System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体激光器合束装置制造方法及图纸_技高网

半导体激光器合束装置制造方法及图纸

技术编号:43323630 阅读:6 留言:0更新日期:2024-11-15 20:23
本发明专利技术提供一种半导体激光器合束装置,包括:半导体激光器芯片组、快轴准直镜组、特征慢轴准直镜组和斜角反射棱镜组;半导体激光器芯片组包括在快轴方向上的高度一致的多个半导体激光器芯片;快轴准直镜组包括多个快轴准直镜;特征慢轴准直镜组包括多个特征慢轴准直镜;斜角反射棱镜组包括多个斜角反射棱镜。所述半导体激光器合束装置能实现可靠性高和体积小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,具体涉及一种半导体激光器合束装置


技术介绍

1、随着科学技术的不断发展,半导体激光器已广泛应用于激光材料加工、激光信息处理、激光生物学及医学、激光印刷、通讯、激光化学、激光检测与计量以及国防安全等方面。

2、半导体激光器在效率、体积、寿命以及集成化等方面具有显著的优点,在工业以及军事等领域有着很大的应用前景,但是半导体激光器往往功率低、发散角大以及光束质量差等问题不能满足民用、工业以及军事等领域的需求。因此很多合束方法均是旨在提高合束模块的光束质量,发散角以及输出光的亮度。目前基于单管芯片的半导体激光合束模块大多采用阶梯结构,芯片快轴方向上处于不同高度,这种结构对应机械加工的平行及台阶间隔要求极高,而且同时还具有散热不均匀的缺点,导致半导体激光合束模块的整体可靠性差。


技术实现思路

1、因此,本专利技术要解决的技术问题在于如何实现可靠性高和体积小,从而提供一种半导体激光器合束装置。

2、本专利技术提供一种半导体激光器合束装置,包括半导体激光器芯片组,包括在第一方向排布、且在快轴方向上的高度一致的多个半导体激光器芯片,第一方向与快轴方向相交;快轴准直镜组,包括多个快轴准直镜,所述快轴准直镜位于所述半导体激光器芯片沿其出光反向的一侧;特征慢轴准直镜组,包括多个特征慢轴准直镜,所述特征慢轴准直镜位于所述快轴准直镜沿所述出光反向背离所述半导体激光器芯片的一侧,所述特征慢轴准直镜用于对光束在慢轴方向进行准直并调节光束在快轴方向的高度;特征反射棱镜组,包括多个特征反射棱镜,所述特征反射棱镜位于所述特征慢轴准直镜背离所述快轴准直镜的一侧;所述特征反射棱镜用于将来自所述特征慢轴准直镜的光束的慢轴方向进行变向,所述特征反射棱镜组中不同的特征反射棱镜用于调节光束在快轴方向具有不同的高度。

3、可选的,所述半导体激光器芯片组的数量为多个,多个所述半导体激光器芯片组分别为第一半导体激光器芯片组和第二半导体激光器芯片组;所述快轴准直镜组的数量为多个,多个所述快轴准直镜组分别为第一快轴准直镜组和第二快轴准直镜组;所述特征慢轴准直镜组的数量为多个,多个所述特征慢轴准直镜组分别为第一特征慢轴准直镜组和第二特征慢轴准直镜组;所述特征反射棱镜组的数量为多个,多个所述特征反射棱镜组分别为第一特征反射棱镜组和第二特征反射棱镜组;其中,第一快轴准直镜组位于第一半导体激光器芯片组沿出光反向的一侧,第二快轴准直镜组位于第二半导体激光器芯片组沿出光反向的一侧;第一特征慢轴准直镜组位于第一快轴准直镜组背离第一半导体激光器芯片组的一侧,第二特征慢轴准直镜组位于第二快轴准直镜组背离第二半导体激光器芯片组的一侧;第一特征反射棱镜组位于第一特征慢轴准直镜组背离第一快轴准直镜组的一侧,第二特征反射棱镜组位于第二特征慢轴准直镜组背离第二快轴准直镜组的一侧;所述半导体激光器合束装置还包括:反射镜;半波片;偏振合束器;耦合镜;所述半波片位于所述反射镜和所述偏振合束器之间;所述反射镜用于反射所述第一特征反射棱镜组出射的光至所述半波片;所述偏振合束器用于将第二特征反射棱镜组出射的光和来自所述半波片的光进行偏振合束,所述耦合镜用于将所述偏振合束器合束后的光耦合进入光纤。

4、可选的,所述特征慢轴准直镜包括连接的第一区和第二区,所述第二区具有背离所述第一区凸出的第一增透曲面,第一区具有相对设置且平行的第一反射面和第二反射面,第一反射面和第二反射面均为平面,所述第一反射面和所述第二反射面的排布方向平行于快轴方向,所述第一反射面用于将来自所述快轴准直镜的光束反射至所述第二反射面,所述第二反射面将来自所述第一反射面的光束反射至所述第二区并从所述第一增透曲面出射。

5、可选的,所述第一区还具有呈平面的第二增透面,第二增透面与第一增透曲面相对,第一反射面和第二反射面均与第二增透面连接,第二增透面用于透射来自快轴准直镜的光束至第一反射面。

6、可选的,所述第一区和所述第二区一体成型。

7、可选的,所述第一区包括间隔的第一子区和第二子区,第一子区包括第一反射面,第二子区包括第二反射面,第一反射面和第二反射面之间的区域位于第一区之外;所述第二区还具有呈平面的第二增透面,第二增透面与第一增透曲面相对,第一反射面和第二反射面均与第二增透面连接,第二增透面用于透射来自所述第二反射面的光束至第一增透曲面。

8、可选的,所述第一反射面覆盖有第一反射膜,所述第二反射面覆盖有第二反射膜。

9、可选的,所述第一增透曲面覆盖有第一增透膜。

10、可选的,所述第二增透面覆盖有第二增透膜。

11、可选的,所述特征反射棱镜包括:相对设置的棱镜顶面和棱镜底面,所述棱镜顶面包括连接的第一顶面区和第二顶面区,所述第二顶面区与所述第一顶面区之间具有钝角夹角,所述棱镜底面包括连接的第一底面区和第二底面区,第二底面区与第一底面区之间具有钝角夹角,第一底面区与第一顶面区相对设置且平行,第二底面区与第二顶面区相对设置且平行;位于棱镜顶面和棱镜底面之间的呈平面的第一侧面,第一侧面分别与第一顶面区、第二顶面区、第一底面区和第二底面区连接;位于棱镜顶面和棱镜底面之间呈平面的第二侧面,第二侧面分别与第二顶面区和第二底面区连接且分别与第一顶面区和第一底面区间隔,第二侧面和第一侧面垂直;位于棱镜顶面和棱镜底面之间呈平面的第三侧面,第三侧面分别与第一顶面区和第二顶面区连接,第三侧面与第一侧面之间具有锐角夹角且与第二侧面之间具有锐角夹角。

12、可选的,所述第二顶面区背离所述第一顶面区的边缘沿快轴方向的高度大于所述第二顶面区朝向所述第一顶面区的边缘沿快轴方向的高度;第一侧面用于透射来自特征慢轴准直镜的光束至第三侧面,第三侧面用于反射来自第一侧面的光束至第二底面区,第二底面区用于反射来自第三侧面的光束至第二顶面区,第二顶面区用于反射来自第二底面区的光束至第二侧面并从第二侧面出射。

13、可选的,所述第二顶面区背离所述第一顶面区的边缘沿快轴方向的高度小于所述第二顶面区朝向所述第一顶面区的边缘沿快轴方向的高度;第一侧面用于透射来自特征慢轴准直镜的光束至第三侧面,第三侧面用于反射来自第一侧面的光束至第二顶面区,第二顶面区用于反射来自第三侧面的光束至第二底面区,第二底面区用于反射来自第二顶面区的光束至第二侧面并从第二侧面出射。

14、可选的,还包括:壳体,所述半导体激光器芯片组、所述快轴准直镜组、所述特征慢轴准直镜组和所述特征反射棱镜组均被所述壳体包围;其中,所述半导体激光器芯片背离所述壳体的底面的表面沿快轴方向的高度小于所述特征慢轴准直镜背离所述壳体的底面的表面沿快轴方向的高度。

15、可选的,还包括:热沉,用于支撑半导体激光器芯片组,热沉在不同区域的厚度一致。

16、本专利技术技术方案具有以下有益效果:

17、本专利技术技术方案提供的半导体激光器合束装置,所述特征慢轴准直镜用于对光束在慢轴方向进行准直并调节光束在快轴方向的高度,也就是特征慢轴准直镜的入射本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器合束装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述半导体激光器芯片组的数量为多个,多个所述半导体激光器芯片组分别为第一半导体激光器芯片组和第二半导体激光器芯片组;所述快轴准直镜组的数量为多个,多个所述快轴准直镜组分别为第一快轴准直镜组和第二快轴准直镜组;所述特征慢轴准直镜组的数量为多个,多个所述特征慢轴准直镜组分别为第一特征慢轴准直镜组和第二特征慢轴准直镜组;所述特征反射棱镜组的数量为多个,多个所述特征反射棱镜组分别为第一特征反射棱镜组和第二特征反射棱镜组;

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述特征慢轴准直镜包括连接的第一区和第二区,所述第二区具有背离所述第一区凸出的第一增透曲面,第一区具有相对设置且平行的第一反射面和第二反射面,第一反射面和第二反射面均为平面,所述第一反射面和所述第二反射面的排布方向平行于快轴方向,所述第一反射面用于将来自所述快轴准直镜的光束反射至所述第二反射面,所述第二反射面将来自所述第一反射面的光束反射至所述第二区并从所述第一增透曲面出射。p>

4.根据权利要求3所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第一区还具有呈平面的第二增透面,第二增透面与第一增透曲面相对,

5.根据权利要求4所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第一区和所述第二区一体成型。

6.根据权利要求3所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第一区包括间隔的第一子区和第二子区,第一子区包括第一反射面,第二子区包括第二反射面,第一反射面和第二反射面之间的区域位于第一区之外;所述第二区还具有呈平面的第二增透面,第二增透面与第一增透曲面相对,第一反射面和第二反射面均与第二增透面连接,第二增透面用于透射来自所述第二反射面的光束至第一增透曲面。

7.根据权利要求3所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第一反射面覆盖有第一反射膜,所述第二反射面覆盖有第二反射膜。

8.根据权利要求3所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第一增透曲面覆盖有第一增透膜。

9.根据权利要求4或6所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第二增透面覆盖有第二增透膜。

10.根据权利要求1所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述特征反射棱镜包括:

11.根据权利要求10所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第二顶面区背离所述第一顶面区的边缘沿快轴方向的高度大于所述第二顶面区朝向所述第一顶面区的边缘沿快轴方向的高度;第一侧面用于透射来自特征慢轴准直镜的光束至第三侧面,第三侧面用于反射来自第一侧面的光束至第二底面区,第二底面区用于反射来自第三侧面的光束至第二顶面区,第二顶面区用于反射来自第二底面区的光束至第二侧面并从第二侧面出射。

12.根据权利要求10所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第二顶面区背离所述第一顶面区的边缘沿快轴方向的高度小于所述第二顶面区朝向所述第一顶面区的边缘沿快轴方向的高度;第一侧面用于透射来自特征慢轴准直镜的光束至第三侧面,第三侧面用于反射来自第一侧面的光束至第二顶面区,第二顶面区用于反射来自第三侧面的光束至第二底面区,第二底面区用于反射来自第二顶面区的光束至第二侧面并从第二侧面出射。

13.根据权利要求1所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,还包括:壳体,所述半导体激光器芯片组、所述快轴准直镜组、所述特征慢轴准直镜组和所述特征反射棱镜组均被所述壳体包围;

14.根据权利要求1所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,还包括:热沉,用于支撑半导体激光器芯片组,热沉在不同区域的厚度一致。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器合束装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述半导体激光器芯片组的数量为多个,多个所述半导体激光器芯片组分别为第一半导体激光器芯片组和第二半导体激光器芯片组;所述快轴准直镜组的数量为多个,多个所述快轴准直镜组分别为第一快轴准直镜组和第二快轴准直镜组;所述特征慢轴准直镜组的数量为多个,多个所述特征慢轴准直镜组分别为第一特征慢轴准直镜组和第二特征慢轴准直镜组;所述特征反射棱镜组的数量为多个,多个所述特征反射棱镜组分别为第一特征反射棱镜组和第二特征反射棱镜组;

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述特征慢轴准直镜包括连接的第一区和第二区,所述第二区具有背离所述第一区凸出的第一增透曲面,第一区具有相对设置且平行的第一反射面和第二反射面,第一反射面和第二反射面均为平面,所述第一反射面和所述第二反射面的排布方向平行于快轴方向,所述第一反射面用于将来自所述快轴准直镜的光束反射至所述第二反射面,所述第二反射面将来自所述第一反射面的光束反射至所述第二区并从所述第一增透曲面出射。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第一区还具有呈平面的第二增透面,第二增透面与第一增透曲面相对,

5.根据权利要求4所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第一区和所述第二区一体成型。

6.根据权利要求3所述的半导体激光器合束装置,其特征在于,所述第一区包括间隔的第一子区和第二子区,第一子区包括第一反射面,第二子区包括第二反射面,第一反射面和第二反射面之间的区域位于第一区之外;所述第二区还具有呈平面的第二增透面,第二增透面与第一增透曲面相对,第一反射面和第二反射面均与第二增透面连接,第二增透面用于透射来自所述第二反射面的光束至第一增...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙方圆俞浩王俊
申请(专利权)人:苏州长光华芯光电技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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