【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，具体而言，涉及一种宽带射频端口雷电间接效应防护方法、电路、射频连接器及设备。
技术介绍
1、航空机载设备之一的电子对抗设备射频端口的雷电间接效应防护通常采用在射频端口后串接雷电防护滤波器实现。雷电防护滤波器主要采用气体放电管将雷电流泻放到外壳体，如公开号为cn110233473a的专利公开了采用多级器件组合使用气体放电管，实现高频，低频，雷电信号分别处理。公开号为cn212033366u的专利公开了通过长度为波长1/4或1/8进行泻放到外壳体。以上技术存在多种器件组合使用，导致单个射频通道体积过大的缺陷或者加工精度要求高等问题。以上问题，导致在采用微波阵列收发的小型化机载设备中难以应用，因此，宽带机载电子对抗设备的射频端口较少采取雷电间接效应防护措施。
技术实现思路
1、针对上述存在的问题，本专利技术旨在提供一种宽带射频端口雷电间接效应防护方法、电路、射频连接器及设备，通过单一器件——电容实现宽带(2ghz～18ghz)的射频端口雷电间接效应防护功能，具有体积小、宽带、射频插损低的特性，适用于sma型、n型、ssma型、tnc型等各种类型射频连接器。
2、本专利技术提供的一种宽带射频端口雷电间接效应防护方法，包括：
3、采用单一器件实现宽带射频端口雷电间接效应防护；
4、该单一器件为电容。
5、一个实施例中，所述电容有1个或多个。
6、一个实施例中，当所述电容有多个时，每个电容串联。
7、作
8、一个实施例中，所述电容为微波电容。
9、一个实施例中，所述微波电容具有耐压要求。
10、本专利技术还提供一种宽带射频端口雷电间接效应防护电路，其特征在于，包括1个或多个串联的电容。
11、本专利技术还提供一种射频连接器，包括：
12、射频插座以及设置在射频插座中的宽带射频端口雷电间接效应防护电路；
13、所述宽带射频端口雷电间接效应防护电路为上述的宽带射频端口雷电间接效应防护电路。
14、一个实施例中，所述射频连接器为sma型、n型、ssma型和tnc型的射频连接器中的一种。
15、本专利技术还提供一种射频设备，包括依次连接的射频输入端口、射频连接器、射频功能电路和低频功能电路；
16、所述射频连接器为上述的射频连接器。
17、综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：
18、1、本专利技术通过单一器件——电容实现宽带射频端口雷电间接效应防护功能，相比现有技术，无需考虑电路与壳体接地泻放雷电流。
19、2、本专利技术适用于2ghz～18ghz的低功率射频端口。
20、3、本专利技术引入射频链路中的防雷电路驻波系数典型值1.5，插损典型值0.8db，具有驻波低，插损低的优点。
21、4、本专利技术能够集成到sma型、n型、ssma型、tnc型等各种类型射频连接器内，无需复杂调试工作，在微组装后即可进行本级产品性能测试，具有生产简单的特点。
22、5、在需要雷电间接效应防护的射频端口，串接本专利技术的射频连接器，通过rtca/do-160g《机载设备环境条件和试验方法》第22部分雷电感应瞬态敏感度中的针脚注入试验等级a3波形3/3、4/1的试验验证(即最高耐受600v模拟雷电信号)，插针/插孔注入试验后射频链路功能、性能完好，通过试验考核。
23、6、本专利技术具有使用场景灵活，可灵活嵌入需要进行射频端口雷电间接效应防护的射频设备中，仅需将原sma型射频连接器更换为本专利技术的射频连接器，而无需改变原射频设备内模块的设计。
24、7、本专利技术也可以集成如射频设备的第一级微波模块的入口处，替换掉微波组件中的esd(electro-static discharge，静电释放)电容，对原微波模块的尺寸基本无影响。
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1.一种宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，所述电容有1个或多个。
3.根据权利要求2所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，当所述电容有多个时，每个电容串联。
4.根据权利要求3所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，所述电容有2个。
5.根据权利要求1-4任一项所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，所述电容为微波电容。
6.根据权利要求5所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，所述微波电容具有耐压要求。
7.一种宽带射频端口雷电间接效应防护电路，其特征在于，包括1个或多个串联的电容。
8.一种射频连接器，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的射频连接器，其特征在于，所述射频连接器为SMA型、N型、SSMA型和TNC型的射频连接器中的一种。
10.一种射频设备，其特征在于，包括依次连接的射频输入端口、射频连接器、射频功能电路和低频
...【技术特征摘要】
1.一种宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，所述电容有1个或多个。
3.根据权利要求2所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，当所述电容有多个时，每个电容串联。
4.根据权利要求3所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，所述电容有2个。
5.根据权利要求1-4任一项所述的宽带射频端口雷电间接效应防护方法，其特征在于，所述电容为微波电容。
【专利技术属性】
技术研发人员：刘民，何治军，陈森，赵志强，赵贤，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：
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