【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其涉及喷射件和气相沉积设备。
技术介绍
1、气相沉积技术作为一种材料表面处理技术已经被应用于集成电路、芯片制造等电子
中。气相沉积涉及在固体基材表面上通过气相中发生的物理或化学过程形成固态薄膜，并且因此可以分为物理气相沉积和化学气相沉积两大类。气相沉积技术的关键步骤包括向反应腔室中通入气体。为了获得具有均匀厚度的薄膜，理想的是，使气体在反应腔室内均匀扩散，以确保基板的每个部分都能够均匀地接收到气体。
2、在现有技术中，可以在单个反应腔室内同时对多个基材执行沉积工艺，以在这些基材上同时形成薄膜。这不仅可以提高生产效率和降低生产成本，还可以提高气相沉积设备的利用率。更为重要的是，在同一反应腔室内共同经历沉积过程，可以保证所有基材接受相同的生长条件，从而提高所形成的薄膜的均匀性和重复性。
3、然而，在现有的气相沉积设备的使用过程中，当在同一反应腔室内同时对多个基材进行沉积时，可能因反应腔室内气体分布不均而导致位于反应腔室内不同位置处的不同基材上沉积的薄膜厚度存在较大差异。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术实施例期望提供喷射件和气相沉积设备。通过使用该喷射件和该气相沉积设备，可以使气体更为均匀地分配在沿竖向方向排列的各个基材上，降低不同基材上的沉积层厚度的差异。
2、本技术实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本技术实施例提供了一种喷射件，所述喷射件包括用于从侧方朝向沿竖向方向排列的多个基材喷射气
4、在一些可选的示例中，所述多个喷口包括水平喷口和倾斜喷口，其中，所述水平喷口在水平方向上喷射所述气体，所述倾斜喷口在相对于所述水平方向向上或向下倾斜的方向上喷射所述气体。
5、在一些可选的示例中，所述喷射件呈管状，其中，所述水平喷口设置在所述喷射件的朝向所述基材的端面上。
6、在一些可选的示例中，所述倾斜喷口设置在所述喷射件的周向部。
7、在一些可选的示例中，多个所述倾斜喷口围绕所述周向部均匀地布置。
8、在一些可选的示例中，所述多个喷口中的每个喷口喷射的气体呈散射状。
9、在一些可选的示例中，所述喷射件的所述周向部限定导流腔，所述水平喷口和所述倾斜喷口与所述导流腔连通，并且所述导流腔的横截面积沿朝向所述端面的方向逐渐减小。
10、在一些可选的示例中，所述导流腔呈锥台形。
11、在一些可选的示例中，所述导流腔包括在朝向所述端面的方向上邻接的多个等横截面积部段，并且每个等横截面积部段的直径小于位于其上游的等横截面积部段的直径。
12、在一些可选的示例中，所述周向部设置成具有均匀的壁厚。
13、第二方面，本技术实施例提供了一种气相沉积设备，所述气相沉积设备包括：
14、反应腔室；
15、设置在所述反应腔室内的多个根据第一方面的喷射件。
16、在一些可选的示例中，多个所述喷射件以沿竖向方向排成一列的方式设置，用于从侧方朝向沿竖向方向排列在所述反应腔室中的多个基材喷射气体。
17、在一些可选的示例中，所述气相沉积设备包括围绕所述多个基材设置的多列所述喷射件。
18、本技术实施例提供了喷射件和包括该喷射件的气相沉积设备。该喷射件设置成用于对沿竖向方向排列的多个基材进行气体喷射。本技术实施例提供的喷射件具有多个喷口，且其中的至少两个喷口的喷射方向不平行。与现有技术中仅具有单个出口的喷嘴相比，喷射件能够经由多个喷口避免气体过于集中在一部分基材上，从而减小不同基材上的沉积层厚度的差异。而且，由于气体流量的合理分布，可以减少因沉积不均而需要的额外沉积时间和沉积材料，并且可以减少对沉积后产品的后续处理，提高了生产效率并降低了生产成本。多个喷口还可以降低整个喷射件因喷口堵塞而失效的风险，这也使得维护成本被降低。
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1.一种喷射件，其特征在于，所述喷射件包括用于从侧方朝向沿竖向方向排列的多个基材喷射气体的多个喷口，其中，所述多个喷口中的至少两个喷口的喷射方向不平行。
2.根据权利要求1所述的喷射件，其特征在于，所述多个喷口包括水平喷口和倾斜喷口，其中，所述水平喷口在水平方向上喷射所述气体，所述倾斜喷口在相对于所述水平方向向上或向下倾斜的方向上喷射所述气体。
3.根据权利要求2所述的喷射件，其特征在于，所述喷射件呈管状，其中，所述水平喷口设置在所述喷射件的朝向所述基材的端面上。
4.根据权利要求3所述的喷射件，其特征在于，所述倾斜喷口设置在所述喷射件的周向部。
5.根据权利要求4所述的喷射件，其特征在于，多个所述倾斜喷口围绕所述周向部均匀地布置。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的喷射件，其特征在于，所述多个喷口中的每个喷口喷射的气体呈散射状。
7.根据权利要求4或5所述的喷射件，其特征在于，所述喷射件的所述周向部限定导流腔，所述水平喷口和所述倾斜喷口与所述导流腔连通，并且所述导流腔的横截面积沿朝向所述端面的方向逐渐减
8.一种气相沉积设备，其特征在于，所述气相沉积设备包括：
9.根据权利要求8所述的气相沉积设备，其特征在于，多个所述喷射件以沿竖向方向排成一列的方式设置，用于从侧方朝向沿竖向方向排列在所述反应腔室中的多个基材喷射气体。
10.根据权利要求9所述的气相沉积设备，其特征在于，所述气相沉积设备包括围绕所述多个基材设置的多列所述喷射件。
...【技术特征摘要】
1.一种喷射件，其特征在于，所述喷射件包括用于从侧方朝向沿竖向方向排列的多个基材喷射气体的多个喷口，其中，所述多个喷口中的至少两个喷口的喷射方向不平行。
2.根据权利要求1所述的喷射件，其特征在于，所述多个喷口包括水平喷口和倾斜喷口，其中，所述水平喷口在水平方向上喷射所述气体，所述倾斜喷口在相对于所述水平方向向上或向下倾斜的方向上喷射所述气体。
3.根据权利要求2所述的喷射件，其特征在于，所述喷射件呈管状，其中，所述水平喷口设置在所述喷射件的朝向所述基材的端面上。
4.根据权利要求3所述的喷射件，其特征在于，所述倾斜喷口设置在所述喷射件的周向部。
5.根据权利要求4所述的喷射件，其特征在于，多个所述倾斜喷口围绕所述周向部均匀地布...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘进，秦双亮，丰盛，
申请(专利权)人：重庆欣晖材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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