【技术实现步骤摘要】
本公开涉及化学机械研磨，且更具体而言涉及在化学机械研磨期间监测导电层。
技术介绍
1、通常通过将导电层、半导体层或绝缘层按顺序沉积在硅晶片上而在基板上形成集成电路。多种制造工艺需要使基板上的层平坦化。例如，一个制造步骤包括在非平面的表面之上沉积填料层并平坦化该填料层。对于某些应用而言，平坦化填料层直至暴露了图案化层的顶表面为止。例如，可在图案化的绝缘层上沉积金属层以填充绝缘层中的沟槽及孔。在平坦化之后，在图案化的层的沟槽及孔中的金属的剩余部分形成通孔、插塞及接线，以提供基板上的薄膜电路之间的导电路径。
2、化学机械研磨(cmp)为一种公认的平坦化方法。此平坦化方法通常需要将基板安装在承载头上。通常抵靠旋转研磨垫放置基板的暴露表面。承载头在基板上提供可控负载以将基板推抵研磨垫。通常将具有磨料颗粒的研磨浆料供应至研磨垫的表面。
3、cmp中的一个问题在于确定研磨工艺是否完成，即，是否已将基板层平坦化至所需平整度或厚度，或何时已移除了所需量的材料。浆料成分、研磨垫条件、研磨垫与基板之间的相对速度、基板层的初始厚度及基板上的负载的变化会导致材料移除速率的变化。此些变化导致达到研磨终点所需时间的变化。因此，仅根据研磨时间来确定研磨终点会导致晶片内或晶片之间的不均匀性。
4、在一些系统中，例如经由研磨垫在研磨期间原位监测基板。一种监测技术为感应导电层中的涡流并当移除导电层时检测涡流的改变。
技术实现思路
1、在一个方面中，一种通过原位电磁感应监测系统补偿半导
2、在一个方面中，一种研磨基板的方法包括：存储或产生经修改的参考迹线，该经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量；使具有安置在半导体晶片之上的导电层的基板与研磨垫接触；产生基板与研磨垫之间的相对运动；当研磨导电层时利用原位电磁感应监测系统来监测基板，以产生取决于导电层的厚度的测得迹线；将测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线；产生经调整迹线以至少部分地补偿半导体晶片的电导率对测得迹线的贡献，包括自经修改的测得迹线中减去经修改的参考迹线；以及进行基于经调整迹线暂停研磨或修改研磨参数中的至少一者。
3、此些方面中的每一者也可用作有形地编码在计算机可读媒体上的计算机程序产品，该计算机程序产品包括指令以使得计算机系统执行适当操作(例如，存储或产生经修改的参考迹线，应用测得迹线，及产生经调整迹线)；或用作包括经配置以执行适当操作的控制器的研磨系统。
4、方法、计算机程序产品和/或系统的实施可包括以下特征中的一者或更多者。
5、经修改的参考迹线可包括一系列等效厚度值，且经修改的测得迹线可包括一系列实际厚度值。可将初始参考迹线的至少一部分应用至神经网络以产生经修改的参考迹线。可将初步参考迹线中的原始信号值转换为厚度值以产生初始参考迹线。可接收用户输入，以自多个参考迹线选择参考迹线。产生经修改的参考迹线可包括横跨裸掺杂的参考半导体晶片扫描原位电磁感应监测系统的传感器。
6、产生经调整迹线可包括缩放经修改的参考迹线与经修改的测得迹线之间的差。可计算经调整迹线a(x)以使得a(x)＝(t(x)-s(x)-b)/k，其中t(x)为经修改的测得迹线，s(x)为经修改的参考迹线，且b及k为常数。常数b及k是根据原位监测系统的传感器的配置。
7、应用于神经网络的测得迹线的该至少一部分包括对应于基板的边缘区域的一部分。应用于神经网络的测得迹线的该至少一部分不需要包括对应于基板的中心区域的一部分。可用多个训练迹线训练神经网络，该多个训练迹线表示一个或更多个训练基板的测量，该一个或更多个训练基板具有在未掺杂的半导体晶片上的导电层，其中不同训练迹线对应于导电层的不同厚度及不同的边缘轮廓。
8、实施可包括以下优势中的一者或更多者。在基板的处理(例如，研磨)的监测期间，可减轻由下层半导体晶片的掺杂所引起的测得涡流信号与导电层厚度之间的相关性的可能不准确性，尤其是在基板的边缘处。使用补偿过程调整涡流信号或调整导电层厚度可以更准确。系统可补偿信号的对应于基板边缘的部分中的失真。经调整涡流信号和/或经调整的导电层可用于确定研磨工艺期间的控制参数和/或确定研磨工艺的终点。可提高控制参数确定及终点检测的可靠性，可避免晶片研磨不足，且可减小晶片内的不均匀性。
9、在所附附图及以下具体实施方式中阐述一个或更多个实施的细节。其他方面、特征及优势将根据说明书和附图以及根据权利要求书而明显。
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1.一种研磨基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中产生包括减去所述参考迹线。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一迹线表示通过所述神经网络修改的对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。
4.如权利要求3所述的方法，其中产生包括将所述测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线，以及自所述经修改的测得迹线中减去所述第一迹线。
5.如权利要求1所述的方法，包括：利用原位电磁感应监测系统的传感器来扫描所述裸掺杂的参考半导体晶片，以产生具有原始信号值的初步参考迹线，将所述初步参考迹线中的原始信号值转换为厚度值以产生初始参考迹线，以及将所述初始参考迹线的至少一部分应用于所述神经网络以产生所述第一参考迹线。
6.如权利要求1所述的方法，其中应用于所述神经网络的所述迹线的所述至少一部分包括对应于所述基板的边缘区域的部分。
7.如权利要求1所述的方法，其中产生所述第一迹线的步骤包括：横跨所述裸掺杂的参考半导体晶片扫描原位电磁感应监测系统的传感器。
8.一种有形地体现在非暂态计算机可读介质中的
9.如权利要求8所述的计算机程序产品，其中产生所述经调整迹线的所述指令包括减去所述参考迹线的指令。
10.如权利要求9所述的计算机程序产品，其中所述第一迹线表示通过所述神经网络修改的对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。
11.如权利要求10所述的计算机程序产品，其中产生所述经调整迹线的所述指令包括将所述测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线，以及自所述经修改的测得迹线中减去所述第一迹线的指令。
12.如权利要求11所述的计算机程序产品，其中产生所述经调整迹线的所述指令包括用于缩放所述第一迹线与所述经修改的测得迹线之间的差的指令。
13.如权利要求12所述的计算机程序产品，其中计算所述经调整迹线A(x)以使得
14.如权利要求11所述的计算机程序产品，其中应用于所述神经网络的所述测得迹线的所述至少一部分包括对应于所述基板的边缘区域的部分。
15.一种研磨系统，包括：
16.如权利要求15所述的系统，其中所述控制器经配置成产生所述经调整迹线包括减去所述参考迹线。
17.如权利要求16所述的系统，其中所述第一迹线表示通过所述神经网络修改的对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。
18.如权利要求17所述的系统，其中所述控制器经配置成通过将所述测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线，以及自所述经修改的测得迹线中减去所述第一迹线，来产生所述经调整迹线。
19.如权利要求18所述的系统，其中所述控制器经配置成通过缩放所述经修改的参考迹线与所述经修改的测得迹线之间的差，来产生所述经调整迹线。
20.如权利要求19所述的系统，其中计算所述经调整迹线A(x)以使得
...【技术特征摘要】
1.一种研磨基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中产生包括减去所述参考迹线。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一迹线表示通过所述神经网络修改的对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。
4.如权利要求3所述的方法，其中产生包括将所述测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线，以及自所述经修改的测得迹线中减去所述第一迹线。
5.如权利要求1所述的方法，包括：利用原位电磁感应监测系统的传感器来扫描所述裸掺杂的参考半导体晶片，以产生具有原始信号值的初步参考迹线，将所述初步参考迹线中的原始信号值转换为厚度值以产生初始参考迹线，以及将所述初始参考迹线的至少一部分应用于所述神经网络以产生所述第一参考迹线。
6.如权利要求1所述的方法，其中应用于所述神经网络的所述迹线的所述至少一部分包括对应于所述基板的边缘区域的部分。
7.如权利要求1所述的方法，其中产生所述第一迹线的步骤包括：横跨所述裸掺杂的参考半导体晶片扫描原位电磁感应监测系统的传感器。
8.一种有形地体现在非暂态计算机可读介质中的计算机程序产品，包括指令以使得一个或多个计算机用于：
9.如权利要求8所述的计算机程序产品，其中产生所述经调整迹线的所述指令包括减去所述参考迹线的指令。
10.如权利要求9所述的计算机程序产品，其中所述第一迹线表示通过所述神经网络修改的对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。
【专利技术属性】
技术研发人员：D·A·伊万诺夫，许昆，D·M·盖奇，H·Q·李，H·G·伊拉瓦尼，D·E·本内特，K·L·什里斯塔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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