【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及半导体封装方法、半导体封装件及电子设备。
技术介绍
1、随着摩尔定律逐步达到极限，大量行业巨头暂停了7nm以下工艺的研发，转而将目光投向先进封装领域。其中重布线先行(rdlfirst)工艺作为先进封装技术的重要组成部分，其是在玻璃载片上完成重布线后进行芯片倒装，可以实现更小的线宽线距和更高的封装良率。
2、rdlfirst工艺流程虽有较佳的良率优势，但是无论在机台、材料、治具上都有着高成本，其中，玻璃载板相关制程(例如激光环切、激光解键合和清洗再利用)占据相当大比重的成本，且伴随很多工艺难点和挑战。相关技术中，通过使用其他载板代替玻璃载板，采用研磨工艺去除载板，但在研磨过程中会损坏重布线层，进而影响连接可靠性，导致封装良率降低。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种半导体封装方法、半导体封装件及电子设备。
2、第一方面，本公开提供了一种半导体封装方法，包括：
3、提供载板并在载板一侧形成导电体；
4、形成第一塑封层；所述第一塑封层填充于所述导电体之间的间隙中，还覆盖所述载板未被占据的表面；
5、在所述第一塑封层背离所述载板的一侧形成重布线层；所述重布线层与所述导电体电连接；
6、提供半导体器件并将所述半导体器件附接至所述重布线层；
7、形成第二塑封层；所述第二塑封层包裹所述半导体器件；
8、去除所述载板，暴露出所
9、在所述导电体背离所述重布线层的一侧形成第一连接端子；所述第一连接端子与所述导电体电连接。
10、可选地，所述载板包括硅载板或有机载板；所述去除所述载板，包括：
11、采用研磨方式去除所述载板。
12、可选地，所述载板包括金属载板；所述去除所述载板，包括：
13、采用化学液刻蚀或加热方式去除所述载板。
14、可选地，所述在载板一侧形成导电体之前，所述半导体封装方法还包括：
15、在所述载板一侧形成阻挡层；
16、所述去除所述载板，暴露出所述导电体，包括：
17、去除所述载板，暴露出所述阻挡层；
18、去除所述阻挡层，暴露出所述导电体。
19、可选地，所述阻挡层包括金属阻挡层；所述去除所述阻挡层包括：
20、采用等离子轰击工艺去除所述阻挡层。
21、可选地，所述阻挡层包括非金属阻挡层；所述去除所述阻挡层包括：
22、采用研磨方式去除所述阻挡层。
23、可选地，所述导电体包括金属凸块；所述在载板一侧形成导电体，包括：
24、在所述载板一侧涂覆光刻胶层；
25、形成贯穿光刻胶层的通孔；
26、在所述通孔中形成所述导电体；
27、去除所述光刻胶层；
28、所述形成第一塑封层，包括：
29、在所述载板的一侧形成所述第一塑封层；所述第一塑封层包裹所述导电体且覆盖所述载板未被占据的表面；
30、对所述第一塑封层进行减薄，直至所述第一塑封层背离所述载板的一侧表面暴露出所述导电体。
31、可选地，沿第一方向，所述金属凸块的高度h满足：10μm≤h≤130μm；
32、沿第二方向，所述金属凸块的直径d满足：20μm≤h≤80μm；
33、其中，所述第一方向垂直于所述载板所在平面，所述第二方向与所述第一方向垂直。
34、第二方面，本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件是通过上述任一种半导体封装方法进行封装的。
35、第三方面，本公开还提供了一种电子设备，包括：上述半导体封装件。
36、本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
37、本公开提供的一种半导体封装方法、半导体封装件及电子设备，该半导体封装方法包括：提供载板并在载板一侧形成导电体；形成第一塑封层；第一塑封层填充于导电体之间的间隙中，还覆盖载板未被占据的表面；在第一塑封层背离载板的一侧形成重布线层；重布线层与导电体电连接；提供半导体器件并将半导体器件附接至重布线层；形成第二塑封层；第二塑封层包裹半导体器件；去除载板，暴露出导电体；在导电体背离重布线层的一侧形成第一连接端子；第一连接端子与导电体电连接。由此，在该半导体封装方法中，通过在重布线层与载板之间形成导电体，防止在去除载板时损坏重布线层，有利于提高封装良率；同时不需要再进行玻璃载板的清洁再利用，取消了激光环切和激光解键合制程，即不需要使用激光环切机台和激光解键合机台、玻璃载板和键合胶层，有利于降低成本。
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1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述载板包括硅载板或有机载板；所述去除所述载板，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述载板包括金属载板；所述去除所述载板，包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在载板一侧形成导电体之前，所述半导体封装方法还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述阻挡层包括金属阻挡层；所述去除所述阻挡层包括：
6.根据权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述阻挡层包括非金属阻挡层；所述去除所述阻挡层包括：
7.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电体包括金属凸块；所述在载板一侧形成导电体，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，
9.一种半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件是通过如权利要求1-8任一项所述的半导体封装方法进行封装的。
10.一种电子设备，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述载板包括硅载板或有机载板；所述去除所述载板，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述载板包括金属载板；所述去除所述载板，包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在载板一侧形成导电体之前，所述半导体封装方法还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述阻挡层包括金属阻挡层；所述去除所述阻挡层包...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾人杰，
申请(专利权)人：上海易卜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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