本发明专利技术涉及一种防过载双线圈电路及智能卡，所述电路包括NFC芯片、分压元件、第一线圈和第二线圈，所述NFC芯片、分压元件和第一线圈连接形成第一回路，所述NFC芯片与第二线圈连接形成第二回路，所述第一线圈被配置为当有充电的电磁波进入时，吸收电磁波并转化为电能供NFC芯片工作，所述第二线圈被配置为吸收部分电磁波，以在高电磁环境下分流电磁波的部分电子。本发明专利技术设计了谐振线圈和分流线圈，通过分流线圈和NFC芯片组成分流回路，谐振线圈为NFC工作线圈，分流线圈在充电高电磁环境下进行分流，谐振线圈与分流线圈在频率上有区别，从而避免了双天线之间的信号干扰问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无线充电领域，具体涉及一种防过载双线圈电路及智能卡。
技术介绍
1、无线充电设备无需电源线就可以实现充电，其越来越受到用户的喜爱，手机在进行无线充电过程中需要将卡片放在充电高电磁环境中，而充电的高电磁环境又很容易造成卡片损坏，如何使得无线充电过程中卡片在充电高电磁环境中不损坏，一直是行业内难以解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中存在的技术缺陷和技术弊端，本专利技术实施例提供克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种防过载双线圈电路及智能卡，具体方案如下：
2、作为本专利技术的第一方面，提供一种防过载双线圈电路，所述电路包括nfc芯片、第一线圈和第二线圈，所述nfc芯片和第一线圈连接形成第一回路，所述nfc芯片与第二线圈连接形成第二回路，所述第一线圈被配置为当有充电的电磁波进入时，吸收电磁波并转化为电能供nfc芯片工作，所述第二线圈被配置为吸收部分电磁波，以分流电磁波的部分电子。
3、进一步地，第一线圈为谐振线圈，第二线圈为分流线圈，所述第一回路为nfc工作回路，第二回路为分流回路。
4、进一步地，所述第一线圈和第二线圈的线圈频率不同。
5、进一步地，所述nfc芯片电路还包括分压元件，所述分压元件串联于所述第一回路中，所述分压元件用于当第一回路中产生电流时，对电流进行分压。
6、进一步地，所述分压元件为分压电容。
7、进一步地，所述分压电容为带有保护金属的硬质底板的贴片电容。
>8、作为本专利技术的第二方面，还提供一种防过载双线圈智能卡，所述智能卡包括卡片本体，所述卡片本体内封装有如上述任一项所述的防过载双线圈电路。9、进一步地，所述卡片本体从正面至反面依次包括正透明膜层、正补偿层、中间层、反补偿层和反透明膜层，所述nfc芯片电路布设于中间层。
10、本专利技术具有以下有益效果：
11、为了解决高电磁环境容易造成卡片损坏的问题，本专利技术设计了谐振线圈、分流线圈和分压电容，通过分流线圈和nfc芯片组成分流回路，谐振线圈为nfc工作线圈，当电路处理充电高电磁环境下时，一方面通过分流线圈在充电高电磁环境下进行电磁分流，另一方面通过通过分压电容，进一步对第一回路中的电流进行分压，通过分流线圈和分压电容进行分压后，使得进入nfc芯片的电流变成小电流了，不会对芯片造成冲击，从而解决nfc芯片在充电高电磁环境中损坏的问题，另外，本专利技术谐振线圈与分流线圈在频率上有区别，从而避免了双天线之间的信号干扰问题。
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【技术保护点】
1.一种防过载双线圈电路，其特征在于，所述电路包括NFC芯片、第一线圈和第二线圈，所述NFC芯片和第一线圈连接形成第一回路，所述NFC芯片与第二线圈连接形成第二回路，所述第一线圈被配置为当有充电的电磁波进入时，吸收电磁波并转化为电能供NFC芯片工作，所述第二线圈被配置为吸收部分电磁波，以在高电磁环境下分流电磁波的部分电子。
2.根据权利要求1所述的防过载双线圈电路，其特征在于，其特征在于，第一线圈为谐振线圈，第二线圈为分流线圈，所述第一回路为NFC工作回路，第二回路为分流回路。
3.根据权利要求1所述的防过载双线圈电路，其特征在于，所述第一线圈和第二线圈的线圈频率不同。
4.根据权利要求1所述的防过载双线圈电路，其特征在于，所述NFC芯片电路还包括分压元件，所述分压元件串联于所述第一回路中，所述分压元件用于当第一回路中产生电流时，对电流进行分压。
5.根据权利要求4所述的防过载双线圈电路，其特征在于，所述分压元件为分压电容。
6.根据权利要求5所述的防过载双线圈电路，其特征在于，所述分压电容为带有保护金属的硬质底板的贴片电容。
7.一种防过载双线圈智能卡，其特征在于，所述智能卡包括卡片本体，所述卡片本体内封装有如权利要求1-6任一项所述的防过载双线圈电路。
8.根据权利要求7所述的防过载双线圈智能卡，其特征在于，所述卡片本体从正面至反面依次包括正透明膜层、正补偿层、中间层、反补偿层和反透明膜层，所述NFC芯片电路布设于中间层。
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【技术特征摘要】
1.一种防过载双线圈电路，其特征在于，所述电路包括nfc芯片、第一线圈和第二线圈，所述nfc芯片和第一线圈连接形成第一回路，所述nfc芯片与第二线圈连接形成第二回路，所述第一线圈被配置为当有充电的电磁波进入时，吸收电磁波并转化为电能供nfc芯片工作，所述第二线圈被配置为吸收部分电磁波，以在高电磁环境下分流电磁波的部分电子。
2.根据权利要求1所述的防过载双线圈电路，其特征在于，其特征在于，第一线圈为谐振线圈，第二线圈为分流线圈，所述第一回路为nfc工作回路，第二回路为分流回路。
3.根据权利要求1所述的防过载双线圈电路，其特征在于，所述第一线圈和第二线圈的线圈频率不同。
4.根据权利要求1所述的防过载双线圈电路，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟新胜，张媛媛，张泉，钱大伟，余辰，
申请(专利权)人：武汉天喻信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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