一种提升局部位置强度的硅片承载盘制造技术

本技术公开了一种提升局部位置强度的硅片承载盘，包括承载框（1）和承载盘（2），承载盘（2）定位安装在承载框（1）上，承载盘（2）上设有一个或多个存放槽（3），在上料时通过机械手将待加工的硅片放置在存放槽（3）中，加工时通过承载框（1）的移动带动硅片在各个加工工位之间转移，承载框（1）设置有横向支撑杆一（7）和横向支撑杆二（11），横向支撑杆一（7）和横向支撑杆二（11）之间连接有加粗支撑杆（9），本技术使得承载框的局部位置强度得到保障，从而确保承载框的正常使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于硅片承载，涉及一种提升局部位置强度的硅片承载盘。

技术介绍

1、硅片需要经过多道工序才能成为电池片，其中有一道工序是等离子增强型化学气相淀积pecvd，其目的是为了减少光的反射损失，增强吸收光的强度，从而提高电池效率。此道工序中需要硅片承载装置，用于装载硅片，并带动硅片在各个加工工位之间移动，实现硅片的镀膜或其他加工。

2、目前的承载框由横向支撑杆、纵向支撑杆、导轨条以及锁紧装置组成，其中横向支撑杆和纵向支撑杆交错，周边通过固定装置将其固定，但是面积增大后会导致局部位置的强度不够，影响承载框的正常使用。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的上述问题，本申请提供了一种提升局部位置强度的硅片承载盘。

2、本技术的技术方案如下：

3、一种提升局部位置强度的硅片承载盘，包括承载框和承载盘，承载盘定位安装在承载框上，承载盘上设有一个或多个存放槽，在上料时通过机械手将待加工的硅片放置在存放槽中，加工时通过承载框的移动带动硅片在各个加工工位之间转移，承载框设置有横向支撑杆一和横向支撑杆二，横向支撑杆一和横向支撑杆二之间连接有加粗支撑杆。

4、作为本技术的一种优选实施方式：横向支撑杆一与加粗支撑杆之间设置有左角码，横向支撑杆二与加粗支撑杆之间设置有右角码。

5、作为本技术的一种优选实施方式：加粗支撑杆通过螺丝固定于左角码和右角码。

6、作为本技术的一种优选实施方式：承载盘包括承载盘一和承载盘二，承载盘一和承载盘二通过t型销相互连接。

7、作为本技术的一种优选实施方式：加粗支撑杆的数量设置为多个。

8、作为本技术的一种优选实施方式：承载框设置有多个横向支撑杆和纵向支撑杆，横向支撑杆和纵向支撑杆之间设有连接杆，防撞块分布于承载框的四个顶角位置。

9、本技术的有益效果是：

10、本技术一种提升局部位置强度的硅片承载盘，承载框设置有横向支撑杆一和横向支撑杆二，横向支撑杆一和横向支撑杆二之间连接有加粗支撑杆，加粗支撑杆的数量可以设置为多个，加粗支撑杆使得承载框的局部位置强度得到保障，从而确保承载框的正常使用，承载框的移动可以带动硅片在各个加工工位之间转移，便捷可靠。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提升局部位置强度的硅片承载盘，其特征在于：包括承载框（1）和承载盘（2），所述承载盘（2）定位安装在承载框（1）上，所述承载盘（2）上设有一个或多个存放槽（3），在上料时通过机械手将待加工的硅片放置在所述存放槽（3）中，加工时通过承载框（1）的移动带动硅片在各个加工工位之间转移，所述承载框（1）设置有横向支撑杆一（7）和横向支撑杆二（11），所述横向支撑杆一（7）和横向支撑杆二（11）之间连接有加粗支撑杆（9）；

2.根据权利要求1所述的提升局部位置强度的硅片承载盘，其特征在于：所述加粗支撑杆（9）通过螺丝固定于左角码（8）和右角码（10）。

3.根据权利要求1所述的提升局部位置强度的硅片承载盘，其特征在于：所述加粗支撑杆（9）的数量设置为多个。

4.根据权利要求1-3任一项所述的提升局部位置强度的硅片承载盘，其特征在于：所述承载框（1）设置有多个横向支撑杆（13）和纵向支撑杆（15），所述横向支撑杆（13）和纵向支撑杆（15）之间设有连接杆（14），防撞块（12）分布于承载框（1）的四个顶角位置。

【技术特征摘要】

1.一种提升局部位置强度的硅片承载盘，其特征在于：包括承载框（1）和承载盘（2），所述承载盘（2）定位安装在承载框（1）上，所述承载盘（2）上设有一个或多个存放槽（3），在上料时通过机械手将待加工的硅片放置在所述存放槽（3）中，加工时通过承载框（1）的移动带动硅片在各个加工工位之间转移，所述承载框（1）设置有横向支撑杆一（7）和横向支撑杆二（11），所述横向支撑杆一（7）和横向支撑杆二（11）之间连接有加粗支撑杆（9）；

2.根据权利要求1所述的提升局部位置强度...

【专利技术属性】
技术研发人员：高晗，杨总明，刘小明，王小东，张清清，
申请(专利权)人：南通玖方新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：