【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及清洁，具体涉及一种电子级多晶硅料暂存系统。
技术介绍
1、太阳能级多晶硅有99.9999％的纯度，而电子级多晶硅的纯度要求达到99.999999999％，因此，相较于光伏多晶硅，电子级多晶硅必须在破碎、分选、暂存之后加入硅块清洗工序，清除硅块表面吸附的杂质，使其满足集成电路行业的要求。
2、电子级多晶硅表面杂质主要来源有：1.还原拆炉过程硅棒暴露于大厅环境，空气中的杂质依附在硅棒表面；2.硅棒破碎过程中，破碎工具接触硅块沾附杂质，3.破碎后的硅块存在隐裂及肉眼不可见的微小缝隙，在转运及储存过程中，空气中的杂质或其他工具带来的杂质将扩散进隐裂及缝隙中，且有一定的深度。
3、通过后续的硅块清洗工序，即通过混酸蚀刻硅块表面将表皮剥离，可以将大部分杂质去除，但蚀刻厚度远小于裂纹缝隙深度，其中的杂质很难被清除。为清除深处杂质增加蚀刻深度将大大增加硅料损耗、增加酸液消耗，降低生产效率，因此如何有效解决杂质裂缝、缝隙中的杂质是保证电子级多晶硅质量要求的重中之重。减少杂质进入硅块裂纹、缝隙中，可以有效减少后续清洗难度，降低清洗成本，提高产品质量。
4、实际生产中发现，可以在破碎后、清洗前的转运、暂存工序中有效封存多晶硅的硅料，能达到减少表面乃至隐裂、缝隙中的杂质含量。当前的电子级多晶硅主要使用硅料箱（卡板箱）来储存、转运硅棒硅料，硅料箱多采用低压高密度聚乙烯一次注射成型，机械或手动叉车四向皆可操作，易储存、可堆叠、可装轮子使用。硅料箱只具备暂存、转运两项功能，未考虑转运、暂存过程中杂质污染的设备
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种电子级多晶硅料暂存系统。
2、本专利技术由如下技术方案实施：
3、一种电子级多晶硅料暂存系统，包括若干存放结构和高纯水系统；
4、所述存放结构包括硅料箱体、箱盖，所述箱盖置于所述硅料箱体顶部，所述硅料箱体的上半部两侧分别连通设有进水管和溢流管，在所述硅料箱体的下半部的侧边连通设有排水管，在所述进水管、所述溢流管和所述排水管上均设有硅料箱管道电控阀；
5、所述高纯水系统包括进水主管道、回水主管道、进水支管道、回水支管道，所述进水主管道上连通设有若干所述进水支管道，所述回水主管道上连通设有若干所述回水支管道，所述进水支管道和所述回水支管道上分别设有支管电控阀，一对所述进水支管道和所述回水支管道之间设置一个所述存放结构，所述进水支管道通过快速接头与所述进水管连接，所述回水支管道分别通过快速接头与所述溢流管和所述排水管连通。
6、优选的，在所述硅料箱体的底部固定有多个矩阵分布的支脚。
7、优选的，还包括控制器，所述控制器分别与所述硅料箱管道电控阀和所述支管电控阀电连接。
8、优选的，还包括电子流量计，所述电子流量计设在所述溢流管和所述排水管之间的所述回水支管道上；所述电子流量计的信号传输端与所述控制器的信号接收端连接。
9、优选的，还包括电导率仪，所述电导率仪的监测探头从所述箱盖穿过置于所述硅料箱体内；所述电导率仪的信号传输端与所述控制器的信号接收端连接。
10、本专利技术的优点：本专利技术通过硅料箱体的进水、溢流和出水设置，配合高纯水系统，实现高纯水液封硅料或硅棒，可避免电子级多晶硅在储存转运期间受环境污染，减少后续清洗工序的工作量，高纯水液封可有效避免空气杂质进入裂纹缝隙，进而有效控制杂质扩散进硅块的深度，使杂质停留在更浅层次的表面，后续清洗环节使用混酸蚀刻时，减小蚀刻厚度。
11、通过减小蚀刻厚度，可减少清洗时间、清洗工序，提高生产效率；减少蚀刻厚度可增加成材率；通过避免污染可降低质量风险；可减少酸用量，降低生产成本；减少废酸处理，更环保。
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1.一种电子级多晶硅料暂存系统，其特征在于，包括若干存放结构和高纯水系统；
2.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅料暂存系统，其特征在于：在所述硅料箱体的底部固定有多个矩阵分布的支脚。
3.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅料暂存系统，其特征在于：还包括控制器，所述控制器分别与所述硅料箱管道电控阀和所述支管电控阀电连接。
4.根据权利要求3所述的一种电子级多晶硅料暂存系统，其特征在于：还包括电子流量计，所述电子流量计设在所述溢流管和所述排水管之间的所述回水支管道上；所述电子流量计的信号传输端与所述控制器的信号接收端连接。
5.根据权利要求3所述的一种电子级多晶硅料暂存系统，其特征在于：还包括电导率仪，所述电导率仪的监测探头从所述箱盖穿过置于所述硅料箱体内；所述电导率仪的信号传输端与所述控制器的信号接收端连接。
【技术特征摘要】
1.一种电子级多晶硅料暂存系统，其特征在于，包括若干存放结构和高纯水系统；
2.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅料暂存系统，其特征在于：在所述硅料箱体的底部固定有多个矩阵分布的支脚。
3.根据权利要求2所述的一种电子级多晶硅料暂存系统，其特征在于：还包括控制器，所述控制器分别与所述硅料箱管道电控阀和所述支管电控阀电连接。
4.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏富增，黄成，吕宏博，赵晓旭，张文，
申请(专利权)人：内蒙古大全半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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