本发明专利技术公开了一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线及生产工艺，包括两条并行设置的生产线和一个分解通道，沿长度方向依次包括多个工位，具体工位包括上下料工位，水洗工位，硝挂工位，填孔镀铜工位和搭桥镀铜工位，微蚀工位，酸浸工位，交换工位，喷淋水洗工位和热水洗工位，除油工位；其中，填孔镀铜工位和搭桥镀铜工位通过高频电源控制温度，而微蚀工位和酸浸工位则由自动化系统监控调节温度和压力，确保表面处理的均质化；喷淋水洗工位和热水洗工位采用自动化喷淋系统进行多次清洗，优化材料表面的清洁度和活性；本发明专利技术的生产线设计实现了工艺的高效运行和参数的精确控制，大大提高了生产效率和产品质量，是一种创新的电镀生产线方案。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线及生产工艺。
技术介绍
1、随着电子技术和半导体行业的迅猛发展，晶圆陶瓷镍钯金表面处理技术在电子器件制造中的应用越来越广泛。镍钯金电镀工艺不仅可以提高电子器件的导电性能和耐腐蚀性，还能够增强其机械强度和耐磨损性能。特别是在高性能半导体器件、集成电路和微电子机械系统（mems）等领域，晶圆陶瓷镍钯金表面处理技术已经成为制造过程中不可或缺的一部分。随着市场需求的不断增加，如何提高生产效率、确保产品质量和降低生产成本，成为了业界关注的焦点。
2、在现有的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线上，通常采用单条生产线沿长度方向依次设置多个工位的布局方式，这种布局虽然可以完成镀铜、微蚀、酸浸等一系列工艺步骤，但存在以下主要缺点：由于各个工艺步骤的温度、压力等参数需要精确控制，现有生产线的自动化程度较低，难以实现对这些参数的精确监控和调节，导致产品质量不稳定，工位之间的材料传递需要人工干预或复杂的机械传输系统，增加了生产过程的复杂性和不连续性，容易出现工序间的干扰和延误。这些都极大的限制了晶圆陶瓷镍钯金的电镀品质，以及应用范围。
3、鉴于此，需要对现有技术中的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产技术加以改进，以解决生产不连续且工艺控制过程精确度较低的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线及生产工艺，解决以上的技术问题。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，包括左右两条并行设置的生产线，以及两条生产线之间设置的分解通道；所述生产线沿长度方向依次包括：
4、上下料工位，用于对原材料进行上料或对成品进行下料；
5、至少一个水洗工位，用于对原材料进行初步清洗；
6、至少一个硝挂工位，用于对材料进行表面处理；
7、至少一个填孔镀铜工位，用于在材料表面进行镀铜处理；
8、至少一个微蚀工位，用于对材料表面进行微蚀处理；
9、至少一个搭桥镀铜工位，用于进一步加强材料表面的镀铜层；
10、至少一个酸浸工位，用于对材料进行酸浸处理，清洁表面；
11、至少一个交换工位，用于进行离子交换，去除杂质；
12、至少一个喷淋水洗工位，用于清除前处理工序后的残留物；
13、至少一个热水洗工位，用于对材料进行热水洗，进一步清洁和活化表面；
14、至少一个除油工位，用于末端的除油处理；
15、其中，所述填孔镀铜工位和搭桥镀铜工位通过高频电源进行温度控制；
16、所述微蚀工位和酸浸工位通过自动化控制系统监控和调节温度、压力参数，以使材料表面匀质化处理；
17、所述喷淋水洗工位和热水洗工位通过自动化喷淋系统进行多次水洗和热水洗，以使材料表面清洁和活化。
18、可选的，所述填孔镀铜工位设置有多个第一镀铜槽，每个第一镀铜槽分别连接一个独立的高频电源，以使每个第一镀铜槽的温度和电流的独立控制；
19、其中，每个第一镀铜槽的温度控制精度为±1摄氏度，电流密度控制在0.5-2.0 a/dm²范围内，且所述第一镀铜槽内配备有搅拌组件，用于对所述第一镀铜槽的电解液进行搅拌。
20、可选的，所述微蚀工位设置有微蚀槽，以及自动补液系统和循环过滤系统，所述循环过滤系统包括第一泵体，所述第一泵体连接有液体循环管道；
21、所述液体循环管道的一端与所述微蚀槽的底部连通，所述液体循环管道的另一端设置有分流管，所述分流管连接有多个并排设置的分管道，每个所述分管道上均设置有一组压力控制阀，所述压力控制阀用于控制对应分管道的液体流量；其中，每个所述分管道一端均匀所述微蚀槽的侧壁连通，且每个分管道位于所述微蚀槽的侧壁上不同的高度。
22、可选的，所述自动补液系统包括第二泵体，第二泵体连接有补液管道，所述补液管道的一端与所述微蚀槽的底部连通，所述补液管道的另一端连接有补液存储箱，所述补液存储箱设置于所述微蚀槽的上方，所述补液存储箱的底部设置有开口阀，所述开口阀用于控制所述补液存储箱的打开或关闭；
23、其中，微蚀槽内流通有微蚀液，所述微蚀液包括氯化铜和盐酸溶液，所述微蚀工位的处理时间为30-60秒，处理后的材料表面粗糙度为ra 0.5-1.0微米。
24、可选的，所述搭桥镀铜工位设置有多个第二镀铜槽，每个所述第二镀铜槽内设置有多层电极架，每层所述电极架上安装有可调节高度的电极体；
25、所述搭桥镀铜工位配备有自动化控制系统，所述自动化控制系统通过监控所述第二镀铜槽内的电流、电压、温度的参数，以控制电极体的电压和运行时常；
26、其中，相邻所述电极体之间的距离可调范围为10-50毫米，每个所述第二镀铜槽的镀铜时间为5-15分钟。
27、可选的，所述喷淋水洗工位和热水洗工位配备有多级喷淋系统，每级喷淋系统均包括多个喷嘴，且所述喷嘴的喷射角度和压力可调节设置；
28、喷淋水洗工位和热水洗工位的水温控制在60-80摄氏度，并通过自动化控制系统实时监控和调节喷淋水的温度和压力；
29、其中，每级喷淋系统的喷射压力为0.2-0.5 mpa，喷嘴的喷射角度为30-90度。
30、可选的，所述生产线的上方设置有天车组件，所述天车组件包括沿所述生产线长度方向设置的输送组件，所述输送组件的驱动端连接有连接架，所述连接架上设置有用于放置晶圆的治具组件；
31、其中，所述连接架沿竖直方向设置有升降轨道，所述升降轨道用于调节所述治具组件的高度。
32、本专利技术还提供了一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产工艺，采用如上所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，所述生产工艺包括：
33、步骤s1：将晶圆在上下料工位进行上料，通过至少一个水洗工位对原材料进行初步清洗，去除晶圆表面灰尘和杂质，其中，所述初步清洗采用超声波清洗技术；
34、步骤s2：在至少一个硝挂工位对材料进行表面处理，改善晶圆表面的化学性质，其中，所述表面处理采用低温等离子体处理技术；
35、步骤s3：在至少一个填孔镀铜工位对材料表面进行镀铜处理，通过高频电源进行温度控制，确保镀铜过程的稳定性和均匀性，其中，所述填孔镀铜采用脉冲电镀技术；
36、步骤s4：在至少一个微蚀工位对材料表面进行微蚀处理，以增加镀层附着力，其中，所述微蚀处理采用纳米颗粒微蚀液；
37、步骤s5：在至少一个搭桥镀铜工位进一步加强材料表面的镀铜层，通过高频电源进行温度控制；
38、步骤s6：在至少一个酸浸工位对材料进行酸浸处理，清洁表面并去除杂质；之后在至少一个喷淋水洗工位和热水洗工位对材料进行多次水洗和热水洗，使晶圆表面的彻底清洁和活化；
39、步骤s7：在至少一个除油工位进行末端的除油处理。
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【技术保护点】
1.一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，包括左右两条并行设置的生产线，以及两条生产线之间设置的分解通道；所述生产线沿长度方向依次包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述填孔镀铜工位设置有多个第一镀铜槽，每个第一镀铜槽分别连接一个独立的高频电源，以使每个第一镀铜槽的温度和电流的独立控制；
3.根据权利要求1所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述微蚀工位设置有微蚀槽，以及自动补液系统和循环过滤系统，所述循环过滤系统包括第一泵体，所述第一泵体连接有液体循环管道；
4.根据权利要求3所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述自动补液系统包括第二泵体，第二泵体连接有补液管道，所述补液管道的一端与所述微蚀槽的底部连通，所述补液管道的另一端连接有补液存储箱，所述补液存储箱设置于所述微蚀槽的上方，所述补液存储箱的底部设置有开口阀，所述开口阀用于控制所述补液存储箱的打开或关闭；
5.根据权利要求1所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述搭桥镀铜工位设置有多个第二镀铜槽，每个所述第二镀铜槽内设置有多层电极架，每层所述电极架上安装有可调节高度的电极体；
6.根据权利要求1所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述喷淋水洗工位和热水洗工位配备有多级喷淋系统，每级喷淋系统均包括多个喷嘴，且所述喷嘴的喷射角度和压力可调节设置；
7.根据权利要求1所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述生产线的上方设置有天车组件，所述天车组件包括沿所述生产线长度方向设置的输送组件，所述输送组件的驱动端连接有连接架，所述连接架上设置有用于放置晶圆的治具组件；
8.一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产工艺，其特征在于，采用如权利要求1至7任一项所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，所述生产工艺包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产工艺，其特征在于，所述步骤S3具体包括：
10.根据权利要求9所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产工艺，其特征在于，所述步骤S4具体包括：
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，包括左右两条并行设置的生产线，以及两条生产线之间设置的分解通道；所述生产线沿长度方向依次包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述填孔镀铜工位设置有多个第一镀铜槽，每个第一镀铜槽分别连接一个独立的高频电源，以使每个第一镀铜槽的温度和电流的独立控制；
3.根据权利要求1所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述微蚀工位设置有微蚀槽，以及自动补液系统和循环过滤系统，所述循环过滤系统包括第一泵体，所述第一泵体连接有液体循环管道；
4.根据权利要求3所述的晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线，其特征在于，所述自动补液系统包括第二泵体，第二泵体连接有补液管道，所述补液管道的一端与所述微蚀槽的底部连通，所述补液管道的另一端连接有补液存储箱，所述补液存储箱设置于所述微蚀槽的上方，所述补液存储箱的底部设置有开口阀，所述开口阀用于控制所述补液存储箱的打开或关闭；
5.根据权利要求1所述的晶圆陶瓷镍钯金表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴攀，齐鹏，
申请(专利权)人：广东芯华镁半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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