【技术实现步骤摘要】
本申请涉及照明领域，特别是涉及一种减缓近视发生的光源、光源装置及灯具。
技术介绍
1、全光谱指光谱中包含紫外光、可见光、红外光的光谱曲线，并且在可见光部分中红绿蓝的比例与阳光近似，显色指数接近于100的光谱。太阳光的光谱可以称作全光谱。
2、目前人工制作的全光谱对太阳全光谱的模拟效果不佳，而且现有的光源或灯具发出的全光谱中不包含紫光或仅含有微弱量的紫光，不能抑制眼轴过度增长的现象。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种减缓近视发生的光源、光源装置及灯具，可以更好的模拟太阳光谱并在一定程度上抑制眼轴过度增长，进而减缓近视发生。
2、为实现上述目的，本申请提供了如下方案：
3、第一方面，本申请提供了一种减缓近视发生的光源，所述减缓近视发生的光源用于发射减缓近视光谱的光，且所述光源发射的光中包含波段为350nm～430nm的紫光，光谱色温段为2500k～3300k；
4、所述光源发射的光中各波段的相对强度光高比例及相对光谱能量含量比例均不同，以限定减缓近视光谱的光谱形状。
5、第二方面，本申请提供了一种减缓近视发生的光源装置，包括发光模组；所述发光模组由多个减缓近视发生的光源构成；
6、所述发光模组用于发射减缓近视光谱的光，且所述发光模组发射的光中包含波段为350nm～430nm的紫光，光谱色温段为2500k～3300k；
7、所述发光模组发射的光中各波段的相对强度光高比例及相对光谱能量含量比例均不同
8、可选地，所述发光模组为发光二极管芯片；所述发光二极管芯片的数量为一个或多个；在所述发光二极管芯片的数量为一个时，所述发光二极管芯片用于发射波段为350nm～480nm的光；在所述发光二极管芯片的数量多个时，多个发光二极管芯片发射的光的波段均不同或相同。
9、可选地，所述发光模组还包括荧光粉；所述发光二极管芯片作为激发光，所述荧光粉作为被激发光；所述发光二极管芯片发射的光照射在所述荧光粉上，以形成减缓近视光谱的光。
10、可选地，所述发光模组还包括量子点；所述发光二极管芯片作为激发光，所述量子点作为被激发光；所述发光二极管芯片发射的光照射在所述量子点上，以形成减缓近视光谱的光。
11、可选地，所述发光模组还包括量子点荧光粉混合物；所述发光二极管芯片作为激发光，所述量子点荧光粉混合物作为被激发光；所述发光二极管芯片发射的光照射在所述量子点荧光粉混合物上，以形成减缓近视光谱的光。
12、可选地，所述减缓近视光谱的光的波段包括：350nm～400nm、401nm～418nm、419nm～438nm、439nm～460nm、461nm～480nm、481nm～560nm、561nm～616nm、617nm～640nm及641nm～780nm；
13、波段为350nm～400nm的相对强度光高比例的范围为0.01～0.5；
14、波段为401nm～418nm的相对强度光高比例的范围为0.01～0.4；
15、波段为419nm～438nm的相对强度光高比例的范围为0.01～0.32；
16、波段为439nm～460nm的相对强度光高比例的范围为0.2～0.8；
17、波段为461nm～480nm的相对强度光高比例的范围为0.08～0.38；
18、波段为481nm～560nm的相对强度光高比例的范围为0.1～0.74；
19、波段为561nm～616nm的相对强度光高比例的范围为0.38～1；
20、波段为617nm～640nm的相对强度光高比例的范围为0.38～1；
21、波段为641nm～780nm的相对强度光高比例的范围为0.52～0.01。
22、可选地，波段为350nm～400nm的相对光谱能量含量比例的最大值为4.6706％，波段为350nm～400nm的相对光谱能量含量比例的最小值为0.0124％；
23、波段为401nm～418nm的相对光谱能量含量比例的最大值为3.4671％，波段为401nm～418nm的相对光谱能量含量比例的最小值为0.0141％；
24、波段为419nm～438nm的相对光谱能量含量比例的最大值为4.1853％，波段为419nm～438nm的相对光谱能量含量比例的最小值为0.1492％；
25、波段为439nm～460nm的相对光谱能量含量比例的最大值为5.5438％，波段为439nm～460nm的相对光谱能量含量比例的最小值为1.6250％；
26、波段为461nm～480nm的相对光谱能量含量比例的最大值为4.1793％，波段为461nm～480nm的相对光谱能量含量比例的最小值为2.2242％；
27、波段为481nm～560nm的相对光谱能量含量比例的最大值为22.1189％，波段为481nm～560nm的相对光谱能量含量比例的最小值为20.9767％；
28、波段为561nm～616nm的相对光谱能量含量比例的最大值为24.0234％，波段为561nm～616nm的相对光谱能量含量比例的最小值为37.3952％；
29、波段为617nm～640nm的相对光谱能量含量比例的最大值为10.9162％，波段为617nm～640nm的相对光谱能量含量比例的最小值为18.6151％；
30、波段为641nm～780nm的相对光谱能量含量比例的最大值为25.5660％，波段为641nm～780nm的相对光谱能量含量比例的最小值为19.0005％。
31、第二方面，本申请提供了一种灯具，包括：壳体、基板及多个上述的减缓近视发生的光源装置；所述基板设置在所述壳体的内部；多个减缓近视发生的光源装置均固定在所述基板上，且多个减缓近视发生的光源装置均与电源连接。
32、可选地，发光模组的表面或所述灯具的发光面设置有荧光膜或量子点膜或量子点荧光粉混合物膜。
33、根据本申请提供的具体实施例，本申请公开了以下技术效果：
34、本申请提供了一种减缓近视发生的光源、光源装置及灯具，在光源发射的减缓近视光谱中添加了紫光，微量紫光的加入可以更好的模拟太阳光谱，而且减缓近视光谱中包含波段为350nm～430nm的紫光且光谱色温段为2500k～3300k，在将其用于照明时，可以促进多巴胺和褪黑色素的形成，在一定程度上使人眼的机理更健康，进而在一定程度上能够抑制眼轴过度增长，减缓近视发生，预防近视，同时通过限定各波段的相对强度光高比例及相对光谱能量含量比，能够限定减缓近视光谱的光谱形状。
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1.一种减缓近视发生的光源，其特征在于，所述减缓近视发生的光源用于发射减缓近视光谱的光，且所述光源发射的光中包含波段为350nm～430nm的紫光，光谱色温段为2500K～3300K；
2.一种减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述减缓近视发生的光源装置包括发光模组；所述发光模组由多个权利要求1所述的减缓近视发生的光源构成；
3.根据权利要求2所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述发光模组为发光二极管芯片；所述发光二极管芯片的数量为一个或多个；在所述发光二极管芯片的数量为一个时，所述发光二极管芯片用于发射波段为350nm～480nm的光；在所述发光二极管芯片的数量多个时，多个发光二极管芯片发射的光的波段均不同或相同。
4.根据权利要求3所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述发光模组还包括荧光粉；所述发光二极管芯片作为激发光，所述荧光粉作为被激发光；所述发光二极管芯片发射的光照射在所述荧光粉上，以形成减缓近视光谱的光。
5.根据权利要求3所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述发光模组还包括量子点；所述发光二极
6.根据权利要求3所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述发光模组还包括量子点荧光粉混合物；所述发光二极管芯片作为激发光，所述量子点荧光粉混合物作为被激发光；所述发光二极管芯片发射的光照射在所述量子点荧光粉混合物上，以形成减缓近视光谱的光。
7.根据权利要求2所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述减缓近视光谱的光的波段包括：350nm～400nm、401nm～418nm、419nm～438nm、439nm～460nm、461nm～480nm、481nm～560nm、561nm～616nm、617nm～640nm及641nm～780nm；
8.根据权利要求7所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，波段为350nm～400nm的相对光谱能量含量比例的最大值为4.6706％，波段为350nm～400nm的相对光谱能量含量比例的最小值为0.0124％；
9.一种灯具，其特征在于，所述灯具包括：壳体、基板及多个权利要求2至8中任一项所述的减缓近视发生的光源装置；所述基板设置在所述壳体的内部；多个减缓近视发生的光源装置均固定在所述基板上，且多个减缓近视发生的光源装置均与电源连接。
10.根据权利要求9所述的灯具，其特征在于，发光模组的表面或所述灯具的发光面设置有荧光膜或量子点膜或量子点荧光粉混合物膜。
...【技术特征摘要】
1.一种减缓近视发生的光源，其特征在于，所述减缓近视发生的光源用于发射减缓近视光谱的光，且所述光源发射的光中包含波段为350nm～430nm的紫光，光谱色温段为2500k～3300k；
2.一种减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述减缓近视发生的光源装置包括发光模组；所述发光模组由多个权利要求1所述的减缓近视发生的光源构成；
3.根据权利要求2所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述发光模组为发光二极管芯片；所述发光二极管芯片的数量为一个或多个；在所述发光二极管芯片的数量为一个时，所述发光二极管芯片用于发射波段为350nm～480nm的光；在所述发光二极管芯片的数量多个时，多个发光二极管芯片发射的光的波段均不同或相同。
4.根据权利要求3所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述发光模组还包括荧光粉；所述发光二极管芯片作为激发光，所述荧光粉作为被激发光；所述发光二极管芯片发射的光照射在所述荧光粉上，以形成减缓近视光谱的光。
5.根据权利要求3所述的减缓近视发生的光源装置，其特征在于，所述发光模组还包括量子点；所述发光二极管芯片作为激发光，所述量子点作为被激发光；所述发光二极管芯片发射的光照射在所述量子点上，以形成减缓近视光谱的光。
6.根据权利要求3所述的减...
【专利技术属性】
技术研发人员：王朝伟，韩松林，韩亚东，高文博，邬东阳，李鑫，
申请(专利权)人：中科稀土长春有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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