【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于覆铜板的，具体涉及一种反转电解铜箔的制备方法及其产品和应用。
技术介绍
1、随着覆铜板(ccl)
的迅猛进步，市场趋势已从传统的fr-4产品逐步转向追求更低介质损耗的高端ccl产品，伴随而来的是树脂体系的深刻变革，即由经典的环氧树脂体系转型为更具功能性的非环氧体系，特别是功能化聚苯醚(ppo)的引入。然而，高分子量ppo作为热塑性树脂，虽性能优异，却面临耐溶剂性差、难以承受pcb加工中的高温焊锡挑战，且其高熔融粘度限制了加工成型能力，直接限制了其在pcb绝缘树脂基体中的应用。
2、为解决这一问题，对ppo树脂进行改性成为关键路径，旨在将其转化为热固性树脂，从而赋予其良好的覆铜板工艺加工性能，满足行业对高性能材料的需求。
3、另一方面，铜箔作为ccl制造的核心原材料之一，其性能直接影响最终产品的品质。当前，未经特殊处理的铜箔与半固化片(pp)之间的结合强度不足，已成为制约产品可靠性、导致剥离强度低下等问题的关键因素，难以满足高端电子产品的严苛使用要求。
4、从原材料铜箔的精细化处理视角出发，提升铜箔表面粗糙度(ps)的策略精妙且多样，旨在平衡物理结合力与电气性能之间的微妙关系。一方面，高粗糙度的铜箔毛面能显著提升与基材的物理咬合力，然而，在高频电路应用中，“趋肤效应”显著，电流偏好于在铜箔表面的微小齿状结构中流动，过高的表面粗糙度反而会增加功率损耗与插入损耗，影响信号传输效率。
5、另一方面，引入硅烷偶联剂，在铜箔表面进行表面涂覆处理，进而增强铜箔与树脂之间的粘结
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术公开了一种反转电解铜箔的制备方法，通过对电解铜箔表面的改性处理可以显著提升其与树脂基材间的剥离强度，电解铜箔的耐热性能也得到显著提升；该方法制备的反转电解铜箔尤其适用于ppo树脂基材。
2、为实现上述目的，本专利技术具体技术方案如下：
3、一种反转电解铜箔的制备方法，包括对生箔依次进行酸洗处理、粗固化处理、电镀金属层和硅烷化处理，所述硅烷化处理具体包括：
4、将长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂加入酸性的纯水中，充分水解后涂覆于铜箔处理面，烘干后得到反转电解铜箔；
5、所述长链硅烷偶联剂选自3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷；
6、所述短链硅烷偶联剂选自乙烯基三甲氧基硅烷和/或乙烯基三乙氧基硅烷中的一种或多种；
7、所述纯水的ph值为4～5；
8、所述电镀金属层，依次为电镀金属镍层、电镀金属锌层、电镀金属铬层和电镀镍铬合金层；电镀金属层时，电流密度为0.65～2.00a/dm2。
9、本专利技术公开的制备方法中采用特定的长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂的组合制备的硅烷偶联剂共混物对经过酸洗、粗固化和电镀金属层处理后的电解铜箔进行改性处理，可以显著提高其与树脂基载体，尤其是与ppo树脂间的剥离强度，还可以显著提升电解铜箔的耐热性。
10、经试验发现，相对于两种硅烷偶联剂的单独使用，采用特定的长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂的组合制备的电解铜箔，其剥离强度与耐热性有了显著的提升；而若将该组合中的任一进行替换，均会影响制备的电解铜箔的剥离强度与耐热性，甚至导致劣于单一的硅烷偶联剂制备的电解铜箔。
11、优选的，长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂的质量比为(1～3)：1。
12、进一步优选：
13、长链硅烷偶联剂选自3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷，短链硅烷偶联剂选自乙烯基三甲氧基硅烷，两者的质量比为3：1。
14、经试验发现，采用上述组合制备的电解铜箔的剥离强度与耐热性最佳。
15、试验中发现，在硅烷化处理时，纯水的适当酸性对于制备得到高ps、高耐热性的电解铜箔也是至关重要的。当仅采用纯水而不调整其ph值时，制备的电解铜箔的ps与耐热性受到了显著影响。优选的，所述纯水的ph值为4。
16、优选的，长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂的总重量与纯水的质量比为1：(100～500)；进一步优选为1：(200～450)。
17、经试验还发现，硅烷化处理步骤前的电镀金属层步骤中的工艺参数，尤其是电流密度的控制对于最终制备的电解铜箔的耐热性及ps也有着关键性的影响。
18、优选的：
19、电镀金属镍层时，镀液中镍离子浓度为20～25g/l，硼酸浓度为23～27g/l，次磷酸根离子浓度为8～12g/l；电流密度为0.65～2.00a/dm2，具体可以为0.65、0.66、0.67、0.68、0.69、0.70、0.71、0.72、0.73、0.74、0.75、0.80、0.85、0.89、0.90、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0或者范围内任意数值；
20、电镀金属锌层时，镀液中锌离子浓度为7～12g/l，硼酸浓度为23～27g/l；电流密度为0.65～2.00a/dm2，具体可以为0.65、0.66、0.67、0.68、0.69、0.70、0.71、0.72、0.73、0.74、0.75、0.80、0.85、0.89、0.90、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0或者范围内任意数值；
21、电镀金属铬层时，镀液中铬离子浓度为2.5～5.0g/l，磷酸根离子浓度为1050～1250mg/l；电流密度为0.65～2.00a/dm2，具体可以为0.65、0.66、0.67、0.68、0.69、0.70、0.71、0.72、0.73、0.74、0.75、0.80、0.85、0.89、0.90、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0或者范围内任意数值；
22、电镀镍铬合金层时，镀液中铬离子浓度为2.5～3.0g/l，镍离子浓度为1～3g/l，磷酸根离子浓度为1000～1100mg/l，硫酸根离子浓度为2220～2400mg/l；电流密度为0.65～2.00a/dm2，具体可以为0.65、0.66、0.67、0.68、0.69、0.70、0.71、0.72、0.73、0.74、0.75、0.80、0.85、0.89、0.90、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0或者范围内任意数值。
23、以上电镀步骤中，镀液温度控制在20～50℃。
24、进一步优选：
25、电镀金属镍层时，电流密度为0.85～1.50a/dm2；
26、电镀金属锌层时，电流密度为0.85～1.50a/dm2；
27、电镀金属铬层时，电流密度为0.85～1.50a/dm2；
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1.一种反转电解铜箔的制备方法，包括对生箔依次进行酸洗处理、粗固化处理、电镀金属层和硅烷化处理，其特征在于，所述硅烷化处理具体包括：
2.根据权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于，长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂的质量比为(1～3)：1。
3.所述权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于：长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂的总重量与纯水的质量比为1：(100～500)。
4.根据权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于，所述短链硅烷偶联剂选自乙烯基三乙氧基硅烷。
5.根据权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于，所述纯水的pH值为4。
6.根据权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于：
8.一种根据权利要求1～7任一项所述的方法制备的反转电解铜箔。
9.一种利用权利要求8所述的反转电解铜箔制备的树脂基覆铜板。
10.根据权利要求9所述的树脂基覆铜板，其特征在于，所述
...【技术特征摘要】
1.一种反转电解铜箔的制备方法，包括对生箔依次进行酸洗处理、粗固化处理、电镀金属层和硅烷化处理，其特征在于，所述硅烷化处理具体包括：
2.根据权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于，长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂的质量比为(1～3)：1。
3.所述权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于：长链硅烷偶联剂与短链硅烷偶联剂的总重量与纯水的质量比为1：(100～500)。
4.根据权利要求1所述的反转电解铜箔的制备方法，其特征在于，所述短链硅烷偶联剂选...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙小红，姚文琴，吴静怡，罗辉，陈盈州，潘建锋，
申请(专利权)人：浙江花园新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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