【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及导热性有机硅组合物，其在半导体蚀刻装置中的用于抑制被蚀刻处理的被处理基板的温度上升的导热部件中使用，详细地说，涉及在由设置于被处理基板的外周部的聚焦环和通过冷却单元冷却或具有冷却机构部的载置台夹持设置的导热部件中使用的、在低温区域也可得到稳定的密合性的导热性有机硅组合物。
技术介绍
1、在基于干蚀刻的半导体的制造步骤中，如图1的(a)和(b)所示，在处理腔室内将晶片等的被处理基板w载置在基板载置单元1上并照射等离子体等，由此对被处理基板实施规定的蚀刻处理。基板载置单元1具有：载置台2(以下，也称为下部电极单元2)，其具有载置并通过静电卡盘方式等固定晶片w的卡盘机构部2a和作为下部电极发挥功能的支撑台2b；聚焦环3(也称为边缘环)，其配置于该载置台2的外周缘部；和冷却单元4。载置台2通过冷却单元4被冷却，将蚀刻处理中的晶片w和聚焦环3的温度调整为最合适的条件。此外，也存在聚焦环3经由导热部件以外的其他附属零件配置于载置台2的结构，但在本说明书中，将附属零件安装于载置台的构造体也统称为载置台2。
2、对晶片的蚀刻处理是在将晶片w载置在载置台2上后，在将处理腔室内保持为规定的真空度的状态下，用静电卡盘等卡盘机构部2a固定晶片w，在与下部电极单元2相对设置的上部电极(未图示)和下部电极单元2之间施加高频电压，在处理腔室内产生等离子体，从而对晶片w的表面进行蚀刻加工。
3、在该等离子体蚀刻加工中，聚焦环3发挥缓和晶片w的边缘附近区域的等离子体的不连续性、均匀地对晶片w的整个表面进行等离子体处理的功
4、作为防止聚焦环3的温度上升的对策，如图2(a)和(b)所示，提出了在载置台2与聚焦环3之间配设导热部件5以使聚焦环3的热量经由导热部件5移动至载置台2的方法。例如，在专利文献1中公开了一种被处理体的载置装置，其在载置台与聚焦环之间设置有传热介质，并且设置有将聚焦环按压、固定于载置台的按压单元，在专利文献2中提出了一种被处理体的载置装置，所述载置装置具有：第1冷却机构，所述第1冷却机构设置有通过静电力将被处理体吸附于载置面的第1静电吸附单元、和通过比第1静电吸附单元大的静电力将聚焦环吸附于载置面的外周缘部的第2静电吸附单元，并且在载置台的内部形成有制冷剂流路，使由流体构成的第1冷却介质在该制冷剂流路内流通，并经由第1、第2静电吸附单元冷却被处理体和聚焦环；和第2冷却机构，所述第2冷却机构在载置台的内部形成有气体供给路，向该气体供给路内供给由气体构成的第2冷却介质并将其吹到被处理体和上述聚焦环各自的背面侧，分别冷却被处理体和上述聚焦环。另外，在专利文献3中提出了如下方法：在聚焦环与载置台之间配置导热片，并且在被处理基板的处理之前，将腔室内抽吸成真空，之后将腔室内的压力复压成大气压或轻减压状态，由此除去导热片与载置面之间的细缝的空气，使导热片紧贴于载置面，从而改善聚焦环的导热。
5、另一方面，近年来，如三维构造的nand型闪存(3d-nand)那样，以多层化构造谋求半导体存储器的大容量化，为了比以往更深地对晶片进行蚀刻，等离子体蚀刻的大功率化正在进展。随着等离子体的大功率化，在蚀刻加工时，由于等离子体的热量，晶片和聚焦环的温度变得比现有方法的高。因此，为了提高冷却晶片和聚焦环的冷却机构的冷却能力，需要将载置台的温度设定为更低的温度。因此，例如，在专利文献4中，提出了一种蚀刻方法，其具有以下步骤：将基板的表面温度冷却到小于等于-40℃；通过等离子体生成用的高频电力生成含有氢和氟的气体的等离子体；和通过生成的等离子体对上述层叠膜进行蚀刻。
6、【现有技术文献】
7、【专利文献】
8、【专利文献1】日本特开2002-16126号公报
9、【专利文献2】日本特开2002-33376号公报
10、【专利文献3】日本专利第4695606号公报
11、【专利文献4】日本特开2022-36899号公报
12、【专利文献5】日本专利第2623380号公报
技术实现思路
1、【专利技术要解决的问题】
2、但是，在这样的蚀刻加工中，在应用了在载置台与聚焦环之间配设导热部件并使聚焦环的热量经由导热部件移动至载置台的方法的情况下，与载置台接触的导热部件的表面及其附近由于载置台的低温化而变硬，载置台与导热部件的密合性降低，因此，热阻变大，产生聚焦环的冷却性能降低的不良情况的风险变高。
3、作为改善该问题的方法，有效的是应用即使在低温区域也具有柔软性、难以变硬的导热部件，例如在专利文献5中公开了一种有机硅组合物，其含有：具有特定官能团的含乙烯基的有机聚硅氧烷；一分子中含有至少1个与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷；铂族金属系催化剂；以及氧化铝粉末，该氧化铝粉末是平均粒径为小于等于50μm的基本为球状的粉末，在121℃、2个气压、100％ rh的气氛下经20小时提取的碱金属离子和卤素离子的含量分别为小于等于5ppm，并且，该有机硅组合物形成针入度为20至100的硅凝胶。
4、然而，在导热部件的一部分以暴露于真空和高温环境即等离子体环境的配置安装于载置台的情况下，由于因等离子体暴露而产生自由基，作为导热部件使用的硅凝胶的劣化从暴露部分进展，此时由于等离子体的大功率化，该劣化更容易进展。因此，在抑制在等离子体环境下(真空和高温环境下)产生的劣化的、耐等离子体环境劣化性的观点上，存在改良的余地。因此，本专利技术是为了解决现有技术的上述问题而提出的，其目的是提供一种导热性有机硅组合物，其能够形成兼具低温下的柔软性和耐等离子体环境劣化性的固化物。
5、另外，本专利技术的第二个目的是提供一种解决上述问题的导热部件或半导体蚀刻装置用的导热部件。
6、【用于解决课题的手段】
7、为了解决上述课题，本专利技术的导热性有机硅组合物包含有机硅树脂成分和导热性填料(c)，所述有机硅树脂成分含有：至少在两末端具有烯基的有机聚硅氧烷(a)、一分子中具有至少1个与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷(b)和氢化硅烷化催化剂(d)，有机聚硅氧烷(a)为分子中具有至少1个苯基的苯基改性有机聚硅氧烷，有机氢聚硅氧烷(b)为分子中具有至少1个苯基的苯基改性有机氢聚硅氧烷，导热性填料(c)的配合比例相对于有机硅树脂成分100重量份为200至1500重量份，导热性有机硅组合物的固化物的硬度以asker c硬度(按照jis k6249标准)衡量为小于等于70，且在真空度500pa(绝对压力)、200℃的环境下加热24小时后的硬度以asker c硬度(按照jis k6249标准)衡量本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种导热性有机硅组合物，所述导热性有机硅组合物包含有机硅树脂成分和导热性填料(C)，所述有机硅树脂成分含有：至少在两末端具有烯基的有机聚硅氧烷(A)、一分子中具有至少1个与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷(B)、和氢化硅烷化催化剂(D)，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，所述有机硅树脂成分的交联反应后的硬度以稠度(按照JIS K2220 1/4锥标准)衡量为小于等于110。
3.根据权利要求1或2所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，还包含热稳定剂(E)。
4.根据权利要求3所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，所述热稳定剂(E)的配合比例相对于所述有机硅树脂成分100重量份为0.1至20重量份。
5.根据权利要求3或4所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，所述热稳定剂(E)为具有自由基捕获性的金属氧化物或碳系热稳定剂。
6.一种导热部件，其特征在于，由根据权利要求1至5中任一项所述的导热性有机硅组合物的固化物形成。
7.一种半导体蚀刻装置用的导热部件，其特征在于，由
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种导热性有机硅组合物，所述导热性有机硅组合物包含有机硅树脂成分和导热性填料(c)，所述有机硅树脂成分含有：至少在两末端具有烯基的有机聚硅氧烷(a)、一分子中具有至少1个与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷(b)、和氢化硅烷化催化剂(d)，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，所述有机硅树脂成分的交联反应后的硬度以稠度(按照jis k2220 1/4锥标准)衡量为小于等于110。
3.根据权利要求1或2所述的导热性有机硅组合物，其特征在于，还包含热稳定剂(e)。
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