【技术实现步骤摘要】
本技术涉及镀膜设备用雾化器，具体涉及一种雾化器组件及镀膜设备。
技术介绍
1、等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)镀膜设备通过微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子体化学活性很强，很容易发生反应的原理，从而在镀膜腔体内的待镀工件上沉积出所需要的薄膜。
2、现有技术中，镀膜设备在镀膜过程中，需要利用雾化器不断将镀膜材料进行加热雾化，雾化后的镀膜材料进入镀膜腔体内，利用雾化的镀膜材料在镀膜腔体内的待镀工件上沉积镀膜，以达到镀膜的最佳条件。但是，由于雾化器在雾化过程中，经常会有雾化不均匀的镀膜材料从雾化器的出口出来，而雾化不均匀的镀膜材料直接进入镀膜腔体内进行镀膜，会影响镀膜质量。
技术实现思路
1、本技术提供一种雾化器组件，旨在解决现有技术存在雾化器雾化不均匀的镀膜材料易直接进入镀膜腔体内进行镀膜，影响镀膜质量的问题。
2、本技术是这样实现的，提供一种雾化器组件，包括：
3、内设有雾化通道的雾化器，所述雾化器设有分别与所述雾化通道连通的进口及出口；及
4、弯头，所述弯头一端与所述雾化器的所述出口连接，另一端用于与镀膜设备的镀膜腔体连接，所述弯头内的底壁设置有用于沉积镀膜材料的沉积槽。
5、优选的，所述弯头包括与所述出口连接的第一管段、及与所述第一管段连接并用于与所述镀膜腔体连接的第二管段，所述第二管段相对所
6、优选的，所述沉积槽为沿所述第一管段的长度方向设置的长条形凹槽。
7、优选的，所述沉积槽的长度为所述第一管段长度的1/2～2/3。
8、优选的，所述沉积槽的深度为所述第一管段内径的1/4～2/3。
9、优选的，所述弯头与所述雾化器可拆卸连接。
10、优选的，所述弯头与所述雾化器通过螺钉或卡接形成可拆卸连接。
11、优选的，所述弯头与所述雾化器连接的一端设有密封槽，所述密封槽内安装有密封圈，所述弯头与所述雾化器之间通过所述密封圈密封。
12、优选的，所述雾化器内设有腔体，所述腔体内设有多个挡板，多个所述挡板在所述腔体内依次间隔设置形成所述雾化通道。
13、本技术还提供一种镀膜设备，包括上述的雾化器组件。
14、本技术提供的一种雾化器组件通过设置雾化器及弯头，并在弯头内的底壁设置用于沉积镀膜材料的沉积槽，雾化器雾化后的镀膜材料从雾化器的出口经过弯头进入镀膜腔体时，雾化不均匀的镀膜材料由于其重力作用会下沉至弯头内部的沉积槽，利用沉积槽沉积雾化不均匀的镀膜材料，进而避免雾化不均匀的镀膜材料直接进入镀膜腔体内参与镀膜，从而可以提升镀膜质量。
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1.一种雾化器组件，用于镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的雾化器组件，其特征在于，所述弯头包括与所述出口连接的第一管段、及与所述第一管段连接并用于与所述镀膜腔体连接的第二管段，所述第二管段相对所述第一管段弯折设置，所述沉积槽设于所述第一管段内的底壁上。
3.根据权利要求2所述的雾化器组件，其特征在于，所述沉积槽为沿所述第一管段的长度方向设置的长条形凹槽。
4.根据权利要求2所述的雾化器组件，其特征在于，所述沉积槽的长度为所述第一管段长度的1/2～2/3。
5.根据权利要求4所述的雾化器组件，其特征在于，所述沉积槽的深度为所述第一管段内径的1/4～2/3。
6.根据权利要求1所述的雾化器组件，其特征在于，所述弯头与所述雾化器可拆卸连接。
7.根据权利要求1所述的雾化器组件，其特征在于，所述弯头与所述雾化器通过螺钉或卡接形成可拆卸连接。
8.根据权利要求1所述的雾化器组件，其特征在于，所述弯头与所述雾化器连接的一端设有密封槽，所述密封槽内安装有密封圈，所述弯头与所述雾化器之间通过所
9.根据权利要求1所述的雾化器组件，其特征在于，所述雾化器内设有腔体，所述腔体内设有多个挡板，多个所述挡板在所述腔体内依次间隔设置形成所述雾化通道。
10.一种镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1～9任意一项所述的雾化器组件。
...【技术特征摘要】
1.一种雾化器组件，用于镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的雾化器组件，其特征在于，所述弯头包括与所述出口连接的第一管段、及与所述第一管段连接并用于与所述镀膜腔体连接的第二管段，所述第二管段相对所述第一管段弯折设置，所述沉积槽设于所述第一管段内的底壁上。
3.根据权利要求2所述的雾化器组件，其特征在于，所述沉积槽为沿所述第一管段的长度方向设置的长条形凹槽。
4.根据权利要求2所述的雾化器组件，其特征在于，所述沉积槽的长度为所述第一管段长度的1/2～2/3。
5.根据权利要求4所述的雾化器组件，其特征在于，所述沉积槽的深度为所述第一管段内径的1/4～2/3。
【专利技术属性】
技术研发人员：金世成，云洋，苏建华，
申请(专利权)人：深圳奥拦科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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