【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体发光，具体涉及一种ar/vr全彩micro-led显示装置及其制备方法。
技术介绍
1、micro-led（微发光二极管）是led技术的微型化和矩阵化产物，其像素单元尺寸通常在50微米以下。该技术以其自发光、低功耗、高亮度、高对比度、长寿命等特性，在显示领域展现出巨大的潜力。micro-led显示面板因其无需背光和辅助光学元件，使得设备更加轻薄，同时其超高亮度和效率也满足了ar/vr设备对高质量视觉体验的需求。micro-led在ar/vr领域的应用优势主要体现在：高分辨率与高ppd（每度像素）、高亮度与对比度、低功耗与长寿命、小型化与轻量化等技术优势。如何改善ar/vr全彩micro-led显示装置的制备工艺，以提高ar/vr全彩micro-led显示装置的稳定性，这是业界广泛关注的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种ar/vr全彩micro-led显示装置及其制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术提出的一种ar/vr全彩micro-led显示装置的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
3、提供一生长衬底，在所述生长衬底上外延生长外延功能层。
4、接着在所述外延功能层上形成多个第一电极和多个第二电极，以形成micro-led晶圆。
5、接着对所述micro-led晶圆进行切割处理以形成多个micro-led芯片，接着进行扩晶处理以增大相邻micro-led芯片之间的间距
6、接着将扩晶处理后的多个所述micro-led芯片转移至载板上，且使得每个所述micro-led芯片的第一电极和第二电极均朝向所述载板。
7、接着在每个所述micro-led芯片的侧面和顶面形成第一保护层，所述第一保护层中具有微孔结构。
8、接着通过磁控溅射工艺在第一保护层上沉积金属材料，以在所述第一保护层中的所述微孔结构中形成金属微粒，然后去除所述每个所述micro-led芯片的所述顶面的第一保护层；
9、接着在所述第一保护层上以及每个所述micro-led芯片的顶面上形成第二保护层，所述第二保护层的密度大于所述第一保护层的密度，且所述第二保护层中临近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6-1.5g/cm3。
10、接着在所述第二保护层上形成第三保护层，所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的所述另一侧的密度。
11、接着提供一驱动基板，利用转印装置将所述micro-led芯片转移至所述驱动基板，使得所述micro-led芯片的所述第一电极和所述第二电极与所述驱动基板的导电线路电连接。
12、接着形成封装层，以形成ar/vr全彩micro-led显示装置。
13、作为优选的技术方案，将扩晶处理后的多个所述micro-led芯片转移至载板之前，在所述载板上设置一缓冲层，进而使得每个所述micro-led芯片的第一电极和第二电极均嵌入到所述缓冲层中。
14、作为优选的技术方案，所述第一保护层包括氧化硅或氮氧化硅，所述第一保护层的平均密度为1.8-2.6g/cm3。
15、作为优选的技术方案，通过刻蚀工艺在所述第一保护层中形成微孔结构。
16、作为优选的技术方案，所述第二保护层的材质包括氮化硅、氧化铝、碳化硅、氮化钛、氧化铌、氧化钛中的一种或多种，所述第二保护层的平均密度为3-5g/cm3。
17、作为优选的技术方案，所述第二保护层通过原子层沉积工艺、磁控溅射工艺和/或化学气相沉积工艺形成。
18、作为优选的技术方案，所述第三保护层的材质包括氧化铟、氧化铪、氧化锡、氧化锌、氧化锆中的一种或多种，所述第三保护层的平均密度为5.5-10g/cm3。
19、作为优选的技术方案，所述封装层包括树脂材料。
20、本专利技术还提出一种ar/vr全彩micro-led显示装置，其采用上述ar/vr全彩micro-led显示装置的制备方法制造形成的。
21、本专利技术的有益效果在于：
22、在本申请的ar/vr全彩micro-led显示装置的制备方法中，通过在每个所述micro-led芯片的侧面和顶面形成第一保护层，所述第一保护层中具有微孔结构，进而通过磁控溅射工艺在第一保护层上沉积金属材料，以在所述第一保护层中的所述微孔结构中形成金属微粒，然后去除所述每个所述micro-led芯片的所述顶面的第一保护层，通过上述工序的设置，可以大大提高每个micro-led芯片的侧面的光反射性能，进而可以大大提高micro-led芯片的出光效率，且可以避免相邻micro-led芯片之间光串扰；且在本申请中，通过设置层叠设置的第一保护层、第二保护层以及第三保护层，且第二保护层的密度大于第一保护层的密度，且所述第二保护层中临近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6-1.5g/cm3；所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的所述另一侧的密度，通过设置密度逐渐变化的第二保护层，进而使得第二保护层的致密性逐渐提高，有效保护第一保护层的同时，使得第二保护层的外表面的刚性增加，且第三保护层的刚性更大，进而在后续转移工序以及使用过程中，有效保护micro-led芯片。
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1.一种AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法，其特征在于：将扩晶处理后的多个所述Micro-LED芯片转移至载板之前，在所述载板上设置一缓冲层，进而使得每个所述Micro-LED芯片的第一电极和第二电极均嵌入到所述缓冲层中。
3.根据权利要求1所述的AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法，其特征在于：所述第一保护层包括氧化硅或氮氧化硅，所述第一保护层的平均密度为1.8-2.6g/cm3。
4.根据权利要求3所述的AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法，其特征在于：通过刻蚀工艺在所述第一保护层中形成微孔结构。
5.根据权利要求1所述的AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法，其特征在于：所述第二保护层的材质包括氮化硅、氧化铝、碳化硅、氮化钛、氧化铌、氧化钛中的一种或多种，所述第二保护层的平均密度为3-5g/cm3。
6.根据权利要求1所述的AR/VR全彩Micr
7.根据权利要求1所述的AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法，其特征在于：所述第三保护层的材质包括氧化铟、氧化铪、氧化锡、氧化锌、氧化锆中的一种或多种，所述第三保护层的平均密度为5.5-10g/cm3。
8.根据权利要求1所述的AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法，其特征在于：所述封装层包括树脂材料。
9.一种AR/VR全彩Micro-LED显示装置，其特征在于，采用权利要求1-8中任一项所述的AR/VR全彩Micro-LED显示装置的制备方法制造形成的。
...【技术特征摘要】
1.一种ar/vr全彩micro-led显示装置的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的ar/vr全彩micro-led显示装置的制备方法，其特征在于：将扩晶处理后的多个所述micro-led芯片转移至载板之前，在所述载板上设置一缓冲层，进而使得每个所述micro-led芯片的第一电极和第二电极均嵌入到所述缓冲层中。
3.根据权利要求1所述的ar/vr全彩micro-led显示装置的制备方法，其特征在于：所述第一保护层包括氧化硅或氮氧化硅，所述第一保护层的平均密度为1.8-2.6g/cm3。
4.根据权利要求3所述的ar/vr全彩micro-led显示装置的制备方法，其特征在于：通过刻蚀工艺在所述第一保护层中形成微孔结构。
5.根据权利要求1所述的ar/vr全彩micro-led显示装置的制备方法，其特征在于：所述第二保护层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李雍，陈文娟，王春桃，
申请(专利权)人：罗化芯显示科技开发江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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