb0、VG3、VG4)；
5.根据权利要求4所述的振荡装置，其特征在于，所述第一偏置电路包括多个第三PMOS管(MP1、MP2、MP8、MP9)、第四PMOS管(MP10)、多个第五PMOS管(MP11、MP
6.根据权利要求5所述的振荡装置，其特征在于，所述第一偏置电路还包括多组所述第六PMOS管(MP4-MP7、MP14-MP17)、多组所述第六NMOS管(MN3-MN6、MN10-MN13)、多组所述开关(S2-S5、S7-S10)。
7.根据权利要求6所述的振荡装置，其特征在于，所述第二偏置电路包括多个第七PMOS管(MP21、MP22、MP23)、多个第七NMOS管(MN21、MN22)、多个电容(C21、C22)；
8.根据权利要求7所述的振荡装置，其特征在于，所述第二偏置电路还包括电容(C23)；
9.根据权利要求8所述的振荡装置，其特征在于，所述振荡电路包括第八PMOS管(MP31、MP32、MP33、MP34、MP35、MP36)，第八NMOS管(MN31、MN32)、电容(C)、反相器(INV)、缓冲器(BF1)、缓冲器(BF2)；
...【技术特征摘要】
1.一种振荡装置，其特征在于，包括：使能电路、第一偏置电路、第二偏置电路与振荡电路，所述使能电路分别与所述第一偏置电路和所述第二偏置电路电连接，所述第一偏置电路分别与所述第二偏置电路和所述振荡电路电连接，所述第二偏置电路还与所述振荡电路电连接；
2.根据权利要求1所述的振荡装置，其特征在于，所述使能电路包括第一使能电路和第二使能电路，所述使能信号包括第一使能信号、第二使能信号和第三使能信号；
3.根据权利要求2所述的振荡装置，其特征在于，所述第一使能电路包括五个电压输出端(vb1、vb2、vb3、vg1、vg2)、两个第一pmos管(mp01、mp02)、第一nmos管(mn01)；
4.根据权利要求3所述的振荡装置，其特征在于，所述第二使能电路包括两个第二nmos管(mn02、mn03)、第二pmos管mp03、电压输出端(vb0、vg3、vg4)；
5.根据权利要求4所述的振荡装置，其特征在于，所述第一偏置电路包括多个第三pmos管(mp1、mp2、mp8、mp9)、第四pmos管(mp10)、多个第五pmos管(mp11、mp12、mp18、mp19)、一组第六pmos管(mp3、mp13)、多个第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晨，王家保，王浩，王瑞东，
申请(专利权)人：西安中领星讯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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