System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 陶瓷基板及其制备方法技术_技高网

陶瓷基板及其制备方法技术

技术编号:43343213 阅读:0 留言:0更新日期:2024-11-15 20:39
本发明专利技术公开了一种陶瓷基板及其制备方法,涉及电子封装材料技术领域,其中,陶瓷基板包括叠层设置的多个生瓷带,生瓷带具有相对的第一表面和第二表面,多个生瓷带的第一表面/第二表面的朝向相同。本发明专利技术提供的陶瓷基板的各个生瓷带的方向一致,这样可以使得各层生瓷带之间具有良好的界面结合,进而改善了烧结时容易出现分层的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子封装材料,特别涉及一种陶瓷基板及其制备方法


技术介绍

1、目前常用的电子封装材料主要有塑料基板、金属基板、陶瓷基板和复合基板四大类,其中,陶瓷基板具有优良的电绝缘性能、高导热性能、优异的软钎焊性能和较高的附着强度,并且可以像pcb板一样刻蚀出各种图形,具有很大的载流能力。因此,陶瓷基板被广泛应用于大功率电力半导体模块、功率控制电路、汽车电子、航天航空、军用电子组件以及太阳能电池板组件等领域。

2、但是,现有的陶瓷基板在烧结时存在易分层的问题,导致产品烧结良率低。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提出一种陶瓷基板及其制备方法,旨在改善陶瓷基板在烧结时存在的分层问题。

2、为实现上述目的,本专利技术提出的陶瓷基板包括叠层设置的多个生瓷带,生瓷带具有相对的第一表面和第二表面,多个生瓷带的第一表面/第二表面的朝向相同。

3、在一实施方式中,生瓷带的厚度为30-60μm。

4、在一实施方式中,陶瓷基板的厚度为0.1-2.0mm。

5、本专利技术还提供一种陶瓷基板的制备方法,包括以下步骤:

6、将多个生瓷带叠层设置,生瓷带具有相对的第一表面和第二表面,控制多个生瓷带的第一表面/第二表面的朝向相同;

7、对叠层设置的生瓷带抽真空后进行等静压成型;

8、对等静压成型后的生瓷带进行烧结即可获得陶瓷基板。

9、在一实施方式中,等静压成型的参数为:温度50-80℃、压力50-100mpa、保压时间10-20min。

10、在一实施方式中,烧结包括第一阶段烧结和第二阶段烧结;

11、第一阶段烧结的参数为:从室温到第一烧结温度,升温速率0.1-0.5℃/min、保温时间4-6h,第一烧结温度为500-1000℃;和/或,

12、第二阶段烧结的参数为:从第一烧结温度到第二烧结温度,升温速率0.5-1℃/min、保温时间2-4h,第二烧结温度为1450-1600℃。

13、在一实施方式中,陶瓷基板的制备方法还包括生瓷带的制作,具体包括以下步骤:

14、将氧化铝粉、分散剂加入溶剂中进行研磨混合得到浆料i,之后再将增塑剂和粘结剂加入浆料i中研磨混合得到浆料ii;

15、将浆料ii流延形成生瓷带。

16、在一实施方式中,氧化铝粉的添加量为40wt%-60wt%,分散剂的添加量为1wt%-3wt%,增塑剂的添加量为2wt%-5wt%,粘结剂的添加量为5wt%-10wt%,余量为溶剂。

17、在一实施方式中,氧化铝粉的纯度大于99%,粒径d50为0.5-1.0μm;和/或,

18、分散剂为三油酸甘油酯;和/或,

19、增塑剂选自邻苯二甲酸二辛酯、聚乙二醇中的至少一种;和/或,

20、粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛;和/或,

21、溶剂为醇与酯的混合物,且醇与酯的质量比为1~3:7~9。

22、在一实施方式中,醇选自乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇中的至少一种;和/或,

23、酯选自乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一种。

24、本专利技术的技术方案设置陶瓷基板的各个生瓷带的方向一致,即设置多个生瓷带的第一表面/第二表面的朝向相同,这样可以使得各层生瓷带之间具有良好的界面结合,因为生瓷带在流延形成过程中,朝向载带膜面的表面和朝向空气的表面中溶剂等的干燥挥发速率不一致,而朝向载带膜面的表面粘性较大,当设置多个生瓷带的方向一致时,每个生瓷带朝向载带膜面的表面均可与相邻生瓷带朝向空气的表面贴合,保证了界面之间的结合力,进而改善了烧结时容易出现分层的现象。

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【技术保护点】

1.一种陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板包括叠层设置的多个生瓷带,所述生瓷带具有相对的第一表面和第二表面,多个所述生瓷带的第一表面/第二表面的朝向相同。

2.如权利要求1所述的陶瓷基板,其特征在于,所述生瓷带的厚度为30-60μm。

3.如权利要求1或2所述的陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板的厚度为0.1-2.0mm。

4.一种陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

5.如权利要求4所述的陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述等静压成型的参数为:温度50-80℃、压力50-100MPa、保压时间10-20min。

6.如权利要求4所述的陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述烧结包括第一阶段烧结和第二阶段烧结;

7.如权利要求4所述的陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述陶瓷基板的制备方法还包括生瓷带的制作,具体包括以下步骤:

8.如权利要求7所述的陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述氧化铝粉的添加量为40wt%-60wt%,所述分散剂的添加量为1wt%-3wt%,所述增塑剂的添加量为2wt%-5wt%,所述粘结剂的添加量为5wt%-10wt%,余量为溶剂。

9.如权利要求7或8所述的陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述氧化铝粉的纯度大于99%,粒径D50为0.5-1.0μm;和/或,

10.如权利要求9所述的陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述醇选自乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇中的至少一种;和/或,

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【技术特征摘要】

1.一种陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板包括叠层设置的多个生瓷带,所述生瓷带具有相对的第一表面和第二表面,多个所述生瓷带的第一表面/第二表面的朝向相同。

2.如权利要求1所述的陶瓷基板,其特征在于,所述生瓷带的厚度为30-60μm。

3.如权利要求1或2所述的陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板的厚度为0.1-2.0mm。

4.一种陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

5.如权利要求4所述的陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述等静压成型的参数为:温度50-80℃、压力50-100mpa、保压时间10-20min。

6.如权利要求4所述的陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述烧结包括第一阶段烧结和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡传灯张现利李珊珊
申请(专利权)人:广东环波新材料有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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