【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示，涉及一种硅基oled，特别是一种oled显示结构及制作方法。
技术介绍
1、oled性能要求逐步提高来匹配不同终端应用场景，其中最主要的指标就是亮度和光均匀性、对比度，在现有材料发光效率提升技术瓶颈下，通过结构的优化来提升是现阶段最有效直接的提升方式。
2、由于阳极像素之间间隙是一个无效不发光pitch区，就会存在一定的光明暗不均匀性问题，可以进行结构的优化。同样当采用单色发光亮度比较高，因为结构中金属材料存在一定反射环境的光线，会一定程度上影响对比度。
3、现有技术在反射率、亮度、均匀性和对比度等显示效果的综合性上仍需要进一步提升。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种oled显示结构及制作方法。
2、本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；所述cmos ic层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述cmos ic层，所述反光介质层顶面铺设阳极层；所述阳极层为al和ito材质经过剥离存在间隙pitch；所述阳极层上铺设发光层，所述发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、eml发光叠层、电子传输层和电子注入层；所述空穴注入层的底面贴覆所述阳极层，所述电子注入层上铺设阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层的顶面覆盖棱镜lens层；所述棱镜len
3、一种oled显示结构的制作方法，所述制作方法应用于上述的oled显示结构，所述制作方法包括以下步骤：
4、s1制作cmos ic层：将硅基板清洁干净后，依次采用光刻工艺和蚀刻工艺在硅基板上制作cmos ic层，作为单独控制对应像素阳极空穴传输的开关器；
5、s2制作反射层：
6、a、依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作反光膜层；反光膜层的涂料中含有镁和银；
7、b、在反光膜层上依次经过旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作反光介质层；反光介质层材质选用具有不导电性且具有反光性的材质，可有效将阳极pitch向下发光和透过的阳极层光线反射向上，提升发光的利用率，反射层的反射率达到95％以上。
8、s3制作阳极层：依次通过蒸镀ito工艺和al蒸镀工艺，制作阳极层；
9、s4制作发光层：采用高精度掩膜版对有机材料进行蒸镀，制作发光层；
10、s5制作阴极层：采用高精度掩膜版对阴极材料进行蒸镀，阴极材料为镁、银和镥的混合物，得到阴极材料层；蒸镀结束后，采用三甲基铝和水作为材料，在阴极材料层上采用原子层沉积技术，制作氧化铝膜层后，完成阴极层制作；
11、s6覆盖棱镜lens层：依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺，在阴极层的氧化铝膜层上制作整面棱镜lens层；
12、s7覆盖上扩散层：依次采用旋涂工艺和涂布工艺在棱镜lens层上制作整面上扩散层；
13、所述光学扩散层是由氨丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷的水解缩聚反应，制出有机硅微球前驱体内核，进一步在其表面原位生长纳米zno/ceo2/al2o3，并利用戊二醛中间体与氨基的化学交联作用，使核壳型光扩散微球与聚氨酯丙烯酸酯发生接枝共聚，进而显著提高光扩散层的稳定性；表面生长一层随机分散的微米结构的扩散粒子，使光线经由扩散层发生多次折射、反射及绕射现象，以修正光线成均匀面光源，达到光学扩散的效果，让光显示更加均匀柔和，从而达到改善pitch亮暗不均匀性光学问题；
14、由于纳米zno/ceo2/al2o3在有机硅微球表面不均一分布，使光线投射入光上扩散层时，发生不同角度、不同方向的折射及漫反射现象，显著提高扩散膜对可见光的扩散性能，对可见光的透过率达98％以上，紫外光透过率低于12％，400nm～460nm短波蓝光透过率低于15％。
15、s8覆盖彩膜层：
16、r色彩膜像素点制作：在阳极cd位置依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作r色彩膜；
17、b色彩膜像素点制作：在与r色彩膜相邻的阳极cd位置，依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作b色彩膜；
18、g色彩膜像素点制作：在与b色彩膜相邻的阳极cd位置,依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作g色彩膜；
19、s9覆盖光学膜层：采用旋涂或印刷转印方式在彩膜层上整面制作一层pva膜层，再采用旋涂或印刷转印方式在pva膜层上整面制作一层tac膜层作为保护层，完成光学膜层制作。
20、光学膜层有效抵抗环境光、减少显示方面的干扰，可以提升对比度，测试对比度能提升3～5倍，其中亮度越大提升比例也大。
21、一种oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；所述cmos ic层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述cmosic层，所述反光介质层顶面铺设阳极层；所述阳极层为al和ito材质经过剥离存在间隙pitch；所述阳极层上铺设发光层，所述发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、eml发光叠层、电子传输层和电子注入层；所述空穴注入层的底面贴覆所述阳极层，所述电子注入层上铺设阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层的顶面覆盖第一棱镜lens层；所述第一棱镜lens层上覆盖上扩散层，所述上扩散层上覆盖彩膜层，所述彩膜层依次由r色彩膜像素点、b色彩膜像素点、g色彩膜像素点间隔排布形成；所述彩膜层上覆盖第二棱镜lens层，所述第二棱镜lens层上覆盖光学膜层。
22、一种oled显示结构的制作方法，所述制作方法应用于上述的oled显示结构，所述制作方法包括以下步骤：
23、s1制作cmos ic层：将硅基板清洁干净后，依次采用光刻工艺和蚀刻工艺在硅基板上制作cmos ic层，作为单独控制对应像素阳极空穴传输的开关器；
24、s2制作反射层：
25、a、依次采用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作反光膜层；反光膜层的涂料中含有镁和银；
26、b、在反光膜层上依次经过旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺制作反光介质层；反光介质层材质选用具有不导电性且具有反光性的材质，可有效将阳极pitch向下发光和透过的阳极层光线反射向上，提升发光的利用率，反射层的反射率达到95％以上。
27、s3制作阳极层：依次通过蒸镀ito工艺和al蒸镀工艺，制作阳极层；
28、s4制作发光层：采用高精度掩膜版对有机材料进行蒸镀，制作发光层；
29、s5制作阴极层：采用高精度掩膜版对阴极材料进行蒸镀，阴极材料为镁、银和镥的混本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种OLED显示结构，包括位于底部的CMOS IC层；其特征在于，所述CMOS IC层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述CMOS IC层，所述反光介质层顶面铺设阳极层；所述阳极层为Al和ITO材质经过剥离存在间隙Pitch；所述阳极层上铺设发光层，所述发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、EML发光叠层、电子传输层和电子注入层；所述空穴注入层的底面贴覆所述阳极层，所述电子注入层上铺设阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层的顶面覆盖棱镜Lens层；所述棱镜Lens层上覆盖上扩散层，所述上扩散层上覆盖彩膜层，所述彩膜层依次由R色彩膜像素点、B色彩膜像素点、G色彩膜像素点间隔排布形成；所述彩膜层上覆盖光学膜层。
2.一种OLED显示结构的制作方法，所述制作方法应用于如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
3.一种OLED显示结构，包括位于底部的CMOS IC层；其特征在于，所述CMOS IC层上铺设反射层，所述反射层包括由
4.一种OLED显示结构的制作方法，所述制作方法应用于如权利要求3所述的OLED显示结构，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
5.如权利要求2或4所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S2的反光膜层的厚度为反光介质层的厚度为在步骤S3中，阳极层的厚度为在步骤S4中，发光层的厚度2000-2900nm；在步骤S5中，阴极材料层的厚度为氧化铝膜层的厚度为
6.如权利要求2或4所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，所述氧化铝膜层的制备过程如下：
7.如权利要求2所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S6中，棱镜Lens层的厚度为1200-3500nm；在步骤S7中，上扩散层的厚度为600-2500nm；在步骤S8中，R色彩膜的厚度为700-1500nm；B色彩膜的厚度为700-1500nm；G色彩膜的厚度为700-1500nm。
8.如权利要求4所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S6中，第一棱镜Lens层的厚度为1200-3500nm；在步骤S7中，上扩散层的厚度为600-2500nm；在步骤S8中，R色彩膜的厚度为700-1500nm；B色彩膜的厚度为700-1500nm；G色彩膜的厚度为700-1500nm；在步骤S9中，第二棱镜Lens层的厚度为2000-3000nm。
9.如权利要求2所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S9中，光学膜层中PVA膜层和TAC膜层的厚度为500-1000nm；PVA膜层为聚乙烯醇，聚乙烯醇具有碳氢氧轻原子；TAC膜层的成份为三醋酸纤维素薄膜。
10.如权利要求4所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，在步骤S10中，光学膜层中PVA膜层和TAC膜层的厚度为500-1000nm；PVA膜层为聚乙烯醇，聚乙烯醇具有碳氢氧轻原子；TAC膜层的成份为三醋酸纤维素薄膜。
...【技术特征摘要】
1.一种oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；其特征在于，所述cmos ic层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述cmos ic层，所述反光介质层顶面铺设阳极层；所述阳极层为al和ito材质经过剥离存在间隙pitch；所述阳极层上铺设发光层，所述发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、eml发光叠层、电子传输层和电子注入层；所述空穴注入层的底面贴覆所述阳极层，所述电子注入层上铺设阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层的顶面覆盖棱镜lens层；所述棱镜lens层上覆盖上扩散层，所述上扩散层上覆盖彩膜层，所述彩膜层依次由r色彩膜像素点、b色彩膜像素点、g色彩膜像素点间隔排布形成；所述彩膜层上覆盖光学膜层。
2.一种oled显示结构的制作方法，所述制作方法应用于如权利要求1所述的oled显示结构，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
3.一种oled显示结构，包括位于底部的cmos ic层；其特征在于，所述cmos ic层上铺设反射层，所述反射层包括由下向上叠置的反光膜层和反光介质层；所述反光膜层的底面贴覆所述cmos ic层，所述反光介质层顶面铺设阳极层；所述阳极层为al和ito材质经过剥离存在间隙pitch；所述阳极层上铺设发光层，所述发光层包括由下向上叠置的空穴注入层、空穴传输层、eml发光叠层、电子传输层和电子注入层；所述空穴注入层的底面贴覆所述阳极层，所述电子注入层上铺设阴极层，所述阴极层包括由下向上叠置的阴极材料层和氧化铝膜层；所述氧化铝膜层的顶面覆盖第一棱镜lens层；所述第一棱镜lens层上覆盖上扩散层，所述上扩散层上覆盖彩膜层，所述彩膜层依次由r色彩膜像素点、b色彩膜像素点、g色彩膜像素点间隔排布形成；所述彩膜层上覆盖第二棱镜lens层，所述第二棱镜lens层上覆盖光学膜层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：施国良，邓荣斌，孙浩，周广东，梁昌良，
申请(专利权)人：广西自贸区睿显科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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