【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构。
技术介绍
1、芯片内埋在基板内是一种先进的封装形式，通过将裸芯片内嵌在基板内，可以大幅度降低芯片与基板表面封装元件以及芯片间信号传输距离，减小信号传输损耗，提高信号传输质量；同时减小封装尺寸，压缩器件使用空间。
2、目前，芯片内埋基板主要的制造方法是在印刷线路板芯板中通过挖腔，将裸芯片嵌入后，用树脂填埋，再在芯板两侧进行多层布线形成基板。
3、现有芯片内埋基板制造方法中，基板的一面填埋树脂后进行单面压合过程中，由于结构的不对称性容易发生严重翘曲。基板的另一面进行绝缘层压合和固化烘烤过程中，基板又被压平，如此基板从翘曲到压平形成反复的弯折，固化的内埋树脂由于模量较高，过度翘曲和压平会导致刚性树脂开裂，刚性的内埋树脂和芯片界面结合力较弱，也会导致界面开裂。树脂开裂和芯片界面分离，可能导致内埋基板失效，甚至内埋基板在潮湿环境中，开裂界面水汽富集，导致内埋基板烧毁等严重的可靠性问题。因此，在基板加工制造中如何降低基板翘曲，是加工制造内埋基板的技术难题，是提高内埋基板可靠性的重要问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种内埋芯片基板的制造方法，包括步骤：
4、基板开窗，在基板上开设用于容置芯片的容置腔，所述基板的两面分别为第一键合面和填埋树脂面；
5、第一临时键合，将第一键合材料层键合于所述第一键合面，所述第一键合材料层包括依次层叠的发泡膜、支撑膜和压敏胶膜，且所述第一键合材料层的发泡膜与基板键合，且所述第一键合材料层背离所述基板的一侧固定有第一支撑板；
6、贴芯片，将芯片设置于所述容置腔内；
7、第一压合填埋树脂，在所述基板的填埋树脂面压合填埋树脂以形成第一树脂层，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面；
8、第二临时键合，将第二键合材料层键合于所述第二键合面，所述第二键合材料层包括依次层叠的发泡膜、支撑膜和压敏胶膜，且所述第二键合材料层的发泡膜与第一树脂层键合，且所述第二键合材料层背离所述第一树脂层的一侧固定有第二支撑板，并进行第一次预固化；
9、第一解键合，将所述第一键合材料层的发泡膜和第一键合面解键合以去除所述第一键合材料层和第一支撑板；
10、第二压合填埋树脂，在所述基板的第一键合面压合填埋树脂以形成第二树脂层，并进行第二次预固化；
11、第二解键合，将所述第二键合材料层的发泡膜与第一树脂层解键合以去除所述第二键合材料层和第二支撑板；
12、盲孔加工，在上一步骤形成的结构的上表面和下表面开设盲孔；
13、电路制作，在上一步骤形成的结构的上表面和下表面加工电路；
14、树脂绝缘层加工，在上一步骤形成的结构中的上表面和下表面均设置树脂绝缘层，且进行预固化；
15、制作中间电路，重复n次盲孔加工、电路制作以及树脂绝缘层加工步骤，n≥0，以形成n层中间电路，且第n次树脂绝缘层加工步骤中不进行预固化，并在第n次树脂绝缘层加工步骤形成的树脂绝缘层表面压合铜箔后进行预固化，以使形成结构中的树脂绝缘层固化至50％以上；
16、固化，将上一步骤形成的结构在层压机中，在镜面钢板夹持下，预设真空度及预设压力下，使结构中树脂固化至90％以上；
17、制造外层电路，在固化后的结构上进行盲孔加工和电路制作步骤，以形成外层电路；
18、制作阻焊层，在所述外层电路表面制作阻焊层；
19、涂层，在所述制作阻焊层之后形成的结构表面涂覆涂层。
20、在一种实现方式中，所述第一解键合之后还包括步骤：第一清洗，清洗所述第一键合面；和/或，
21、所述第二解键合之后还包括步骤：第二清洗，清洗所述第二键合面。
22、在一种实现方式中，所述第一次预固化具体为：将该步骤形成的结构中的树脂固化至50％以上；或者，所述第一次预固化具体为：将该步骤形成的结构置于130℃-150℃恒温环境中保持30min-60min以使结构中的树脂进行预固化。
23、在一种实现方式中，所述第二次预固化具体为：将该步骤形成的结构中的树脂固化度至80％以上；或者，所述第二次预固化具体为：将该步骤形成的结构置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min使结构中的树脂预固化。
24、在一种实现方式中，所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为：将结构中的树脂绝缘层固化度至70％-80％；或者，所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为：将形成的结构置于95℃-105℃恒温环境中保持25min-35min之后，再置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min。
25、在一种实现方式中，所述第一压合填埋树脂步骤、第二压合填埋树脂步骤以及绝缘层加工步骤中所采用的原料均为abf树脂片，所述abf树脂片包括abf本层、贴合在所述abf本层第一侧的opp膜以及贴合在所述abf本层第二侧的pet膜。
26、在一种实现方式中，所述第一压合填埋树脂步骤具体为：去除所述abf树脂片的opp膜，并使所述abf树脂片的第一侧压合在所述基板的填埋树脂面以形成第一树脂层，并进行第一次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至50％以上，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面且保留有pet膜；和/或，
27、所述第二压合填埋树脂步骤具体为，去除所述abf树脂片的opp膜，并使所述abf树脂片的第一侧压合在所述基板的第一键合面以形成第二树脂层，并进行第二次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至70％以上，所述第二树脂层保留pet膜。
28、在一种实现方式中，第一次预固化的固化温度低于所述第一键合材料层的解键合温度；或，
29、所述第一键合材料层的解键合温度低于第二键合材料层的解键合温度。
30、一种临时键合结构，包括：
31、基板，所述基板开设有用于容置芯片的容置腔，且所述基板的两面分别为第一键合面和填埋树脂面；
32、芯片，所述芯片设置于所述容置腔内；
33、第一键合材料层和第一支撑板，所述第一键合材料层与所述第一键合面键合，所述第一键合材料层包括依次层叠的发泡膜、支撑膜和压敏胶膜，且所述第一键合材料层的发泡膜与基板键合，所述第一支撑板与所述第一键合材料层的压敏胶膜键合；
34、第一树脂层，所述第一树脂层位于所述基板的填埋树脂面，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面；
35、第二键合材料层和第二支撑板，所述第二键合材料层与所述第二键合面键合，所述第二键合材料层包括依次层叠的发泡膜、支撑膜和压敏胶膜，且所述第二键合材料层的发泡膜与第一树脂层键合，所述第二支撑板与所述第一键合材料层的压本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一解键合之后还包括步骤：第一清洗，清洗所述第一键合面；和/或，
3.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一次预固化具体为：将该步骤形成的结构中的树脂固化至50％以上；或者，所述第一次预固化具体为：将该步骤形成的结构置于130℃-150℃恒温环境中保持30min-60min以使结构中的树脂进行预固化。
4.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第二次预固化具体为：将该步骤形成的结构中的树脂固化度至80％以上；或者，所述第二次预固化具体为：将该步骤形成的结构置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min使结构中的树脂预固化。
5.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为：将结构中的树脂绝缘层固化度至70％-80％；或者，所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为：将形成的结构置于95℃-105℃恒温环境中保持
6.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一压合填埋树脂步骤、第二压合填埋树脂步骤以及绝缘层加工步骤中所采用的原料均为ABF树脂片，所述ABF树脂片包括ABF本层、贴合在所述ABF本层第一侧的OPP膜以及贴合在所述ABF本层第二侧的PET膜。
7.根据权利要求6所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一压合填埋树脂步骤具体为：去除所述ABF树脂片的OPP膜，并使所述ABF树脂片的第一侧压合在所述基板的填埋树脂面以形成第一树脂层，并进行第一次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至50％以上，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面且保留有PET膜；和/或，
8.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，第一次预固化的固化温度低于所述第一键合材料层的解键合温度；或，
9.一种临时键合结构，其特征在于，包括：
10.根据权利要求1-8中任一项所述内埋芯片基板的制造方法或权利要求9所述的临时键合结构，其特征在于，所述芯片的背面与所述第一键合材料层的发泡膜键合。
11.根据权利要求1-8中任一项所述内埋芯片基板的制造方法或权利要求9所述的临时键合结构，其特征在于，所述第一支撑板和/或第二支撑板为双面覆铜板、金属板、玻璃板或陶瓷板；和/或，所述第一支撑板和/或第二支撑板的厚度大于0.2mm。
...【技术特征摘要】
1.一种内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一解键合之后还包括步骤：第一清洗，清洗所述第一键合面；和/或，
3.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第一次预固化具体为：将该步骤形成的结构中的树脂固化至50％以上；或者，所述第一次预固化具体为：将该步骤形成的结构置于130℃-150℃恒温环境中保持30min-60min以使结构中的树脂进行预固化。
4.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述第二次预固化具体为：将该步骤形成的结构中的树脂固化度至80％以上；或者，所述第二次预固化具体为：将该步骤形成的结构置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min使结构中的树脂预固化。
5.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为：将结构中的树脂绝缘层固化度至70％-80％；或者，所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为：将形成的结构置于95℃-105℃恒温环境中保持25min-35min之后，再置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min。
6.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：于中尧，杨芳，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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