【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳制造，涉及一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法。
技术介绍
1、在微纳制造过程中，晶圆经过光刻、刻蚀、注入、氧化等工艺实现多层次的加工和结构的复杂组合，其中干法刻蚀作为晶圆图形化的主要工序，原理是辉光放电将反应气体电离产生等离子，被刻蚀物质与等离子发生物理、化学反应从而被去除，由于干法刻蚀过程中大量高能粒子轰击晶圆表面会造成晶圆表面温度升高而影响刻蚀形貌，因此需对晶圆固定并在晶圆背面吹扫氦气以散热。
2、早期固定晶圆使用机械夹持的方式，这种方式存在wafer edge不均一、机械运动引起颗粒的问题，为了解决机械夹持的缺点，专利技术了静电吸附的吸附方式，esc-electrostatic chuck。esc- electrostatic chucking利用电容两个电极板的库伦引力来固定晶圆，这种晶圆正面无接触的固定方式解决了机械夹持的wafer edge不均一和颗粒问题。esc- electrostatic chucking方式好处明显但需额外增加dechucking过程以解除esc对晶圆的吸附，此过程需对晶圆表面施加惰性气体（氩气）等离子轰击以减少或消除静电吸附力，从而使样品可以轻松地从夹持装置上解除。但氩气等离子携带能量较高，在dechucking过程中与光刻胶表面发生碰撞时会导致部分碳原子溢出光刻胶表面并与周围原子发生碳化反应，形成致密的碳化层。同时氩气电离时会发出紫外光，紫外光与光刻胶发生解离或交联反应，产生的氮气被碳化层束缚在光刻胶内，由于腔体中的压力极低，生成的氮气会在光刻胶内外形成一定压
3、专利公开号为us6207353b1中公开了一种采用改变光刻胶成分以减少刻蚀后起泡，具体做法为：改变三元共聚物中的4-羟基苯乙烯、苯乙烯和丙烯酸叔丁酯比例，从而增加光刻胶与衬底材质的粘附性，使刻蚀后不易起泡。但该方法局限大、成本高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了弥补现有技术的不足，提供一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，该方法工艺简单、成本低廉、安全高效。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
3、一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，包括晶圆刻蚀后dechucking工艺，其特征在于：在dechucking的反应气体氩气中添加氧气，工艺参数设置为：氩气量300-400sccm，氧气流量10-30sccm，反应压力150-250mt，射频功率200-300w，工艺时间30-60s。
4、进一步，所述晶圆刻蚀所用组件为射频电源、射频电极和e-chuck。
5、进一步，所述氩气量320-350sccm，氧气流量10-15sccm，反应压力200-250mt，射频功率250-300w，工艺时间30-45s。
6、进一步，所述氩气量350-400sccm，氧气流量15-25sccm，反应压力180-200mt，射频功率250-300w，工艺时间45-55s。
7、本专利技术所述的解决刻蚀后光刻胶起泡的方法，其原理是：在dechucking过程中新增氧气，氧气电离时发出可见光线，该可见光线与氩气电离产生的紫外光线相互吸收放射，削弱氩气的紫外光线，从而降低dechucking过程中紫外线与光刻胶的反应，减少氮气的产生，进而避免光刻胶起泡；同时电离后的氧离子还会与光刻胶表面发生反应，去掉光刻胶表面的碳化层，使残余氮气能够溢出，达到解决刻蚀后光刻胶起泡的目的。
8、本专利技术的有益效果是：本专利技术所述的方法可有效解决刻蚀后光刻胶起泡的问题，解决起泡所带来的晶圆表观损伤；此方法工艺简单，成本低廉，无新增工序，可靠性极高，保证了器件表观。
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1.一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，包括晶圆刻蚀后Dechucking工艺，其特征在于：在Dechucking的反应气体氩气中添加氧气，工艺参数设置为：氩气量300-400sccm，氧气流量10-30sccm，反应压力150-250mT，射频功率200-300W，工艺时间30-60s。
2.根据权利要求1所述一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，其特征在于：所述氩气量320-350sccm，氧气流量10-15sccm，反应压力200-250mT，射频功率250-300W，工艺时间30-45s。
3.根据权利要求1所述一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，其特征在于：所述氩气量350-400sccm，氧气流量15-25sccm，反应压力180-200mT，射频功率250-300W，工艺时间45-55s。
4.根据权利要求1-3任一相所述一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，其特征在于：所述晶圆刻蚀所用组件为射频电源、射频电极和E-chuck。
【技术特征摘要】
1.一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，包括晶圆刻蚀后dechucking工艺，其特征在于：在dechucking的反应气体氩气中添加氧气，工艺参数设置为：氩气量300-400sccm，氧气流量10-30sccm，反应压力150-250mt，射频功率200-300w，工艺时间30-60s。
2.根据权利要求1所述一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，其特征在于：所述氩气量320-350sccm，氧气流量10-15sccm，反应压力...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋吉递，常赟，冯乾坤，
申请(专利权)人：安徽北方微电子研究院集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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