【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种嵌入式sonos存储器的制造方法。
技术介绍
1、在传统的嵌入式sonos存储器制造工艺流程中，sonos管、选择管和逻辑区mos共享一个多晶硅栅，选择管和逻辑区mos管共用一种栅氧化层和阱，这种方法虽然工艺整合步骤简单，但是由于存储区和逻辑区有共用栅氧、阱和多晶硅栅，不利于存储管和逻辑管的分别调控。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种嵌入式sonos存储器的制造方法，用以实现存储管和逻辑管的分别调控。
2、本专利技术提供一种嵌入式sonos存储器的制造方法，包括以下步骤：
3、步骤一、提供衬底，在所述衬底中形成有源区；
4、步骤二、进行逻辑区阱注入；
5、步骤三、在所述衬底上依次形成栅氧化层和第一多晶硅层；
6、步骤四、刻蚀去除位于存储区的所述第一多晶硅层，对所述存储区进行阱注入；
7、步骤五、刻蚀去除位于所述存储区的所述栅氧化层，在所述衬底上方形成一覆盖的ono层；
8、步骤六、进行选择管源端注入，刻蚀去除位于所述选择管的所述ono层；
9、步骤七、选择管栅氧化层生长后，在所述衬底上形成第二多晶硅层；
10、步骤八、刻蚀位于所述存储区的所述第二多晶硅层以形成选择管栅极和存储管栅极，对所述存储区进行轻掺杂注入。
11、优选地，步骤一中所述衬底为硅衬底。
12、优选地，步骤一中所述衬底中还形成有浅沟槽隔
13、优选地，步骤三中所述栅氧化层通过热氧化工艺形成。
14、优选地，步骤三所述第一多晶硅层和步骤七中所述第二多晶硅层通过沉积工艺形成。
15、优选地，步骤四中存储区阱注入与刻蚀存储区多晶硅使用同一光罩作业。
16、优选地，步骤五中所述ono层由依次层叠的氧化层-氮化层-氧化层构成。
17、优选地，步骤六中进行选择管源端注入和刻蚀ono层使用同一光罩作业。
18、优选地，步骤八中存储区轻掺杂注入和刻蚀存储区多晶硅使用同一光罩作业。
19、优选地，所述方法还包括刻蚀逻辑区多晶硅、逻辑区轻掺杂注入、形成侧墙以及源漏注入。
20、本专利技术的嵌入式sonos存储器的制造方法，逻辑区多晶硅栅和存储区多晶硅栅分别生长和刻蚀，其厚度和尺寸可根据需要分别调控；逻辑区栅氧和选择管栅氧分别生长，可单独调控；存储区内sonos管和选择管使用同一多晶硅栅工艺，便于集成；存储区阱、存储区轻掺杂和选择管vt注入均使用自对准注入，没有单独出光罩，有利于节省光罩。可直接将不同的逻辑平台与sonos组合，节省开发时间。并且实现存储管和逻辑管的分别调控，有利于两者的分别最优化，更易满足独立的存储芯片对于存储区和逻辑区的工艺要求不同。
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1.一种嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤一中所述衬底中还形成有浅沟槽隔离。
4.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤三中所述栅氧化层通过热氧化工艺形成。
5.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤三所述第一多晶硅层和步骤七中所述第二多晶硅层通过沉积工艺形成。
6.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤四中存储区阱注入与刻蚀存储区多晶硅使用同一光罩作业。
7.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤五中所述ONO层由依次层叠的氧化层-氮化层-氧化层构成。
8.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤六中进行选择管源端注入和刻蚀ONO层使用同一光罩
9.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤八中存储区轻掺杂注入和刻蚀存储区多晶硅使用同一光罩作业。
10.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括刻蚀逻辑区多晶硅、逻辑区轻掺杂注入、形成侧墙以及源漏注入。
...【技术特征摘要】
1.一种嵌入式sonos存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的嵌入式sonos存储器的制造方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的嵌入式sonos存储器的制造方法，其特征在于，步骤一中所述衬底中还形成有浅沟槽隔离。
4.根据权利要求1所述的嵌入式sonos存储器的制造方法，其特征在于，步骤三中所述栅氧化层通过热氧化工艺形成。
5.根据权利要求1所述的嵌入式sonos存储器的制造方法，其特征在于，步骤三所述第一多晶硅层和步骤七中所述第二多晶硅层通过沉积工艺形成。
6.根据权利要求1所述的嵌入式sonos存储器的制造方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宁，张可钢，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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