System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用制造技术_技高网
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二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用制造技术

技术编号:43366472 阅读:0 留言:0更新日期:2024-11-19 17:48
本发明专利技术涉及纳米医药技术领域,公开了二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,该二维硼化钼纳米片为单层纳米片结构,结构式为Mo<subgt;4/3</subgt;B<subgt;2‑x</subgt;T<subgt;z</subgt;,其不但可以高效杀伤肿瘤细胞,实现对肿瘤生长的有效抑制,还可以有效减少因光热治疗过程中产生的高温引起的局部炎症。对于残余肿瘤细胞的消除、抑制肿瘤复发转移具有较好的调节效果,可以达到治疗和预防炎症的目的,有效提高肿瘤光热治疗的疗效,本发明专利技术为实现更高效安全的肿瘤光热治疗提供一种新途径。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及生物医学,具体涉及二维硼化钼纳米片(mo4/3b2-xtz)在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用。


技术介绍

1、癌症是威胁人类健康的重要疾病,现已成为全球第二大死亡原因。传统治疗癌症的策略包括手术切除,放射治疗(放疗)和化学药物治疗(化疗)。手术切除在肿瘤早期阶段实现完全切除,但对于晚期癌症或易于转移癌症,手术难以切除干净,导致复发。放疗引入高剂量的电离辐射杀死癌细胞,而高能辐射时周围正常组织受到影响,可能导致放射性损伤。化疗由于非特异性识别细胞,不仅杀伤肿瘤细胞,对正常细胞也会产生毒性作用,导致一系列副作用,包括恶心、呕吐、脱发、疲劳、免疫系统受损等。随着纳米材料的发展,一些新兴肿瘤治疗方法被开发出来,例如光热治疗(photothermaltherapy,ptt)在临床应用上具有较大的应用价值。

2、光热治疗作为新兴癌症治疗方法中的代表之一,因其无创性和高可控性而受到广泛关注。ptt利用光热转换剂(photothermal agent,pta)的光热效应,将捕获的近红外光能量转化为热量,迅速提高周围微环境的温度,从而诱导癌细胞消融。ptt作为一种非侵入性的治疗方法,具有不良反应小、特异性高、最大限度地减少对邻近正常组织的损害,以及有效和非侵入性地消融各种类型的癌症,引起了相当多的关注。理想的光热剂应具有良好的近红外吸收,因为近红外二区(near-infrared-ii,nir-ii)区域的光可以提供更深的组织穿透和更高的最大允许曝光。具体来说,近红外光热材料在体内具有穿透深度的优势,在深部组织中实现更少的生物干扰和更好的治疗。光热剂作为ptt治疗中的能量转换剂,它直接决定ptt在肿瘤治疗中的效果。

3、近年来发展起来的近红外吸收光热材料主要分为无机材料、有机材料。例如,目前ptt研究最常用的有机荧光探针吲哚菁绿(indocyanine green,icg),但有机分子的合成过程复杂、光稳定性差、功能单一,限制了其进一步应用。与有机光热材料相比,无机光热材料制备方便、近红外吸收强、可修饰性强和光稳定性等优点,而受到越来越多的关注。此外,目前报道常用的光热剂在发挥ptt治疗的同时,易导致周围活性氧浓度升高,进而引发炎症反应,降低ptt治疗效果。因此,开发新型稳定、多功能的nir-ii光热材料是目前ptt研究中的重点和难点。


技术实现思路

1、针对现有光热治疗效率差、安全性低、功能单一的问题,本专利技术提供了二维硼化钼纳米片(mo4/3b2-xtz)在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,为实现更高效安全的肿瘤光热治疗提供新途径。

2、第一方面,本专利技术提供了二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,所述二维硼化钼纳米片为单层纳米片结构,结构式为mo4/3b2-xtz,其中,t为表面官能团,t为-o、oh或-f;x为0~0.5,z为2~3。

3、具体地,所述二维硼化钼纳米片的制备方法为,使用氢氟酸溶液选择性刻蚀(mo4/3y2/3)alb2,使用插层剂对多层晶体进行分层剥离,所述插层剂为四甲基氢氧化铵,得到二维硼化钼纳米片。

4、进一步地,所述二维硼化钼纳米片的制备方法,具体包括如下步骤:

5、(1)合成3d前驱体化合物(mo4/3y2/3)alb2;

6、(2)选择性蚀刻:将3d前驱体化合物(mo4/3y2/3)alb2倒入反应釜中,置于40wt%的氢氟酸溶液中并搅拌,选择性蚀刻(mo4/3y2/3)alb2中的y/al原子;

7、(3)离心洗涤去除蚀刻液:将步骤(2)得到的悬浮液转移到离心管中,然后用脱气的去离子水离心洗涤,重复6次;

8、(4)插层剂剥离:为了进一步分层,在离心管中加入20wt%四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide,tmaoh),摇晃后离心,离心后去除上清液;

9、(5)离心洗涤去除插层剂:在离心管中加入乙醇,离心洗去剩余的四甲基氢氧化铵,倒出上清液,重复3次;

10、(6)去除乙醇:乙醇洗涤后,加入脱气的去离子水,离心去除上清液,重复3次;在沉淀中加入去离子水,摇匀,获得含二维硼化钼纳米片的混合液;

11、(7)形成胶体悬浮液:对含二维硼化钼纳米片的混合液离心,将其中未分层的大块物体沉淀下去,上清液即为制备的二维硼化钼纳米片的胶体悬浮液。

12、具体地,所述步骤(1)中,3d前驱体化合物(mo4/3y2/3)alb2采用mo/y/al/b粉末混合物在管式炉中固态反应烧结形成。

13、具体地,所述步骤(1)中,固态反应烧结温度为1400℃,烧结时间为480min,烧结及冷却后进行粉碎,并通过200目筛网进行筛分。

14、具体地,所述步骤(2)中,在37℃下进行搅拌,搅拌时间为210min;所述步骤(4)中,摇晃时间为2min。

15、具体地,所述步骤(3)中,离心参数为5000rpm,5min;所述步骤(4)中,离心参数为13000rpm,5min;所述步骤(5)中,离心参数为10000rpm,5min;所述步骤(6)中,离心参数为25000rpm,15min;所述步骤(7)中,离心参数为5000rpm,5min。

16、具体地,所述二维硼化钼纳米片具有光热转换性能及抗氧化性能,不但可以用于肿瘤光热治疗,快速杀伤肿瘤细胞,实现对肿瘤生长的有效抑制,还可以有效减少因光热治疗过程中产生的高温引起的局部炎症,

17、本专利技术还提供一种用于肿瘤光热治疗及抗炎的药物,包括上述的二维硼化钼纳米片,所述二维硼化钼纳米片为单层纳米片结构,结构式为mo4/3b2-xtz,其中,t为表面官能团,t为-o、oh或-f;x为0~0.5,z为2~3。

18、本专利技术技术方案实现的有益效果:

19、本专利技术提供了二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,本专利技术发现二维硼化钼纳米片(mo4/3b2-xtz)不但可以高效杀伤肿瘤细胞,实现对肿瘤生长的有效抑制,还可以有效减少因光热治疗过程中产生的高温引起的局部炎症。通过消除残余肿瘤细胞、抑制肿瘤复发转移,调节炎症反应,达到治疗肿瘤和预防炎症的目的。本专利技术为实现更高效安全的肿瘤光热治疗提供一种新途径。另外,本专利技术利用选择性蚀刻(mo4/3y2/3)alb2制备二维硼化钼纳米片(mo4/3b2-xtz),方法稳定可靠,工艺操作简单、实用,可操控性强等优点。

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【技术保护点】

1.二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述二维硼化钼纳米片为单层纳米片结构,结构式为Mo4/3B2-xTz,其中,T为表面官能团,T为‐O、OH或‐F;x为0~0.5,z为2~3。

2.根据权利要求1所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述二维硼化钼纳米片的制备方法为,使用氢氟酸溶液选择性刻蚀(Mo4/3Y2/3)AlB2中的Y/Al原子,使用插层剂对多层晶体进行分层剥离,所述插层剂为四甲基氢氧化铵,得到二维硼化钼纳米片。

3.根据权利要求2所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述二维硼化钼纳米片的制备方法包括如下步骤:

4.根据权利要求3所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述步骤(1)中,3D前驱体化合物(Mo4/3Y2/3)AlB2采用Mo/Y/Al/B粉末混合物在管式炉中固态反应烧结形成。

5.根据权利要求4所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述步骤(1)中,固态反应烧结温度为1400 ℃,烧结时间为480 min,烧结及冷却后进行粉碎,并通过200目筛网进行筛分。

6.根据权利要求3所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述步骤(2)中,在37 ℃下进行搅拌,搅拌时间为210 min ;所述步骤(4)中,摇晃时间为2 min。

7.根据权利要求3所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述步骤(3)中,离心参数为5000 rpm,5 min;所述步骤(4)中,离心参数为13000 rpm,5 min;所述步骤(5)中,离心参数为10000 rpm,5 min;所述步骤(6)中,离心参数为25000 rpm,15 min;所述步骤(7)中,离心参数为5000 rpm,5 min。

8.根据权利要求1所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述二维硼化钼纳米片具有光热转换性能及抗氧化性能。

9.一种用于肿瘤光热治疗及抗炎的药物,其特征在于,包括二维硼化钼纳米片,所述二维硼化钼纳米片为单层纳米片结构,结构式为Mo4/3B2-xTz,其中,T为表面官能团,T为‐O、OH或‐F;x为0~0.5,z为2~3。

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【技术特征摘要】

1.二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述二维硼化钼纳米片为单层纳米片结构,结构式为mo4/3b2-xtz,其中,t为表面官能团,t为‐o、oh或‐f;x为0~0.5,z为2~3。

2.根据权利要求1所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述二维硼化钼纳米片的制备方法为,使用氢氟酸溶液选择性刻蚀(mo4/3y2/3)alb2中的y/al原子,使用插层剂对多层晶体进行分层剥离,所述插层剂为四甲基氢氧化铵,得到二维硼化钼纳米片。

3.根据权利要求2所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述二维硼化钼纳米片的制备方法包括如下步骤:

4.根据权利要求3所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述步骤(1)中,3d前驱体化合物(mo4/3y2/3)alb2采用mo/y/al/b粉末混合物在管式炉中固态反应烧结形成。

5.根据权利要求4所述的二维硼化钼纳米片在制备用于肿瘤光热治疗及抗炎药物中的应用,其特征在于,所述步骤(1)中,固态反应烧结温度为1400 ℃,烧结时间为48...

【专利技术属性】
技术研发人员:夏丽丽黄毅琦邵钰祺冯炜吴陈瑶陈雨
申请(专利权)人:上海大学
类型:发明
国别省市:

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