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配线基板及其制造方法以及半导体装置制造方法及图纸

技术编号:43359611 阅读:1 留言:0更新日期:2024-11-19 17:44
一种配线基板,其具有包括配线层的配线部及设置于配线部上且与所述配线层连接的电极焊盘。电极焊盘的与配线部相反的一侧的面即连接面具有0.5μm以上且2.0μm以下的算术平均粗糙度Ra。配线基板还可以具有表面绝缘树脂层,其设置于配线部的电极焊盘侧的面上且具有露出电极焊盘的开口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种配线基板及其连接方法以及半导体装置。


技术介绍

1、在具有配线层及绝缘层的配线基板中,由于随半导体芯片的安装等的热应力,有时在配线层与绝缘层的界面产生龟裂(例如专利文献1)。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2017-157666号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、本专利技术的一方面涉及一种具有在绝缘树脂层的开口内所露出的电极焊盘的配线基板,涉及抑制随温度变化的绝缘树脂层上的缺陷的产生。

3、用于解决技术课题的手段

4、本专利技术的一方面涉及一种配线基板,其具备包括配线层的配线部及设置于所述配线部上且与所述配线层连接的电极焊盘。所述电极焊盘的与所述配线部相反的一侧的面即连接面具有0.5μm以上且2.0μm以下的算术平均粗糙度ra。

5、本专利技术的另一方面涉及一种半导体装置,其具备上述配线基板及在所述配线基板上搭载的半导体芯片。

6、本专利技术的又一方面涉及一种制造配线基板的方法,其包括如下工序:准备配线结构体,所述配线结构体具备包括配线层的配线部及设置于所述配线部上的电极焊盘;及将所述电极焊盘的与所述配线部相反的一侧的面即连接面以成为具有0.5μm以上且2.0μm以下的算术平均粗糙度ra的面的方式进行处理。

7、专利技术效果

8、关于具有在绝缘树脂层的开口内所露出的电极焊盘的配线基板,能够抑制随温度变化的绝缘树脂层上的缺陷的产生。因此,即使在半导体装置具有微细的配线的情况下,也能够容易地维持高绝缘可靠性。

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【技术保护点】

1.一种配线基板,其具备:

2.根据权利要求1所述的配线基板,其中,

3.根据权利要求1或2所述的配线基板,其中,

4.根据权利要求3所述的配线基板,其中,

5.一种半导体装置,其具备:

6.一种制造配线基板的方法,其包括如下工序:

7.根据权利要求6所述的方法,其中,

8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,

9.根据权利要求8所述的方法,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种配线基板,其具备:

2.根据权利要求1所述的配线基板,其中,

3.根据权利要求1或2所述的配线基板,其中,

4.根据权利要求3所述的配线基板,其中,

5.一种半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:平野寿枝鸟羽正也
申请(专利权)人:株式会社力森诺科
类型:发明
国别省市:

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