System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 气体分离膜制造技术_技高网

气体分离膜制造技术

技术编号:43315000 阅读:1 留言:0更新日期:2024-11-15 20:16
一种气体分离膜,其包括以下层:(i)支撑体层;(ii)辨别层;(iii)附加层,其中,所述附加层包含式(1)的基团:M‑(O‑)x式(1)其中,各个M独立地为金属或类金属原子;O是氧原子;并且各个x的值独立地至少为4;以及(iv)任选的保护层;其中,(a)所述支撑体层(i)和所述附加层(iii)位于所述辨别层(ii)的相反侧上;并且(b)所述附加层(iii)包含1.5原子%至10原子%的式(1)基团的M,其中,M如上文所定义。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种气体分离膜,其包括以下层:

2.如权利要求1所述的气体分离膜,其中,所述附加层(iii)不具有气体分离选择性,并且包含2原子%至9原子%的式(1)基团的M。

3.如权利要求1或2所述的气体分离膜,其中,所述辨别层(ii)包含大于10原子%且小于50原子%的式(1)基团的M。

4.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜,其中,所述附加层(iii)的平均厚度为1nm至1,500nm。

5.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜,其中,所述附加层(iii)的平均厚度为5nm至1,000nm。

6.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜,其中,所述附加层(iii)的式(1)基团的M的原子%的平均值在其整个深度上基本恒定。

7.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜,其包括聚硅氧烷保护层(iv)。

8.如权利要求7所述的气体分离膜,其中,所述保护层(iv)的平均厚度为10nm至10,000nm。

9.一种用于形成前述权利要求中任一项所述的气体分离膜的方法,其包括以下步骤:

10.如权利要求9所述的方法,其中,步骤(b)在一种或多种下列前体化合物存在下通过等离子体处理过程进行:原硅酸四乙酯、六甲基二硅氧烷、原硅酸四甲酯、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、十二甲基环六硅氧烷、双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、原钛酸四丙酯、乙醇钛、四异丙醇钛或四叔丁醇锆。

11.如权利要求9或10所述的方法,其中,步骤(b)在不含氧气的气氛中进行。

12.如权利要求9至11中任一项所述的方法,其中,步骤(a)包括通过等离子体处理过程将所述辨别层(ii)施加至所述支撑体层(i),并且步骤(b)包括通过等离子体处理过程将所述附加层(iii)施加至所述辨别层(ii)。

13.如权利要求12所述的方法,其中,步骤(a)提供具有大于10原子%且小于50原子%的式(1)基团的M的辨别层(ii),并且步骤(b)提供具有1.5原子%至10原子%的式(1)基团的M的附加层(iii)。

14.一种气体分离模块,其包括权利要求1至8中任一项所述的气体分离膜。

15.权利要求1至8中任一项所述的气体分离膜或权利要求14所述的气体分离模块用于分离气体和/或用于纯化进料气体的用途。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种气体分离膜,其包括以下层:

2.如权利要求1所述的气体分离膜,其中,所述附加层(iii)不具有气体分离选择性,并且包含2原子%至9原子%的式(1)基团的m。

3.如权利要求1或2所述的气体分离膜,其中,所述辨别层(ii)包含大于10原子%且小于50原子%的式(1)基团的m。

4.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜,其中,所述附加层(iii)的平均厚度为1nm至1,500nm。

5.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜,其中,所述附加层(iii)的平均厚度为5nm至1,000nm。

6.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜,其中,所述附加层(iii)的式(1)基团的m的原子%的平均值在其整个深度上基本恒定。

7.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜,其包括聚硅氧烷保护层(iv)。

8.如权利要求7所述的气体分离膜,其中,所述保护层(iv)的平均厚度为10nm至10,000nm。

9.一种用于形成前述权利要求中任一项所述的气体分离膜的方法,其包括以下步骤:

10.如权利要求9所述的方法,其中,步...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·A·斯塔罗斯京E·A·M·弗米尔
申请(专利权)人:富士胶片制造欧洲有限公司
类型:发明
国别省市:

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