【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器，特别是一种存储单元的读写控制方法。
技术介绍
1、在对铁电存储器的存储单元进行读写操作时，为了保证数据的准确性，一般都是先读后写。如果写入的数据跟读出的数据一致，这个过程称为回写；如果写入的数据与读出来的数据不一致，这个过程称为反数据写。对于2t2c类型的铁电存储单元来说，从铁电电容读取数据时，需将字线设置为高电平，使得两个mos管打开，并通过板线将铁电电容的顶板从低电平拉到高电平，使两个铁电电容的底板之间生成一个电压差，这个电压差经位线被后续电路放大进而被读出。
2、铁电电容的写数据操作又分为写数据“0”和写数据“1”，写“0”时，铁电电容的顶板为高电平，底板为低电平；写“1”时，铁电电容的顶板为低电平，底板为高电平。为避免连接铁电电容顶板的板线电压来回切换，增加开关损耗，读完数据后一般是先写数据“0”后写数据“1”。因为回写与反数据写的时间相同，但是由于回写过程由于没有反数据，其写“0”的有效时间相比于反数据写更长。如图1所示，为现有技术中铁电电容的读写时序图，在写操作中，回写与反数据写的总时间相同，但是在反数据写的过程中，存在反数据的过程(图1中时间t内的这个过程)，故而在反数据写的过程中，写数据“0”的有效时间要比回写过程中写数据“0”的时间要短。而铁电电容写数据“0”的时间前后或之间不一致会出现铁电存储器存储的数据不稳定问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术中存在的问题，提出了本专利技术，本专利技术提供一种存储单元的读写控制方法、提升
2、为达到上述目的，第一方面，本专利技术提供一种存储单元的读写控制方法，其包括，在写入操作之前将所述存储单元中电容的第一极板设置为第一电平；所述第一电平与读取操作后的所述电容的第二极板的第二电平状态相同。
3、作为本专利技术所述存储单元的读写控制方法的一种优选方案，其中：当所述电容写入数据为0时，所述第一电平小于第二电平；当所述电容写入数据为1时，所述第一电平大于第二电平。
4、作为本专利技术所述存储单元的读写控制方法的一种优选方案，其中：在回写数据0时，调节所述电容的所述第一电平以使其小于所述第二电平；在回写数据1时，调节所述电容的所述第二电平以使其小于所述第一电平。
5、作为本专利技术所述存储单元的读写控制方法的一种优选方案，其中：在反数据写数据0时，调节所述电容的所述第一电平以使其小于所述第二电平；在反数据写数据1时，调节所述电容的所述第二电平以使其小于所述第一电平。
6、作为本专利技术所述存储单元的读写控制方法的一种优选方案，其中：所述存储单元为2t2c结构，在所述写入操作之前将所述存储单元中各个电容的第一极板均设置为第一电平。
7、第二方面，本专利技术提供一种用于提升存储器稳定性的方法，其包括，将所述存储器中的存储单元采用上述的读写控制方法进行读写控制。
8、作为本专利技术所述用于提升存储器稳定性的方法的一种优选方案，其中：所述存储单元为2t2c结构，在写入操作之前将所述存储单元中各个电容的第一极板均设置为第一电平。
9、第三方面，本专利技术提供一种存储单元的读写控制装置，其包括，第一控制电路，其与存储单元中各个电容的第一极板电性连接，所述第一控制电路用于在读取操作后将各个所述电容第一极板的电压设置为第一电平；其中第一电平与读取操作后的各个所述电容第二极板的第二电平状态相同
10、作为本专利技术所述存储单元的读写控制装置的一种优选方案，其中：所述读写控制装置还包括局部放大器，所述存储单元通过所述局部放大器与所述第一控制电路相连，所述存储单元为2t2c结构。
11、第四方面，本专利技术提供一种存储器，其包括上述的读写控制装置，还包括存储单元，所述读写控制装置用于控制所述存储单元的读写。
12、作为本专利技术所述存储单元的读写控制方法的一种优选方案，其中：所述存储单元为2t2c结构，所述读写控制装置中的所述第一控制电路通过所述局部放大器与所述存储单元的各个电容进行连接。
13、本专利技术有益效果为：本专利技术通过在存储单元进行读取操作之后，写入操作之前，将存储单元的位线都设置为高电平，使得在进行回写和反数据写的过程中，写数据“0”的有效时间相同。
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1.一种存储单元的读写控制方法，其特征在于：包括，
2.如权利要求1所述的存储单元的读写控制方法，其特征在于：当所述电容写入数据为0时，所述第一电平小于第二电平；当所述电容写入数据为1时，所述第一电平大于第二电平。
3.如权利要求1所述的存储单元的读写控制方法，其特征在于：在回写数据0时，调节所述电容的所述第一电平以使其小于所述第二电平；在回写数据1时，调节所述电容的所述第二电平以使其小于所述第一电平。
4.如权利要求1所述的存储单元的读写控制方法，其特征在于：在反数据写数据0时，调节所述电容的所述第一电平以使其小于所述第二电平；在反数据写数据1时，调节所述电容的所述第二电平以使其小于所述第一电平。
5.如权利要求1所述的存储单元的读写控制方法，其特征在于：所述存储单元为2T2C结构，在所述写入操作之前将所述存储单元中各个电容的第一极板均设置为第一电平。
6.一种用于提升存储器稳定性的方法，其特征在于：
7.如权利要求6所述的用于提升存储器稳定性的方法，其特征在于：所述存储单元为2T2C结构，在写入操作之前将
8.一种存储单元的读写控制装置，其特征在于：包括，
9.如权利要求8所述的存储单元的读写控制装置，其特征在于：所述读写控制装置还包括局部放大器，所述存储单元通过所述局部放大器与所述第一控制电路相连，所述存储单元为2T2C结构。
10.一种存储器，其特征在于：包括如权利要求8所述的读写控制装置，还包括存储单元，所述读写控制装置用于控制所述存储单元的读写。
11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于：所述存储单元为2T2C结构，所述读写控制装置中的所述第一控制电路通过所述局部放大器与所述存储单元的各个电容进行连接。
...【技术特征摘要】
1.一种存储单元的读写控制方法，其特征在于：包括，
2.如权利要求1所述的存储单元的读写控制方法，其特征在于：当所述电容写入数据为0时，所述第一电平小于第二电平；当所述电容写入数据为1时，所述第一电平大于第二电平。
3.如权利要求1所述的存储单元的读写控制方法，其特征在于：在回写数据0时，调节所述电容的所述第一电平以使其小于所述第二电平；在回写数据1时，调节所述电容的所述第二电平以使其小于所述第一电平。
4.如权利要求1所述的存储单元的读写控制方法，其特征在于：在反数据写数据0时，调节所述电容的所述第一电平以使其小于所述第二电平；在反数据写数据1时，调节所述电容的所述第二电平以使其小于所述第一电平。
5.如权利要求1所述的存储单元的读写控制方法，其特征在于：所述存储单元为2t2c结构，在所述写入操作之前将所述存储单元中各个电容的第一极板均设置为第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈敦仁，王园春，吕震宇，
申请(专利权)人：温州核芯智存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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