【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于量子点纳米材料，具体涉及一种氧化钼量子点的制备方法。
技术介绍
1、随着纳米科技的飞速发展，纳米材料在多个领域展现出了巨大的应用潜力。氧化钼量子点作为一种新型的纳米材料，由于其独特的物理化学性质，如优异的光电特性、催化活性、荧光性质以及良好的化学稳定性和生物相容性，被广泛应用于光电子器件、光催化、电化学催化、生物成像、生物标记和传感器等领域。
2、目前，氧化钼量子点的合成方法主要为溶剂热合成法，但均存在一定的局限性。溶剂热合成法过程复杂，不易控制，量子点产量低，不利于大规模生产。目前缺乏一种简单、高效、低耗且能够稳定制备性能优异的氧化钼量子点的方法，难以满足日益增长的应用需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，针对现有技术的上的不足，提供了一种氧化钼量子点的制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术采用如下的技术方案：
3、本专利技术提供一种氧化钼量子点的制备方法，包括以下步骤：
4、s1、利用钼基金属氧酸盐与表面活性剂f68在有机溶剂中进行自组装，形成纳米尺度的胶束；
5、s2、将步骤s1所得胶束在惰性气氛中碳化，其中钼基多金属氧酸盐转变为氧化钼，f68碳化形成碳层；
6、s3、碳化后产物在空气气氛中煅烧，将碳层锻烧掉，所得材料在水中超声分散，得到氧化钼量子点。
7、进一步的，步骤s1中，钼基金属氧酸盐为钼酸铵、磷钼酸和硅钼酸中的任一种。
8、进一步的，步骤s1中
9、进一步的，步骤s1中，表面活性剂f68与钼基金属氧酸盐的质量比为1：（4~6）。
10、进一步的，步骤s1中，表面活性剂f68与钼基金属氧酸盐的质量比为1：6。
11、进一步的，步骤s1中，所述有机溶剂为四氢呋喃或乙醚。
12、进一步的，步骤s2中，所述惰性气氛为氮气或氩气。
13、进一步的，步骤s2中，所述碳化温度为350~400℃，碳化时间2~2.5h。
14、进一步的，步骤s3中，煅烧的温度为400~450℃，煅烧时间1~1.5h。
15、进一步的，步骤s3中，煅烧的温度为400℃，煅烧时间1h。
16、与现有技术比较，本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是：
17、（1）本专利技术提供了一种氧化钼量子点的制备方法，传统方法多为湿化学方法，一般在有机溶剂中，在表面活性剂的配合下少量合成，成本高。本专利技术为固体化学法，钼基多金属氧酸盐与表面活性剂f68自组装后，经过两步煅烧即可制备，成本低。
18、（2）传统方法需要精细控制，难以放大。本方法操作简便，可控性强，适用于放大制备。
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1.一种氧化钼量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，钼基金属氧酸盐为钼酸铵、磷钼酸和硅钼酸中的任一种。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，表面活性剂F68与钼基金属氧酸盐的质量比为1：（4~8）。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，表面活性剂F68与钼基金属氧酸盐的质量比为1：（4~6）。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，表面活性剂F68与钼基金属氧酸盐的质量比为1：6。
6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述有机溶剂为四氢呋喃或乙醚。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述惰性气氛为氮气或氩气。
8.如权利要求3-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述碳化温度为350~400℃，碳化时间2~2.5h。
9.如权利要求3-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，煅烧的温度为400~450℃，
10.如权利要求3-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，煅烧的温度为400℃，煅烧时间1h。
...【技术特征摘要】
1.一种氧化钼量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，钼基金属氧酸盐为钼酸铵、磷钼酸和硅钼酸中的任一种。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，表面活性剂f68与钼基金属氧酸盐的质量比为1：（4~8）。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，表面活性剂f68与钼基金属氧酸盐的质量比为1：（4~6）。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，表面活性剂f68与钼基金属氧酸盐的质量比为1：6。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨华伟，王东晓，陈厚，谢素婷，尹坤，柏良久，魏东磊，杨丽霞，
申请(专利权)人：鲁东大学，
类型：发明
国别省市：
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