【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种处理液、试剂盒、处理液的制造方法、基板的清洗方法及基板的处理方法。
技术介绍
1、使用光刻技术，在基板上形成微细的电子电路图案来制造ccd(charge-coupleddevice，电荷耦合器件)及存储器等半导体器件。半导体器件例如通过在基板上配置作为配线材料的金属层及具有蚀刻停止膜及层间绝缘膜的层叠体，在该层叠体上形成抗蚀剂膜，并实施光刻工序及干式蚀刻工序(例如，等离子体蚀刻处理)来制造。
2、具体而言，在光刻工序中，将所获得的抗蚀剂膜作为掩模，通过干式蚀刻处理对基板上的金属层和/或层间绝缘膜进行蚀刻。
3、此时，源自金属层和/或层间绝缘膜等的残渣有时附着于基板、金属层和/或层间绝缘膜。为了去除该附着的残渣，通常多为进行使用处理液的清洗。
4、并且，关于蚀刻时用作掩模的抗蚀剂膜，之后通过基于灰化(ashing)的干式方法(干灰化)或湿式方法等而从层叠体去除。使用干灰化方法来去除抗蚀剂的层叠体中有时附着源自抗蚀剂膜等的残渣。为了去除该附着的残渣，通常多为进行使用处理液的清洗。
5、另一方面，作为用于去除抗蚀剂膜的湿式方法，可举出使用处理液来去除抗蚀剂膜的方式。
6、如上所述，处理液在半导体器件制造工序中用于去除残渣(蚀刻残渣及灰化残渣)和/或抗蚀剂膜等。
7、例如，在专利文献1中公开了一种包含氧化还原剂、2种螯合剂、金属腐蚀抑制剂、有机溶剂、水及所期望的ph调节剂的清洗用组合物。
8、以往技术文献
9、专利文献>
10、专利文献1：美国专利第9562211号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、本专利技术人等对专利文献1中所记载的处理液(清洗组合物)进行研究的结果，明确了关于上述处理液具有对成为配线材料及插塞材料等的金属层(例如，包含钴的金属层等)的耐腐蚀性具有进一步改善的空间。
3、因此，本专利技术的课题为提供一种半导体器件用处理液，前述半导体器件用处理液为相对于金属层的耐腐蚀性优异的处理液。
4、并且，本专利技术的课题为提供一种试剂盒、上述处理液的制造方法、使用上述处理液的基板的清洗方法及使用上述处理液的基板的处理方法。
5、用于解决技术课题的手段
6、本专利技术人等为了解决上述课题而进行深入研究的结果，发现了能够通过处理液包含特定的有机溶剂的组合来解决上述课题，从而完成了本专利技术。
7、即，发现了通过以下的结构能够解决上述课题。
8、〔1〕一种处理液，其为半导体器件用处理液，所述处理液包含水及有机溶剂，有机溶剂是由有机溶剂a及有机溶剂b构成的组合，且至少包含后述的组合1～6中的任一个组合，所述处理液的ph为5以上。
9、〔2〕根据〔1〕所述的处理液，其中，
10、作为组合1～6而包含于处理液中的有机溶剂a及有机溶剂b满足有机溶剂a的含量相对于有机溶剂b的含量的比例以质量比计为1.0～1.0×104的条件。
11、〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的处理液，其还包含去除剂。
12、〔4〕根据〔3〕所述的处理液，其中，
13、去除剂包含选自氢氟酸、氟化铵、四甲基氟化铵、多元羧酸及聚氨基羧酸中的至少1种。
14、〔5〕根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的处理液，其还包含ph调节剂。
15、〔6〕根据〔5〕所述的处理液，其中，
16、ph调节剂包含选自含氮脂环化合物、氢氧化铵、水溶性胺、季铵盐、硫酸、盐酸及乙酸中的至少1种。
17、〔7〕根据〔1〕至〔6〕中任一项所述的处理液，其还包含钴离子。
18、〔8〕根据〔7〕所述的处理液，其中，
19、钴离子为源自选自氟化钴、氯化钴、氢氧化钴、氧化钴及硫酸钴中的至少1种钴离子源的钴离子。
20、〔9〕根据〔7〕或〔8〕所述的处理液，其中，
21、有机溶剂a的含量相对于钴离子的含量的比例以质量比计为1.0×106～1.0×1010。
22、〔10〕根据〔7〕至〔9〕中任一项所述的处理液，其中，
23、水的含量相对于处理液的总质量为10.0～98.0质量％，有机溶剂的总含量相对于处理液的总质量为1.0～90.0质量％，钴离子的含量相对于处理液的总质量为0.001～1000质量ppb。
24、〔11〕根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的处理液，其中，
25、处理液中的ca成分的含量相对于na成分的含量的比例以质量比计为0.8～1.2。
26、〔12〕根据〔1〕至〔11〕中任一项所述的处理液，其还包含选自羟胺、羟胺衍生物及它们的盐中的至少1种羟胺化合物。
27、〔13〕根据〔1〕至〔12〕中任一项所述的处理液，其还包含腐蚀抑制剂。
28、〔14〕根据〔13〕所述的处理液，其中，
29、腐蚀抑制剂包含选自由后述的式(a)表示的化合物、由后述的式(b)表示的化合物、由后述的式(c)表示的化合物及经取代或未经取代的四唑中的至少1种化合物。
30、〔15〕根据〔1〕至〔14〕中任一项所述的处理液，其用作用于去除蚀刻残渣的清洗液、用于去除图案形成中所使用的抗蚀剂膜的溶液、用于从化学机械研磨后的基板去除残渣的清洗液、或者蚀刻液。
31、〔16〕根据〔1〕至〔11〕中任一项所述的处理液，其还包含选自羟胺、羟胺衍生物及它们的盐中的至少1种羟胺化合物以及螯合剂。
32、〔17〕根据〔16〕所述的处理液，其中，
33、螯合剂包含与多氨基多羧酸不同的、具有至少2个含氮基团的含氮螯合剂。
34、〔18〕根据〔17〕所述的处理液，其中，
35、含氮螯合剂为选自由后述的式(i)～式(iv)表示的化合物及它们的盐的化合物。
36、〔19〕一种试剂盒，其为用于制备〔16〕至〔18〕中任一项所述的处理液，前述试剂盒中具备包含羟胺化合物的第1液及包含螯合剂中的至少1种的第2液，水、有机溶剂a及有机溶剂b分别包含于第1液及第2液中的至少一种中。
37、〔20〕一种试剂盒，其具备〔1〕至〔18〕中任一项所述的处理液及选自水、异丙醇及包含氢氧化铵的溶剂中的稀释液。
38、〔21〕一种处理液的制造方法，其为制造〔16〕至〔18〕中任一项所述的处理液的方法，前述制造方法包括：
39、金属去除工序，从包含螯合剂的原料中去除金属来获得包含螯合剂的纯化物；及
40、处理液制备工序，使用纯化物来制备处理液。
41、〔22〕根据〔21〕所述的处理液的制造方法，其中，
42、金属去除工序包括使原料通过选自螯合树脂及离子交换树脂中的至少一个树脂的工序。
43、〔23〕根据〔21〕或〔22〕所述的处理液的制造方法，其中，
44、纯本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种处理液，其为半导体器件用处理液，
2.根据权利要求1所述的处理液，其中，
3.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含去除剂。
4.根据权利要求3所述的处理液，其中，
5.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含pH调节剂。
6.根据权利要求5所述的处理液，其中，
7.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含钴离子。
8.根据权利要求7所述的处理液，其中，
9.根据权利要求7所述的处理液，其中，
10.根据权利要求7所述的处理液，其中，
11.根据权利要求1或2所述的处理液，其中，
12.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含选自羟胺、羟胺衍生物及它们的盐中的至少1种羟胺化合物。
13.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含腐蚀抑制剂。
14.根据权利要求13所述的处理液，其中，
15.根据权利要求1或2所述的处理液，其用作用于去除蚀刻残渣的清洗液、用于去除图案形成中所使用的抗蚀剂膜的溶液、用于从化学机
16.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含选自羟胺、羟胺衍生物及它们的盐中的至少1种羟胺化合物以及螯合剂。
17.根据权利要求16所述的处理液，其中，
18.根据权利要求17所述的处理液，其中，
19.一种试剂盒，其为用于制备权利要求16至18中任一项所述的处理液，
20.一种试剂盒，其具备权利要求1至18中任一项所述的处理液及选自水、异丙醇及包含氢氧化铵的溶剂中的稀释液。
21.一种处理液的制造方法，其为制造权利要求16至18中任一项所述的处理液的方法，所述制造方法包括：
22.根据权利要求21所述的处理液的制造方法，其中，
23.根据权利要求21或22所述的处理液的制造方法，其中，
24.一种基板的清洗方法，其包括清洗工序，所述清洗工序使用权利要求1至18中任一项所述的处理液，对具备包含选自钴、钨及铜中的至少1种金属的金属层的基板进行清洗。
25.根据权利要求24所述的清洗方法，其中，
26.根据权利要求24或25所述的清洗方法，其还包括冲洗工序，在所述清洗工序之后，用水或包含异丙醇的冲洗液冲洗所述基板。
27.根据权利要求26所述的清洗方法，其中，
28.根据权利要求26所述的清洗方法，其还包括干燥工序，在所述冲洗工序之后，加热所述基板而使其干燥。
29.一种基板的处理方法，其对在表面具有金属层的基板进行处理，所述基板的处理方法包括：
30.根据权利要求29所述的处理方法，其依次反复实施所述工序P及所述工序Q。
31.根据权利要求29或30所述的处理方法，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种处理液，其为半导体器件用处理液，
2.根据权利要求1所述的处理液，其中，
3.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含去除剂。
4.根据权利要求3所述的处理液，其中，
5.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含ph调节剂。
6.根据权利要求5所述的处理液，其中，
7.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含钴离子。
8.根据权利要求7所述的处理液，其中，
9.根据权利要求7所述的处理液，其中，
10.根据权利要求7所述的处理液，其中，
11.根据权利要求1或2所述的处理液，其中，
12.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含选自羟胺、羟胺衍生物及它们的盐中的至少1种羟胺化合物。
13.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含腐蚀抑制剂。
14.根据权利要求13所述的处理液，其中，
15.根据权利要求1或2所述的处理液，其用作用于去除蚀刻残渣的清洗液、用于去除图案形成中所使用的抗蚀剂膜的溶液、用于从化学机械研磨后的基板去除残渣的清洗液、或者蚀刻液。
16.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含选自羟胺、羟胺衍生物及它们的盐中的至少1种羟胺化合物以及螯合剂。
17.根据权利要求16所述的处理液，其中，
18.根据权利要求17所述的处...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥智威，清水哲也，水谷笃史，杉岛泰雄，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。