【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电光调制器领域，特别是涉及一种提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构。
技术介绍
1、电光强度调制器是光通信、微波光子信号传输处理及光传感系统中实现电信号到光信号调制转换的核心器件，其性能对系统的整体功能有重要影响。m-z(mach zehnder；马赫曾德尔)型铌酸锂电光调制器具有低损耗、大带宽、高速率、高调制线性度等优点，是目前作为强度调制器使用最广泛的结构，基于该结构的芯片通常具有偏置电极与射频电极两组电极，射频电极用于加载微波信号，偏置电极用于加载偏置信号，这种结构需要很高的偏置导频信号才能实现对光程差的表征与判别。也有仅设置一组电极的m-z型铌酸锂电光调制器，即偏置电极与射频电极复用，射频微波信号与偏置信号通过外置t型偏置器加载到同一组电极上，但是这种结构会影响器件带宽，并会增加调制器的功耗及发热量，并提升电阻损坏风险。
技术实现思路
1、针对上述现有技术的不足，本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构，包括基底、调制器光波导、射频电极组和偏置电极组,所述射频电极组包括第一射频地电极、射频工作电极和第二射频地电极，所述偏置电极组包括位于第一射频地电极远离光输入端一侧的第一偏置电极、位于第二射频地电极远离光输入端一侧的第二偏置电极以及位于射频工作电极远离光输入端一侧的第三偏置电极
4、进一步的，所述射频微波信号用于m-z型电光调制器实现高速电光转换。
5、进一步的，所述射频微波信号通过第一信号源提供，所述第一信号源的信号端与射频工作电极的第一端连接，所述第一信号源的接地端接地。
6、进一步的，所述偏置信号包括偏置导频信号和偏置直流信号，所述偏置导频信号用于表征m-z型电光调制器上、下两臂的光程差，所述偏置直流信号用于调节m-z型电光调制器的上、下两臂光程差。
7、进一步的，所述偏置信号通过第二信号源提供，所述第二信号源的信号端与第一偏置电极的第二端和第二偏置电极的第二端均连接，所述第二信号源的接地端接地。
8、进一步的，所述第一射频地电极的第一端连接有第一隔离器件，所述第一射频地电极的第二端连接有第二隔离器件；所述第二射频地电极的第一端连接有第三隔离器件，所述第二射频地电极的第二端连接有第四隔离器件。
9、进一步的，所述第一隔离器件为第一电容，所述第二隔离器件为第二电容，所述第三隔离器件为第三电容，所述第四隔离器件为第四电容；所述第一射频地电极的第一端通过所述第四隔离器件为第四电容；所述第一射频地电极的第一端通过第一电容接地，所述第一射频地电极的第二端通过第二电容接地；所述第二射频地电极的第一端通过第三电容接地，所述第二射频地电极的第二端通过第四电容接地。
10、进一步的，所述基底为铌酸锂基底。
11、进一步的，所述调制器光波导包括输入直波导、y分支波导、上臂波导、下臂波导、合束区波导和输出直波导；所述输入直波导的第一端作为m-z型电光调制器的光输入端，所述输入直波导的第二端与y分支波导的输入端连接；所述y分支波导的第一输出端通过上臂波导与合束区波导的第一输入端连接，所述上臂波导形成m-z型电光调制器的上臂；所述y分支波导的第二输出端通过下臂波导与合束区波导的第二输入端连接，所述下臂波导形成m-z型电光调制器的下臂；所述合束区波导的输出端与输出直波导的第一端连接，所述输出直波导的第二端作为m-z型电光调制器的光输入出端。
12、进一步的，所述第一射频地电极和第一偏置电极位于上臂波导远离下臂波导的一侧，所述射频工作电极和第三偏置电极位于上臂波导和下臂波导之间，所述第二射频地电极和第二偏置电极位于下臂波导远离上臂波导的一侧。
13、本专利技术中，通过射频地电极与偏置电极的复用实现了导频半波电压的降低，即偏置导频信号作用效果的增强；并通过增加电容实现了直流信号与射频信号的隔离，使射频电信号仅作用于射频电极，偏置直流信号仅作用于偏置电极，但偏置导频信号可同时作用于偏置电极与射频电极，不需外加t型偏置器即实现了偏置导频信号在射频电极和偏置电极的复用，在相同芯片长度下既实现了偏置导频信号调制效果的有效增强，又避免了射频信号与直流信号的相互干扰。同时，由于射频工作电极并未与偏置电极复用，微波电阻也不会因加载直流信号而增加功耗。
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1.一种提升导频信号作用效果的M-Z型电光调制器结构，其特征在于：包括基底、调制器光波导、射频电极组和偏置电极组,所述射频电极组包括第一射频地电极、射频工作电极和第二射频地电极，所述偏置电极组包括位于第一射频地电极远离光输入端一侧的第一偏置电极、位于第二射频地电极远离光输入端一侧的第二偏置电极以及位于射频工作电极远离光输入端一侧的第三偏置电极；所述射频工作电极的第一端连接射频微波信号，第二端通过微波电阻接地；所述第一偏置电极的第一端与第一射频地电极的第二端连接，所述第二偏置电极的第一端与第二射频地电极的第二端连接，所述第一偏置电极的第二端和第二偏置电极的第二端均连接偏置信号，所述第三偏置电极的第一端悬空，第二端连接地。
2.如权利要求1所述的提升导频信号作用效果的M-Z型电光调制器结构，其特征在于：所述射频微波信号用于M-Z型电光调制器实现高速电光转换。
3.如权利要求2所述的提升导频信号作用效果的M-Z型电光调制器结构，其特征在于：所述射频微波信号通过第一信号源提供，所述第一信号源的信号端与射频工作电极的第一端连接，所述第一信号源的接地端接地。
<...【技术特征摘要】
1.一种提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构，其特征在于：包括基底、调制器光波导、射频电极组和偏置电极组,所述射频电极组包括第一射频地电极、射频工作电极和第二射频地电极，所述偏置电极组包括位于第一射频地电极远离光输入端一侧的第一偏置电极、位于第二射频地电极远离光输入端一侧的第二偏置电极以及位于射频工作电极远离光输入端一侧的第三偏置电极；所述射频工作电极的第一端连接射频微波信号，第二端通过微波电阻接地；所述第一偏置电极的第一端与第一射频地电极的第二端连接，所述第二偏置电极的第一端与第二射频地电极的第二端连接，所述第一偏置电极的第二端和第二偏置电极的第二端均连接偏置信号，所述第三偏置电极的第一端悬空，第二端连接地。
2.如权利要求1所述的提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构，其特征在于：所述射频微波信号用于m-z型电光调制器实现高速电光转换。
3.如权利要求2所述的提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构，其特征在于：所述射频微波信号通过第一信号源提供，所述第一信号源的信号端与射频工作电极的第一端连接，所述第一信号源的接地端接地。
4.如权利要求1所述的提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构，其特征在于：所述偏置信号包括偏置导频信号和偏置直流信号，所述偏置导频信号用于表征m-z型电光调制器上、下两臂的光程差，所述偏置直流信号用于调节m-z型电光调制器的上、下两臂光程差。
5.如权利要求4所述的提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构，其特征在于：所述偏置信号通过第二信号源提供，所述第二信号源的信号端与第一偏置电极的第二端和第二偏置电极的第二端均连接，所述第二信号源的接地端接地。
6.如权利要求1所述的提升导频信号作用效果的m-z型电光调制器结构，其特征在于：所述第一射频地电极的第一端连接有第一隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：华勇，李淼淼，胡红坤，李薇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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