【技术实现步骤摘要】
本技术涉及，尤其涉及一种电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路。
技术介绍
1、电源过压保护常用的方法是利用单片微型处理器(简称mcu)采集电源电压，若电源电压超出了预设值，则mcu关闭电源电压的开关信号以达到过压保护的目的。
2、该方法的缺点是需要一个额外的辅助电源给mcu供电，否则过压保护电路无法正常工作，不仅增加了过压保护电路设计的复杂性，也降低了电路的可靠性，同时也会提了成本。
3、以上
技术介绍
内容的公开仅用于辅助理解本技术的构思及技术方案，其并不必然属于本技术申请的现有技术，也不必然会给出技术教导；在没有明确的证据表明上述内容在本技术申请的申请日之前已经公开的情况下，上述
技术介绍
不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，通过少量硬件实现电源过压保护且电压回落时自恢复供电功能，其成本低且可靠性高。
2、为达到上述目的，本技术采用的技术方案如下：
3、一种电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，包括串联的第一电阻和第二电阻、串联的第三电阻和第四电阻、可控硅、场效应晶体管和第一稳压管；其中，
4、串联的所述第一电阻和所述第三电阻的一端与电源的正极连接、其另一端与所述电源的负极电连接；串联的所述第二电阻和所述第四电阻的一端与所述电源的正极电连接，其另一端与所述电源的负极电连接；
5、所述第一电阻和第二电阻的连接点与所述可控硅的
6、所述第一稳压管的正极与所述电源的负极电连接，其负极与所述第三电阻和第四电阻的连接点以及所述场效应晶体管的栅极电连接；
7、所述场效应晶体管的源极与所述电源的负极电连接，其漏极被配置为与负载的一端电连接、所述电源的正极被配置为与负载的另一端电连接。
8、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，还包括光电耦合器和第五电阻，所述光电耦合器的输入级的阳极与所述电源的正极电连接，其输入级的阴极与所述可控硅的负极电连接；
9、所述光电耦合器的输出级的阳极通过所述第五电阻与所述电源的正极电连接，其输出级的阴极与所述第一电阻和第二电阻的连接点电连接。
10、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，还包括第二稳压管和第六电阻，所述第二稳压管的正极与所述电源的负极电连接，其负极与所述光电耦合器的输入级的阳极电连接；
11、所述光电耦合器的输入级的阳极还被配置为通过所述第六电阻与所述电源的正极电连接。
12、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，所述电路的过压保护电压值为56v；所述电路恢复供电的电压值为42v。
13、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，所述光电光电耦合器的型号为el3h7(c)(ta)-g。
14、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，所述第一稳压管的型号为mm1z12。
15、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，所述第二稳压管的型号为mm1z12。
16、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，所述可控硅的型号为cj431。
17、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，所述场效应晶体管为n沟增强型mosfet晶体管。
18、进一步地，承前所述的任一技术方案或多个技术方案的组合，所述mosfet晶体管的型号为ncep15t14d。
19、本技术提供的技术方案带来的有益效果如下：
20、本技术提供的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路结构比较简单，通过纯硬件即可实现过压保护和电压回落时自恢复供电的功能，无需软件控制；也无需添加负载供电电源以外的辅助电源，其成本低且可靠性高。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，包括串联的第一电阻(11)和第二电阻(12)、串联的第三电阻(13)和第四电阻(14)、可控硅(4)、场效应晶体管(3)和第一稳压管(21)；其中，
2.根据权利要求1所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，还包括光电耦合器(5)和第五电阻(15)，所述光电耦合器(5)的输入级的阳极与所述电源(6)的正极电连接，其输入级的阴极与所述可控硅(4)的负极电连接；
3.根据权利要求2所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，还包括第二稳压管(22)和第六电阻(16)，所述第二稳压管(22)的正极与所述电源(6)的负极电连接，其负极与所述光电耦合器(5)的输入级的阳极电连接；
4.根据权利要求2所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，所述电路的过压保护电压值为56V；所述电路恢复供电的电压值为42V。
5.根据权利要求3所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，所述光电耦合器(5)的型号为EL3H7(C)
6.根据权利要求1所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，所述第一稳压管(21)的型号为MM1Z12。
7.根据权利要求3所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，所述第二稳压管(22)的型号为MM1Z12。
8.根据权利要求1所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，所述可控硅(4)的型号为CJ431。
9.根据权利要求1所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，所述场效应晶体管(3)为N沟增强型MOSFET晶体管。
10.根据权利要求9所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，所述MOSFET晶体管的型号为NCEP15T14D。
...【技术特征摘要】
1.一种电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，包括串联的第一电阻(11)和第二电阻(12)、串联的第三电阻(13)和第四电阻(14)、可控硅(4)、场效应晶体管(3)和第一稳压管(21)；其中，
2.根据权利要求1所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，还包括光电耦合器(5)和第五电阻(15)，所述光电耦合器(5)的输入级的阳极与所述电源(6)的正极电连接，其输入级的阴极与所述可控硅(4)的负极电连接；
3.根据权利要求2所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，还包括第二稳压管(22)和第六电阻(16)，所述第二稳压管(22)的正极与所述电源(6)的负极电连接，其负极与所述光电耦合器(5)的输入级的阳极电连接；
4.根据权利要求2所述的电源过压保护且电压回落时自恢复供电的电路，其特征在于，所述电路的过压保护电压值为56v；所述电路恢复供电的电压值为...
【专利技术属性】
技术研发人员：付战超，张强，胡健，
申请(专利权)人：苏州绿恺动力电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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