【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子，更具体地说，涉及一种电压检测电路、方法及应用其的开关电源。
技术介绍
1、现有的隔离性开关电源，例如反激式开关电源，如图1所示，为了得到输出电压信息，传统的做法是，将所需芯片的检测引脚直接连接到输出端，采用直接检测的方案，这样做的优点是采样准确，控制电路简单；但是，这种方案的缺点是芯片需要设置一个专门的输出电压检测引脚，适用性不强，且在下位应用时输出电压vout可以直接检测，上位应用时则无法直接得到输出电压vout的信息，由于上位应用时，芯片的gnd相对于输出的接地端是动点，无法直接采样，故需要以较为复杂的控制方案间接实现。另外，现有的同步整流控制系统中，副边控制电路想要得到原边的母线电压vbulk的信息，以对母线电压vbulk进行各种调节和控制，目前尚没有好的解决方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种电压检测电路及应用其的开关，以解决现有技术中检测方案较为复杂的问题。
2、第一方面，本专利技术提供一种电压检测方法，应用于隔离型开关电源，其特征在于，包括：
3、将表征副边开关管的漏源电压的电压进行平均值处理后获得表征所述副边开关管的漏源电压的平均值的第一电压；
4、采样并保持所述副边开关管的漏源电压，获得表征所述副边开关管的漏源电压的峰值的第二电压；
5、使得第一电压与所述副边开关管的漏源电压的平均值成第一比例关系，第二电压与所述副边开关管的漏源电压的峰值成第二比例关系，并且，第一比例系数与第
6、优选地，所述第三电压的数值不随所述开关电源的输出电压的变化而变化。
7、优选地，对所述表征副边开关管的漏源电压的电压进行低通滤波处理，以获得所述第一电压。
8、优选地，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值后对其进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
9、优选地，所述第一阈值根据上一开关周期中采样获得的所述第二电压计算获得。
10、优选地，所述第一阈值为上一开关周期中采样获得的所述第二电压与第一系数的乘积，其中，第一系数取值介于0.7和1之间。
11、优选地，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值时刻起延迟一段消隐时间后对所述第一电压进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
12、优选地，所述副边开关管连接在磁性元件的第二端和所述开关电源的负输出端之间。
13、优选地，所述副边开关管连接在磁性元件的第一端和所述开关电源的正输出端之间。
14、第二方面，本专利技术提供一种电压检测电路，应用于隔离型开关电源，其特征在于，包括：
15、第一检测电路，用以将表征副边开关管的漏源电压的电压进行平均值处理后获得表征所述副边开关管的漏源电压的平均值的第一电压；
16、第二检测电路，采样并保持所述副边开关管的漏源电压，获得表征所述副边开关管的漏源电压的峰值的第二电压；
17、比例电路，用以使得第一电压与所述副边开关管的漏源电压的平均值成第一比例关系，第二电压与所述副边开关管的漏源电压的峰值成第二比例关系，并且，第一比例系数与第二比例系数相同；
18、叠加电路，根据所述第二电压和所述第一电压的差值获得与所述隔离型开关电源原边的直流母线电压成正比例关系的第三电压。
19、优选地，所述第三电压的数值不随所述开关电源的输出电压的变化而变化。
20、优选地，对所述表征副边开关管的漏源电压的电压进行低通滤波处理，以获得所述第一电压。
21、优选地，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值后对其进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
22、优选地，所述第一阈值根据上一开关周期中采样获得的所述第二电压计算获得。
23、优选地，所述第一阈值为上一开关周期中采样获得的所述第二电压与第一系数的乘积，其中，第一系数取值介于0.7和1之间。
24、优选地，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值时刻起延迟一段消隐时间后对所述第一电压进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
25、优选地，所述副边开关管连接在磁性元件的第二端和所述开关电源的负输出端之间。
26、优选地，所述副边开关管连接在磁性元件的第一端和所述开关电源的正输出端之间。
27、第三方面，本专利技术提供一种开关电源，其特征在于，包括：
28、功率级电路；
29、上述的电压检测电路，以及，
30、开关控制电路，用以根据所述电压检测电路生成的第二电压或第三电压，控制所述副边开关管和/或原边开关管的开关状态。
31、本专利技术旨在提供一种电压检测电路及应用其的开关，通过检测副边开关管两端的电压，可以同时得到输出电压和原边母线电压的信息，且获得的母线电压不随输出电压的改变而变化，解决了pd(power delivery电源传输管理)应用中，不同输出电压下母线电压不一致的问题。另外，本专利技术由于仅采样副边开关管两端的电压即可获得输出电压和原边母线电压的信息，相当于现有技术而言，本专利技术不需要设置有专门的输出电压检测引脚，从而可以减少一个引脚，进而也使得芯片外围电路更加简单，提高了系统应用的灵活性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电压检测方法，应用于隔离型开关电源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，所述第三电压的数值不随所述开关电源的输出电压的变化而变化。
3.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，对所述表征副边开关管的漏源电压的电压进行低通滤波处理，以获得所述第一电压。
4.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值后对其进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
5.根据权利要求4所述的电压检测方法，其特征在于，所述第一阈值根据上一开关周期中采样获得的所述第二电压计算获得。
6.根据权利要求5所述的电压检测方法，其特征在于，所述第一阈值为上一开关周期中采样获得的所述第二电压与第一系数的乘积，其中，第一系数取值介于0.7和1之间。
7.根据权利要求4所述的电压检测方法，其特征在于，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值时刻起延迟一段消隐时间后对所述第一电压进行采样，并且在每次所述副边开
8.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，所述副边开关管连接在磁性元件的第二端和所述开关电源的负输出端之间。
9.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，所述副边开关管连接在磁性元件的第一端和所述开关电源的正输出端之间。
10.一种电压检测电路，应用于隔离型开关电源，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的电压检测电路，其特征在于，所述第三电压的数值不随所述开关电源的输出电压的变化而变化。
12.根据权利要求10所述的电压检测电路，其特征在于，对所述表征副边开关管的漏源电压的电压进行低通滤波处理，以获得所述第一电压。
13.根据权利要求10所述的电压检测电路，其特征在于，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值后对其进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
14.根据权利要求13所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一阈值根据上一开关周期中采样获得的所述第二电压计算获得。
15.根据权利要求14所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一阈值为上一开关周期中采样获得的所述第二电压与第一系数的乘积，其中，第一系数取值介于0.7和1之间。
16.根据权利要求13所述的电压检测电路，其特征在于，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值时刻起延迟一段消隐时间后对所述第一电压进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
17.根据权利要求10所述的电压检测电路，其特征在于，所述副边开关管连接在磁性元件的第二端和所述开关电源的负输出端之间。
18.根据权利要求10所述的电压检测电路，其特征在于，所述副边开关管连接在磁性元件的第一端和所述开关电源的正输出端之间。
19.一种开关电源，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电压检测方法，应用于隔离型开关电源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，所述第三电压的数值不随所述开关电源的输出电压的变化而变化。
3.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，对所述表征副边开关管的漏源电压的电压进行低通滤波处理，以获得所述第一电压。
4.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值后对其进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
5.根据权利要求4所述的电压检测方法，其特征在于，所述第一阈值根据上一开关周期中采样获得的所述第二电压计算获得。
6.根据权利要求5所述的电压检测方法，其特征在于，所述第一阈值为上一开关周期中采样获得的所述第二电压与第一系数的乘积，其中，第一系数取值介于0.7和1之间。
7.根据权利要求4所述的电压检测方法，其特征在于，在所述副边开关管的漏源电压的检测值大于第一阈值时刻起延迟一段消隐时间后对所述第一电压进行采样，并且在每次所述副边开关管导通时刻附近对采样值进行保持以获得所述第二电压。
8.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，所述副边开关管连接在磁性元件的第二端和所述开关电源的负输出端之间。
9.根据权利要求1所述的电压检测方法，其特征在于，所述副边开关管连接在磁性元件的第一端和所述开关电源的正输出端之间。
10.一种电压检测电路，应用于隔离型...
【专利技术属性】
技术研发人员：金超鹏，陈欢，张少斌，
申请(专利权)人：西安矽力杰半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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