【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法及装置。
技术介绍
1、半导体光电子领域，vcsel（垂直腔面发射激光器）芯片因其卓越的性能和广泛的应用前景，成为研究的热点。刻蚀技术作为vcsel芯片制造的关键步骤，直接影响着芯片的性能和成品率。现有vcsel芯片刻蚀工艺控制方法多依赖于预设参数和操作者的经验，通过设定刻蚀时间、功率、气体流量等参数实现对刻蚀过程的控制。然而，参数的静态设定难以应对不同芯片和刻蚀层的差异，导致刻蚀效果一致性差；另一方面，参数间复杂的耦合关系使得工艺优化困难，难以实现对刻蚀过程的精确控制，导致刻蚀质量波动大，影响了vcsel芯片的成品率和性能。
技术实现思路
1、本申请提供了vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法及装置，解决了现有刻蚀工艺控制采用固定工艺参数设定，难以根据不同芯片和刻蚀层的差异灵活调整刻蚀工艺过程，导致刻蚀效果一致性差的技术问题，达到了提高vcsel芯片刻蚀的精确度和产品一致性的技术效果。
2、鉴于上述问题，一方面，本申请提供了vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，所述方法包括：根据芯片生产端，接收vcsel芯片刻蚀任务，其中，所述vcsel芯片刻蚀任务包括待刻蚀vcsel芯片，以及所述待刻蚀vcsel芯片对应的芯片刻蚀目标层和芯片刻蚀质量约束；根据所述芯片刻蚀目标层对应的刻蚀目标层信息对vcsel芯片刻蚀工艺因子进行配准关联，建立vcsel芯片刻蚀控制配准空间；基于所述刻蚀目标层信息，根据所述芯片刻蚀质量约束对所
3、另一方面，本申请还提供了vcsel芯片刻蚀工艺质量控制装置，所述装置包括：任务接收单元，所述任务接收单元用于根据芯片生产端，接收vcsel芯片刻蚀任务，其中，所述vcsel芯片刻蚀任务包括待刻蚀vcsel芯片，以及所述待刻蚀vcsel芯片对应的芯片刻蚀目标层和芯片刻蚀质量约束；配准关联单元，所述配准关联单元用于根据所述芯片刻蚀目标层对应的刻蚀目标层信息对vcsel芯片刻蚀工艺因子进行配准关联，建立vcsel芯片刻蚀控制配准空间；刻蚀决策单元，所述刻蚀决策单元用于基于所述刻蚀目标层信息，根据所述芯片刻蚀质量约束对所述vcsel芯片刻蚀控制配准空间进行刻蚀决策，生成满足预定刻蚀决策容量的vcsel芯片刻蚀决策空间；工艺寻优单元，所述工艺寻优单元用于根据芯片刻蚀质量适应度函数对所述vcsel芯片刻蚀决策空间进行寻优分析，获得vcsel芯片刻蚀寻优工艺；寻优工艺执行单元，所述寻优工艺执行单元用于根据所述vcsel芯片刻蚀寻优工艺对所述待刻蚀vcsel芯片进行刻蚀。
4、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
5、根据芯片生产端，接收vcsel芯片刻蚀任务，其中，所述vcsel芯片刻蚀任务包括待刻蚀vcsel芯片，以及所述待刻蚀vcsel芯片对应的芯片刻蚀目标层和芯片刻蚀质量约束。这一步为后续工艺参数的设定提供了具体的目标和标准，明确工艺控制导向。根据所述芯片刻蚀目标层对应的刻蚀目标层信息对vcsel芯片刻蚀工艺因子进行配准关联，建立vcsel芯片刻蚀控制配准空间。这一步提高了工艺参数的针对性和适用性，为后续的优化决策提供了一个结构化的参数空间。基于所述刻蚀目标层信息，根据所述芯片刻蚀质量约束对所述vcsel芯片刻蚀控制配准空间进行刻蚀决策，生成满足预定刻蚀决策容量的vcsel芯片刻蚀决策空间，这一步实现了工艺参数的最优化组合，确保刻蚀过程既符合质量约束，又达到最佳效率。根据芯片刻蚀质量适应度函数对所述vcsel芯片刻蚀决策空间进行寻优分析，获得vcsel芯片刻蚀寻优工艺。这一步从决策空间中确定最优的vcsel芯片刻蚀工艺，确保刻蚀质量达到最高标准。根据所述vcsel芯片刻蚀寻优工艺对所述待刻蚀vcsel芯片进行刻蚀。
6、综上所述，本申请通过逐步细化的控制策略和优化算法，实现了对vcsel芯片刻蚀工艺的精确控制，确保刻蚀工艺参数与特定芯片的需求相匹配，显著提升了vcsel芯片刻蚀的准确度和产品一致性。
7、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
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1.VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，根据所述芯片刻蚀目标层对应的刻蚀目标层信息对VCSEL芯片刻蚀工艺因子进行配准关联，建立VCSEL芯片刻蚀控制配准空间，包括：
3.如权利要求2所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，判断所述芯片刻蚀目标层是否为单一刻蚀目标层，包括：
4.如权利要求1所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，基于所述刻蚀目标层信息，根据所述芯片刻蚀质量约束对所述VCSEL芯片刻蚀控制配准空间进行刻蚀决策，生成满足预定刻蚀决策容量的VCSEL芯片刻蚀决策空间，包括：
5.如权利要求4所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，基于所述刻蚀目标层信息和所述第一VCSEL芯片刻蚀方案，根据刻蚀质量预测模型，获得第一刻蚀质量预测结果，包括：
6.如权利要求1所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，根据芯片刻蚀质量适应度函数对所述VCSEL芯片刻蚀决策空间进行寻
7.如权利要求1所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，所述芯片刻蚀质量适应度函数为：
8.VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制装置，其特征在于，所述装置用于执行权利要求1-7任一项所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，所述装置包括：
...【技术特征摘要】
1.vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，根据所述芯片刻蚀目标层对应的刻蚀目标层信息对vcsel芯片刻蚀工艺因子进行配准关联，建立vcsel芯片刻蚀控制配准空间，包括：
3.如权利要求2所述的vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，判断所述芯片刻蚀目标层是否为单一刻蚀目标层，包括：
4.如权利要求1所述的vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，基于所述刻蚀目标层信息，根据所述芯片刻蚀质量约束对所述vcsel芯片刻蚀控制配准空间进行刻蚀决策，生成满足预定刻蚀决策容量的vcsel芯片刻蚀决策空间，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：周莉，唐杰，胡世棋，杨陈浩，顾志强，
申请(专利权)人：江苏永鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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