【技术实现步骤摘要】
本公开是关于一种存储器装置及其操作方法，特别是关于一种具有补偿单元的存储器装置及其操作方法。
技术介绍
1、在使用不同类型的存储器单元，如浮栅晶体管或半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体(semiconductor-oxide-nitride-oxide-semiconductor，sonos)晶体管的三维(3d)与非门(not and，nand)闪存电路的设计中，存在关于这些单元中的电流的准确性及其对计算准确度的影响的问题。此准确性在运算中的乘法和累加(multiply-and-accumulationoperations，mac)操作期间变得尤其重要，其中串电阻(string resistance)会导致像推论和分类的任务的准确性下降。
2、为了减少串电阻的问题，有一种方法是减小未选定单元的电阻。这可以通过增加那些单元的过驱动电压(vpass-vth)来完成。然而，此方法的挑战在于较高过驱动电压可导致在读取操作期间未选定单元的阈值电压(vth)的改变，从而造成被认知为读取干扰。
3、在各样的方法中，使用补偿单元来解决由单元串行(cell string)内的已编程(programmed)单元引起的导通状态(on-state)电流的下降。此想法是编程相等数目的补偿单元以作为已擦除突触单元(synaptic cell)，如此确保在每一串行中已编程的未选定单元的数量一致。随着网络变得更复杂，相应补偿单元的数目也增加。这需要添加更多单元至串行中以达到补偿，因此需要在3d nand结构中具有额外的存储器单元的垂
技术实现思路
1、本公开的一些实施方式提供一种存储器装置包含存储器阵列，包含多个串行，串行中的每一者包含多个存储器单元和至少一个补偿单元，存储器单元及至少一个补偿单元串行联耦接到多个位线中的对应位线。在读取操作中，串行中的每一者中的至少一个补偿单元具有响应于施加于至少一个补偿单元上的至少一个补偿电压的电阻以将对应位线中的读取电流调整为电流值，其中电阻与耦接到对应位线的存储器单元中的多个已编程单元的数目相关联。
2、在一些实施例中，至少一个补偿单元的电阻与耦接到对应位线的存储器单元中的已编程单元的数目成反比。
3、在一些实施例中，在读取操作中存储器单元中的多个未选定存储器单元通过多个字线接收读取通行电压。至少一个补偿电压小于读取通过电压。
4、在一些实施例中，至少一个补偿单元包含在对应串行中的多个页面中的多个补偿单元。
5、在一些实施例中，补偿单元由存储器单元分开。
6、在一些实施例中，串行中的每一者中的至少一个补偿单元用于根据串行中的对应串行中的已编程单元的数目而编程为具有阈值电压。
7、本公开的一些实施方式提供一种存储器装置的操作方法，包含以下操作：执行第一编程操作以将对应于神经网络的数据写入到存储器阵列，其中存储器阵列包含布置在多个串行中的第一子阵列中的多个存储器单元和第二子阵列中的多个补偿单元；对经选定的多个参考单元执行第一读取操作以取得多个位线中的多个读取电流，其中参考单元中的每一者通过多个位线中的对应者耦接到串行中的对应串；以及在第二读取操作中通过调整施加在补偿单元上的一至少一个补偿电压与补偿单元的阈值电压之间的电压差将读取电流补偿到目标电流值。
8、在一些实施例中，补偿单元耦接到同一字线，其中补偿读取电流包含当读取电流的第一读取电流与目标电流值相差第一值时，施加具有第一电压值的至少一个补偿电压；以及当读取电流的第二读取电流与目标电流值相差第二值时，施加具有第二电压值的至少一个补偿电压。第一值大于第二值，且第一电压值小于第二电压值。
9、在一些实施例中，补偿单元被布置在第二子阵列中的多个页面中。补偿读取电流包含执行一第二编程操作以将页面中的一个页面中的补偿单元的阈值电压调整为大于页面中的剩余页面中的补偿单元的阈值电压。
10、在一些实施例中，参考单元被擦除。
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1.一种存储器装置，包含：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该至少一个补偿单元的该电阻与耦接到该对应位线的这些存储器单元中的这些已编程单元的该数目成反比。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在该读取操作中，这些存储器单元中的多个未选定存储器单元通过多个字线接收一读取通行电压，
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该至少一个补偿单元包含在一对应串行中的多个页面中的多个该补偿单元。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中这些补偿单元由这些存储器单元分开。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中这些串行中的每一者中的该至少一个补偿单元用于根据这些串行中的一对应串行中的该已编程单元的数目而编程为具有阈值电压。
7.一种存储器装置的操作方法，包含：
8.根据权利要求7所述的方法，其中这些补偿单元耦接到同一字线，
9.根据权利要求7所述的方法，其中这些补偿单元被布置在该第二子阵列中的多个页面中，
10.根据权利要求7所述的方法，其中这些参考单元被擦除。
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包含：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该至少一个补偿单元的该电阻与耦接到该对应位线的这些存储器单元中的这些已编程单元的该数目成反比。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在该读取操作中，这些存储器单元中的多个未选定存储器单元通过多个字线接收一读取通行电压，
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该至少一个补偿单元包含在一对应串行中的多个页面中的多个该补偿单元。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中这些...
【专利技术属性】
技术研发人员：周佑亮，蔡文哲，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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