【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种压电陶瓷材料的制备方法，尤其涉及一种基于粉浆浇注法制备高致密度pzt陶瓷的方法。
技术介绍
1、众所周知，pzt陶瓷的致密度越高(相对密度≥95.0％)、组织越均匀，压电换能器件的性能才会越好。
2、目前pzt陶瓷成型方法主要有模压成型法、等静压成型法两种。模压成型法，无论是单向压制还是双向压制都会存在pzt陶瓷组织不均匀、模压过程中易出现分层、致密度低(相对密度90.0％左右)等缺陷，且对模具和压力机的精度要求高。静压成型法虽然能够解决陶瓷组织均匀、收缩率低等问题，但生产成本高，压制前必须对瓷料进行造粒；操作复杂，难以适应于批量生产。另外，还有一种凝胶注模成型方法也可用于制备其它陶瓷材料，但该方法需加入许多添加剂方能完成生坯成型，这会影响瓷材的纯度以及致密度。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的上述缺陷，本专利技术旨在提供一种材料组织均匀、致密度高，且生产工艺简单、易于操作控制、生产效率高、生产成本低的粉浆浇注制备高致密度pzt陶瓷的方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供的方法采用以下技术方案：
3、1)将pb3o4、zro2、tio2混合均匀，采用固相法分别制备成zr/ti＝0.92，1，1.08，5.67，19的pzt瓷料；
4、2)将所述pzt瓷料与去离子水、分散剂混合，球磨至粒径≤200μm的浆料；
5、3)所述浆料中加入粘结剂，搅拌均匀后以0.08～0.15mpa的压力注入石膏模具，
6、4)将所述生坯置于烧结炉中，以0.5～1℃/min的速率升温至400～750℃，排胶4～6小时；然后在空气气氛下以3～5℃/min的速率升温至1200～1300℃，埋铅烧结烧结1～4小时，得pzt陶瓷。
7、在上述技术方案中，所述去离子水的加入量为所述pzt瓷料总量的20～30wt％。
8、在上述技术方案中，所述分散剂为聚丙烯酸铵，其加入量为所述pzt瓷料总量的0.5～1.5wt％。
9、在上述技术方案中，所述粘结剂为聚乙烯醇，其加入量为所述pzt瓷料总量的0.5～5wt％。
10、在上述技术方案中，球磨机的转速为2000～2500r/min；球磨介质为氧化锆球，其粒径为0.3mm。
11、在上述技术方案中，步骤3)中所述的干燥方式为：先将脱模后的生坯置于20～30℃的室温环境中干燥3天，然后再转至60℃的烘箱中干燥24h。
12、与现有技术比较，本专利技术方法制备的
13、1.本专利技术制备的pzt陶瓷微观组织结构均匀、致密度高，相对密度≥95％。
14、2.本专利技术制备的pzt陶瓷生坯收缩均匀、不变形、不开裂、不分层，对模具精度要求低。
15、3.本专利技术采用粉浆浇注法，添加剂少，不影响pzt陶瓷的纯度。
16、4.本专利技术工艺操作简单、易于控制、成本低、适合批量生产。
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1.一种粉浆浇注制备高致密度PZT陶瓷的方法，其特征在于：具体方法如下：
2.根据权利要求1所述的粉浆浇注制备高致密度PZT陶瓷的方法，其特征在于：所述去离子水的加入量为所述PZT瓷料总量的20～30wt% 。
3.根据权利要求1所述的粉浆浇注制备高致密度PZT陶瓷的方法，其特征在于：所述分散剂为聚丙烯酸铵，其加入量为所述PZT瓷料总量的0.5～1.5wt% 。
4.根据权利要求1所述的粉浆浇注制备高致密度PZT陶瓷的方法，其特征在于：所述粘结剂为聚乙烯醇，其加入量为所述PZT瓷料总量的0.5～5wt% 。
5.根据权利要求1所述的粉浆浇注制备高致密度PZT陶瓷的方法，其特征在于：球磨机的转速为2000～2500r/min；球磨介质为氧化锆球，其粒径为0.3mm。
6.根据权利要求1所述的粉浆浇注制备高致密度PZT陶瓷的方法，其特征在于：步骤3）中所述的干燥方式为：先将脱模后的生坯置于20～30℃的室温环境中干燥3天，然后再转至60℃的烘箱中干燥24h。
【技术特征摘要】
1.一种粉浆浇注制备高致密度pzt陶瓷的方法，其特征在于：具体方法如下：
2.根据权利要求1所述的粉浆浇注制备高致密度pzt陶瓷的方法，其特征在于：所述去离子水的加入量为所述pzt瓷料总量的20～30wt% 。
3.根据权利要求1所述的粉浆浇注制备高致密度pzt陶瓷的方法，其特征在于：所述分散剂为聚丙烯酸铵，其加入量为所述pzt瓷料总量的0.5～1.5wt% 。
4.根据权利要求1所述的粉浆浇注制备高致密度pzt陶瓷的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟敏，张元松，秦洁，吴朝怡，李嘉芮，高智红，
申请(专利权)人：贵州振华红云电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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