【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种hir器件高电阻区域制作方法及高电阻区域结构。
技术介绍
1、hir器件是一种高阻器件，通常用于分压限流，在半导体工艺制程中有广泛应用。其结构一般包括配阻层(high-resistance，简称hir层)、覆盖配阻层的介质层、与配阻层两端连接的第一接触结构和第二接触结构。随着半导体技术的发展，hir器件的结构也在不断优化和改进。例如，在一些先进的半导体工艺中，会采用异质集成电路的方式，将不同工艺节点的半导体器件或芯片集成在一起，以实现更强大的功能和性能。
2、一般hir器件形成过程包括：
3、衬底准备：选择合适的半导体衬底材料。
4、薄膜沉积：通过物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)等方法沉积形成hir层材料。
5、掺杂(如有需要)：根据器件特性进行特定类型和浓度的掺杂。
6、图案化：使用光刻等技术对hir层进行图案定义。
7、刻蚀：按照图案对hir层进行刻蚀，以形成所需的结构形状。
8、绝缘层沉积：在hir器件周围沉积绝缘介质层以实现电气隔离。
9、接触形成：制作与hir层两端连接的接触结构，如金属接触等。
10、参考图1所示，现有技术普遍采用tinfilm作为电阻层，一般处于mgcmp之后hir需要单独的mask定义hir区域通过litho-etch工艺定义出hir图形，从下到上film结构依次是oxide，tin(hir),captin,ild。现有技术mgcmp之后
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、本专利技术要解决的技术问题是提供一种能集成于金属栅工艺中，能降低生产成本，减少工艺步骤的hir器件高电阻区域制作方法。
3、为解决上述技术问题，本专利技术提供的hir器件高电阻区域制作方法，其特征在于：
4、在形成层间介质层和hk层后，在hk层上形成黏附层，利用金属栅图形直接定义高电阻区域，定义制作接触结构连接金属栅以及高电阻区域。
5、优选的，进一步改进所述的hir器件金属栅制作方法，高电阻区域由黏附层上保留的未掺杂多晶硅形成。
6、优选的，进一步改进所述的hir器件金属栅制作方法，黏附层是tin薄膜。
7、优选的，进一步改进所述的hir器件金属栅制作方法，层间介质层是hfo层。
8、优选的，进一步改进所述的hir器件金属栅制作方法，其用于28hkmg制作工艺。
9、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种hir器件高电阻区域结构，包括：有源区上自下顺序形成的层间介质层、hk层和黏附层，未掺杂多晶硅位于黏附层上两个金属栅之间，接触结构连接未掺杂多晶硅金属栅。
10、优选的，进一步改进所述的hir器件高电阻区域结构，黏附层是tin薄膜。
11、优选的，进一步改进所述的hir器件高电阻区域结构，层间介质层是hfo层。
12、优选的，进一步改进所述的hir器件高电阻区域结构，未掺杂多晶硅形成高电阻区域。
13、需要说明的是，本专利技术主要的改进点在于提供hir器件高电阻区域制作方法及结构，对于hir器件的其他步骤可以采用现有技术的任意一种。
14、本专利技术利用hfo上层的cap1tin，通过gate直接定义成电阻区域，只需要将ct接触的部分在mg–ph定义好即可，与现有28hkmgcmp工艺相兼容，不再需要单独的hirph，节省一道masklayer，工艺整体集成到mgloop，相对现有技术能减少工艺步骤的同时降低生产成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种HiR器件高电阻区域制作方法，其特征在于：
2.如权利要求1所述的HiR器件金属栅制作方法，其特征在于：高电阻区域由黏附层上保留的未掺杂多晶硅形成。
3.如权利要求1所述的HiR器件金属栅制作方法，其特征在于：黏附层是TIN薄膜。
4.如权利要求1所述的HiR器件金属栅制作方法，其特征在于：层间介质层是HfO层。
5.如权利要求1所述的HiR器件金属栅制作方法，其特征在于：其用于28HKMG制作工艺。
6.一种HiR器件高电阻区域结构，其特征在于，包括：有源区上自下顺序形成的层间介质层、HK层和黏附层，未掺杂多晶硅位于黏附层上两个金属栅之间，接触结构连接未掺杂多晶硅金属栅。
7.如权利要求6所述的HiR器件高电阻区域结构，其特征在于：黏附层是TIN薄膜。
8.如权利要求6所述的HiR器件高电阻区域结构，其特征在于：层间介质层是HfO层。
9.如权利要求6所述的HiR器件高电阻区域结构，其特征在于：未掺杂多晶硅形成高电阻区域。
【技术特征摘要】
1.一种hir器件高电阻区域制作方法，其特征在于：
2.如权利要求1所述的hir器件金属栅制作方法，其特征在于：高电阻区域由黏附层上保留的未掺杂多晶硅形成。
3.如权利要求1所述的hir器件金属栅制作方法，其特征在于：黏附层是tin薄膜。
4.如权利要求1所述的hir器件金属栅制作方法，其特征在于：层间介质层是hfo层。
5.如权利要求1所述的hir器件金属栅制作方法，其特征在于：其用于28hkmg制作工艺。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：钱亚峰，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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