【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅材料水淬爆及应力释放处理破碎相关，具体为一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置及破碎方法。
技术介绍
1、节约能源，降低损耗，提高自动化程度已经成为社会共识，各光伏企业对晶硅水淬爆破碎后粉料率和物料的品质，表金属增加值、含水量有了更高的要求；
2、但是，通常所使用的多晶硅材料水淬爆处理后的破碎方法，仍存在以下不足：
3、1.现有破碎方法大多通过人工进行辅助处理，而人工破碎效率低，不能满足大规模生产的需要；
4、2.现有破碎方法通常是直接破碎物料粉料率、次品率高，表金属增加值高；
5、3.现有破碎方法在实际操作过程中，破碎硅料装袋后水雾问题难以解决。
6、因此，我们提出一种多晶硅材料水淬爆及应力释放处理后的破碎方法，以便于解决上述中提出的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置及破碎方法，以解决上述
技术介绍
提出的大多通过人工进行处理，而人工破碎效率低，不能满足大规模生产的需要，通常是直接破碎物料粉料率、次品率高，表金属增加值高，在实际操作过程中，破碎硅料装袋后水雾问题难以解决的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：多晶硅材料水淬爆后的破碎装置，包括一级破碎设备、设置在所述一级破碎设备下方的输送布料设备以及设置在冷却输送线右侧的二级破碎设备；
3、还包括：
4、冷却输送线，所述冷却输送线置于一级破碎设备与二级破碎设备之
5、筛分设备，所述筛分设备用于对合格尺寸的晶硅料进行筛分；
6、优选的，所述冷却输送线的右端设置有单层筛分装置，且单层筛分装置的右端设置有二级破碎设备，被二级破碎设备设置在单层筛分装置与筛分设备之间；
7、其中，所述单层筛分装置的下端设置有合格料溜道。
8、优选的，所述单层筛分设备包括福马轮、安装支架、振动器、橡胶减震块、槽体、侧挡组件、入料口、上盖组件、新风法兰、钨钴合金管组、超尺寸料出口和合格料出口。
9、本专利技术还公开了一种多晶硅材料水淬爆后的破碎方法，包括如下步骤：
10、步骤1：多晶硅材料先进入一级破碎设备中破碎处理；
11、步骤2：破碎后的晶硅料进入输送布料设备中进行输送；
12、步骤3：输送布料设备将破碎后的晶硅料输送至冷却输送线上；
13、步骤4：破碎后的硅料经过冷却输送线的冷却后进入单层筛；
14、同时，经过单层筛对硅料尺寸进行筛选，超尺寸的晶硅料进入二级破碎设备，合格尺寸的晶硅料进入筛分设备。
15、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
16、该破碎方法中多晶硅材料先经过一级破碎设备进行预破碎处理，后通过二级破碎设备进行二次破碎处理，整体破碎的效果好，破碎效率高，破碎时间短，粒径分布均匀，有效降低了晶硅棒料与破碎设备重复挤压、棒料与棒料之间重复挤压的过程，降低了粉料的增加，降低了破碎设备的磨损，控制了表金属的增加，同时经过一级破碎设备处理后硅料较小的比表面积也降低了环境对硅料的污染，控制了表金属的增加，解决了人工辅助处理效率低下以及装袋水雾的问题，能够满足大规模生产的需要，而且提高了自动化程度，减低了单位成本，降低了粉料率，降低了表金属增加值，确保了硅料的低含水率；
17、本专利技术设有一级破碎设备和二级破碎设备，通过一级破碎设备和二级破碎设备对多晶硅材料水淬爆及应力释放处理后进行破碎处理，整体破碎的效果好，破碎效率高，破碎时间短，粒径分布均匀，有效降低了晶硅棒料与破碎设备重复挤压、棒料与棒料之间重复挤压的过程；
18、本专利技术还设有单层筛分装置设备，通过单层筛分装置对一级破碎设备处理后硅块进行初筛，确保尺寸合格硅料经过合格料溜道流入筛分设备，超尺寸的晶硅料进入二级破碎设备，避免尺寸合格硅料直接进入二级破碎设备进行重复破碎，增加粉料率与表渣污染。
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1.一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置，包括一级破碎设备（1）、设置在所述一级破碎设备（1）下方的输送布料设备（2）以及设置在冷却输送线（3）右侧的单层筛分设备（4）、设置在所述筛分设备（4）右侧的二级破碎设备（5）；
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置，其特征在于：所述冷却输送线（3）的右端设置有单层筛分装置（4），且单层筛分装置（4）的右端设置有二级破碎设备（5），二级破碎设备（5）设置在单层筛分装置（4）与筛分设备（6）之间；
3.一种多晶硅材料水淬爆后的破碎方法，其特征在于，包括如下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅材料水淬爆后的破碎装置，包括一级破碎设备（1）、设置在所述一级破碎设备（1）下方的输送布料设备（2）以及设置在冷却输送线（3）右侧的单层筛分设备（4）、设置在所述筛分设备（4）右侧的二级破碎设备（5）；
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅材料水淬爆...
【专利技术属性】
技术研发人员：余洋，杨虎，
申请(专利权)人：自贡熙晟智造科技发展有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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