System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电子封装件及其制法制造技术_技高网

电子封装件及其制法制造技术

技术编号:43315766 阅读:0 留言:0更新日期:2024-11-15 20:17
一种电子封装件及其制法,主要于一具有线路层的承载结构上设置电子元件,且于该承载结构上形成第一包覆层与第二包覆层以包覆该电子元件,并于该第一包覆层上形成第一天线层,且于该第二包覆层上形成通讯连接该第一天线层的第二天线层,故通过该第一包覆层的厚度控制天线频率的共振间距,以产生更好的共振效果,且通过该第二包覆层的厚度控制该第一与第二天线层的间距,以增进天线频宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体封装技术,尤指一种具天线结构的电子封装件及其制法


技术介绍

1、现今无线通讯技术已广泛应用于各式消费性电子产品(如手机、平板电脑等),以利接收或发送各种无线信号。为满足消费性电子产品的便于携带性及上网便利性(如观看多媒体内容),无线通讯模块的制造与设计朝轻、薄、短、小的需求作开发,其中,平面天线(patch antenna)因具有体积小、重量轻与制造容易等特性而广泛利用在电子产品的无线通讯模块中。

2、此外,由于目前的多媒体内容因画质的提升而造成其文件数据量变得更大,故无线传输的频宽也需变大,因而产生第五代的无线传输(5g),另5g因传输频率较高,其相关无线通讯模块的要求也较高。

3、有关5g的应用未来全面商品化的趋势,其应用频率范围约在1ghz~100ghz之间的高频频段,其商业应用模式为5g搭配4g lte,并于户外架设一蜂巢式基站以配合设于室内的小基站,故5g行动通讯会于基站内使用大量天线以符合5g系统的大容量快速传输且低延迟。

4、图1现有无线通讯模块1的立体示意图。如图1所示,该无线通讯模块1包括:一基板10、设于该基板10上的多个电子元件11、一天线结构12以及封装胶体13。该基板10为电路板并呈矩形体。该电子元件11设于该基板10上且电性连接该基板10。该天线结构12为平面型且具有一天线本体120与一导线121,该天线本体120通过该导线121电性连接该电子元件11。该封装胶体13覆盖该电子元件11与该部分导线121。

5、但是,现有无线通讯模块1中,该天线结构12为平面型,且该基板10的长宽尺寸均为固定,致使线路布线空间(层数)有限,因而限制该天线结构12的功能,造成该无线通讯模块1无法提供运行5g系统所需的电性功能,难以达到5g系统的天线运行的需求。

6、再者,若于该基板10的表面上增加布设区域以形成辅助该天线结构12的天线元件,将使该基板10的宽度增加,导致难以缩小该无线通讯模块1的宽度,造成该无线通讯模块1无法达到微小化的需求。

7、因此,如何克服上述现有技术的问题,实已成为目前业界亟待克服的课题。


技术实现思路

1、有鉴于现有技术的问题,本专利技术提供一种电子封装件及其制法,可至少部分地解决现有技术的问题。

2、本专利技术的电子封装件,包括:承载结构,具有线路层;电子元件,设于该承载结构上并电性连接该线路层;第一包覆层,设于该承载结构上以包覆该电子元件,且令该电子元件的部分表面外露于该第一包覆层;第一天线层,设于该第一包覆层上;第二包覆层,设于该第一包覆层上且包覆该电子元件外露于该第一包覆层的部分;以及第二天线层,结合于该第二包覆层上并通讯连接该第一天线层。

3、本专利技术亦提供一种电子封装件的制法,包括:提供一具有线路层的承载结构;将电子元件设于该承载结构上,且该电子元件电性连接该线路层;形成第一包覆层于该承载结构上,以令该第一包覆层包覆该电子元件,且使该电子元件的部分表面外露于该第一包覆层;形成第一天线层于该第一包覆层上;形成第二包覆层于该第一包覆层上,以令该第二包覆层包覆该电子元件外露于该第一包覆层的部分;以及形成第二天线层于该第二包覆层上,以令该第二天线层通讯连接该第一天线层。

4、前述的电子封装件及其制法中,该第一包覆层的厚度至多为60微米。

5、前述的电子封装件及其制法中,该第一包覆层的厚度小于该电子元件相对该承载结构的高度。

6、前述的电子封装件及其制法中,该第二包覆层的厚度至少150微米。

7、前述的电子封装件及其制法中,该第二包覆层的厚度大于该第一包覆层的厚度。

8、前述的电子封装件及其制法中,该第二包覆层的厚度为该第一包覆层的厚度的2至3倍。

9、前述的电子封装件及其制法中,该第一包覆层与该第二包覆层的材料相同或相异。

10、前述的电子封装件及其制法中,该第一天线层与第二天线层以耦合方式传输信号。

11、前述的电子封装件及其制法中,还包括形成导电柱于该第一包覆层中,且该导电柱电性连接该第一天线层与该线路层。

12、由上可知,本专利技术的电子封装件及其制法,主要通过形成该第一包覆层与第二包覆层的两次封装制程,以令该第一包覆层的厚度控制天线频率的共振间距,以产生更好的共振效果,且令该第二包覆层的厚度控制该第一天线层与第二天线层的间距,以增进天线频宽,故相比于现有技术,本专利技术的电子封装件能提供运行5g之后的b5g/6g之后系统所需的电性功能,以达到天线运行的需求。

13、再者,通过将该第二包覆层的厚度控制为该第一包覆层的厚度的2至3倍,使该电子封装件不仅天线频宽符合需求,且能满足微小化的需求。

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【技术保护点】

1.一种电子封装件,包括:

2.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第一包覆层的厚度至多为60微米。

3.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第一包覆层的厚度小于该电子元件相对该承载结构的高度。

4.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第二包覆层的厚度至少150微米。

5.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第二包覆层的厚度大于该第一包覆层的厚度。

6.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第二包覆层的厚度为该第一包覆层的厚度的2至3倍。

7.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第一包覆层与该第二包覆层的材料相同或相异。

8.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第一天线层与第二天线层以耦合方式传输信号。

9.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括设于该第一包覆层中的导电柱,其电性连接该第一天线层与该线路层。

10.一种电子封装件的制法,包括:

11.如权利要求10所述的电子封装件的制法,其中,该第一包覆层的厚度至多为60微米。

12.如权利要求10所述的电子封装件的制法,其中,该第一包覆层的厚度小于该电子元件相对该承载结构的高度。

13.如权利要求10所述的电子封装件的制法,其中,该第二包覆层的厚度至少150微米。

14.如权利要求10所述的电子封装件的制法,其中,该第二包覆层的厚度大于该第一包覆层的厚度。

15.如权利要求10所述的电子封装件的制法,其中,该第二包覆层的厚度为该第一包覆层的厚度的2至3倍。

16.如权利要求10所述的电子封装件的制法,其中,该第一包覆层与该第二包覆层的材料相同或相异。

17.如权利要求10所述的电子封装件的制法,其中,该第一天线层与第二天线层以耦合方式传输信号。

18.如权利要求10所述的电子封装件的制法,其中,该制法还包括于该第一包覆层中设置导电柱,以电性连接该第一天线层与该线路层。

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【技术特征摘要】

1.一种电子封装件,包括:

2.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第一包覆层的厚度至多为60微米。

3.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第一包覆层的厚度小于该电子元件相对该承载结构的高度。

4.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第二包覆层的厚度至少150微米。

5.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第二包覆层的厚度大于该第一包覆层的厚度。

6.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第二包覆层的厚度为该第一包覆层的厚度的2至3倍。

7.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第一包覆层与该第二包覆层的材料相同或相异。

8.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该第一天线层与第二天线层以耦合方式传输信号。

9.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括设于该第一包覆层中的导电柱,其电性连接该第一天线层与该线路层。

10.一种电子封装件的制法,包括:...

【专利技术属性】
技术研发人员:赖佳助符毅民陈建昇
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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