【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路封装测试领域，涉及一种引线框架镀银层去除及其键合方法。
技术介绍
1、半导体封装所用的引线框架基材为铜，但是铜容易氧化不利于封装键合，因此，通常会在特定的区域镀覆有镀银层。镀银层主要用作键合区域，实现芯片键合焊盘与引线框架镀银键合区域的互连，完成芯片与引线框架的电气连接。在引线框架制作环节，镀银需要专用的镀银掩膜模具，为了实现引线框架应对各种键合图的通用性，镀银掩膜模具开窗较大，导致镀银区域比较大，常见有载体全镀银、双环镀银、单环镀银等区域模式。此外还有点区域镀银，即在需要键合的区域进行镀银，镀银区域略大于键合所需的面积。点区域镀银需要专用的镀银掩膜模具，通用性不强。在封装工艺过程中，不同的键合图对镀银区要求不一样，通常存在镀银区域过大的问题，即镀银层键合区域明显小于镀银层的面积。
2、镀银层的区域面积过大，不利于半导体封装塑封器件的可靠性，主要是因为塑粉料与镀银层的结合力约是塑粉料与引线框架铜基材结合力的50％。对于载体全镀银引线框架，框架载体表面全部镀银、框架内引线尖端镀银，镀银区域的面积占据塑封体内框架总面积的40％以上，对塑封器件的可靠性产生不利影响。在军工、汽车等高可靠塑封领域，为了尽量降低镀银区域面积以提升塑封器件整体可靠性，通常定制化进行点区域镀银设计。
3、点区域镀银框架制作的具体技术为：(1)根据键合图确定引线框架需要镀银的区域位置，设计需要点区域镀银的图纸；(2)根据点区域镀银的设计图纸制作镀银掩膜模具；(3)在镀银环节，采用定制的点区域镀银掩膜模具覆盖在引
4、目前行业内缺乏有效地去除引线框架镀银层的方法，只能在制作引线框架时按照需求制作特定镀银层图案的引线框架。对于点区域镀银方法，存在的主要问题为：(1)定制化属性太强，不能实现普通镀银框架向点区域镀银框架的转化；(2)成本高，需要提前准备特定的镀银掩膜模具；(3)周期长，点区域镀银设计以及特定镀银掩膜模具的生产加工，增加了框架的加工周期。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种引线框架镀银层去除及其键合方法，以解决现有技术中点区域镀银框架定制化属性强、成本高、周期长等问题。
2、本专利技术通过以下技术方案实现：
3、一种引线框架镀银层去除方法，包括：
4、s1，根据键合图，确定引线框架表面需要保留的镀银层键合区域；
5、s2，对引线框架表面除镀银层键合区域外的镀银区域进行激光烧蚀；
6、s3，对s2得到的引线框架进行去氧化处理，然后进行清洗。
7、优选的，s1中，所述镀银层键合区域按照长方形或正方形设定，宽度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下，长度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下。
8、优选的，s2中，所述激光烧蚀采用的激光为紫外激光。
9、进一步的，s2中，所述紫外激光的波长为355nm。
10、优选的，s2中，所述激光烧蚀采用的功率为20w～40w。
11、优选的，s2中，所述激光烧蚀的速率为600mm/s～1200mm/s。
12、优选的，s3中，所述对s2得到的引线框架进行去氧化处理具体为：将s2得到的引线框架在去氧化溶液中浸泡处理。
13、进一步的，所述去氧化溶液为80g/l～120g/l的过硫酸钠溶液，浸泡温度为30℃～40℃。
14、优选的，还包括：s4，将s3得到的引线框架置于室温下的保护水溶液中进行防变色处理，得到局部镀银层去除的引线框架。
15、本专利技术提供一种引线框架键合方法，包括：将如上所述的引线框架镀银层去除方法得到的引线框架进行粘接芯片、固化烘烤，将键合丝一端与芯片焊盘键合，再将键合丝另一端键合在引线框架上镀银层键合区域的中心位置。
16、与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
17、本专利技术按照封装键合图所需的键合面积确定预留的镀银层键合区域，通过激光烧蚀的方法对预留的镀银层键合区域之外的其他镀银区域进行烧蚀，去除非必要的镀银区域，实现定制化镀银区域引线框架的制备，达到点区域镀银框架的效果。本专利技术方法可以在快速、简易实现普通载体全镀银、环镀银引线框架变为点区域镀银框架的同时，降低传统点区域镀银框架定制化属性强、成本高、周期长等问题。本专利技术形成的引线框架，键合区域与镀银区位置相匹配，键合时，键合点正好在预留的镀银层键合区域内，减少了镀银区域总面积，提升塑封器件内部塑粉料与框架的结合力，提升塑封器件的可靠性，适合小批量、多种类的高可靠塑封器件定制化封装。本专利技术激光烧蚀去除镀银层的同时，对烧灼区域的铜基层产生氧化反应，氧化的铜层会降低其与塑粉料的结合力、影响器件可靠性，本专利技术通过去氧化处理去除激光烧蚀产生的氧化铜，避免了氧化铜对结合力的影响。
18、进一步的，考虑镀银层的反射特性，本专利技术选择紫外激光进行引线框架镀银层激光烧蚀，可以提高烧蚀效果。
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1.一种引线框架镀银层去除方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S1中，所述镀银层键合区域按照长方形或正方形设定，宽度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下，长度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下。
3.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S2中，所述激光烧蚀采用的激光为紫外激光。
4.根据权利要求3所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S2中，所述紫外激光的波长为355nm。
5.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S2中，所述激光烧蚀采用的功率为20w～40w。
6.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S2中，所述激光烧蚀的速率为600mm/s～1200mm/s。
7.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，S3中，所述对S2得到的引线框架进行去氧化处理具体为：将S2得到的引线框架在去氧化溶液中浸泡处理。
8.根据权利要求7所述的引线框架镀银层去除方法，其
9.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，还包括：S4，将S3得到的引线框架置于室温下的保护水溶液中进行防变色处理，得到局部镀银层去除的引线框架。
10.一种引线框架键合方法，其特征在于，包括：将权利要求1～9任一项所述的引线框架镀银层去除方法得到的引线框架进行粘接芯片、固化烘烤，将键合丝一端与芯片焊盘键合，再将键合丝另一端键合在引线框架上镀银层键合区域的中心位置。
...【技术特征摘要】
1.一种引线框架镀银层去除方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s1中，所述镀银层键合区域按照长方形或正方形设定，宽度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下，长度为框架键合点同方向尺寸的2倍以上且5倍以下。
3.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s2中，所述激光烧蚀采用的激光为紫外激光。
4.根据权利要求3所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s2中，所述紫外激光的波长为355nm。
5.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s2中，所述激光烧蚀采用的功率为20w～40w。
6.根据权利要求1所述的引线框架镀银层去除方法，其特征在于，s2中，所述激光烧蚀的速率为600mm/s～1200m...
【专利技术属性】
技术研发人员：周少明，达旭娟，刘江，
申请(专利权)人：郑州兴航科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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