【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子，具体地，涉及一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路。
技术介绍
1、由于开关电源的开关管工作处于高频开关状态，因此其输出的纹波和噪声电压较大，而为了有效抑制这些噪声和干扰，现有的方法通常是在电路中连接多个电容。但是用于滤波的电解电容容量较大时，在上电瞬间会造成电流尖峰，该尖峰严重影响电源特性，例如可能引起电源电压的瞬态变化等干扰。如何防止电流尖峰损坏电路，减小电路的损耗，是电子
正在研究的重要方向。
技术实现思路
1、为解决上述电路中电容容量较大会出现电流尖峰的问题，本技术提出通过抑制电路中电容或后级容性负载在电源上电瞬间产生的电流尖峰，防止电流尖峰损坏电路，从而提高了电源的可靠性。为此，本技术在如下方面中提供方案。
2、一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，包括：输入防反接电路，其与电流浪涌抑制电路连接；电流浪涌抑制电路，其连接高电位电源，通过输入防反接电路连接低电位电源，其还通过输入滤波电路连接dc-dc转换器；dc-dc转换器，其包括第一电源芯片、第二电源芯片、第三电源芯片以及第四电源芯片，所述dc-dc转换器通过输出滤波电路输出直流电；控制电路，其与所述第四电源芯片连接，用于控制所述第四电源芯片是否输出电流。
3、在一个实施例中，所述电流浪涌抑制电路包括：第一二极管q1、第一电阻r1、第二电阻r2、第二mos管a2、第三mos管a3以及第一电容c1，所述第一二极管q1的阴极、第一电阻r1的一端、第一电容c1的一
4、在一个实施例中，所述输入防反接电路包括：第一mos管a1，所述第一mos管a1的漏极与低电位电源连接，所述第一mos管a1的栅极连接于第一二极管q1的阴极，所述第一mos管a1的漏极连接于所述第一二极管q1的阳极，其中，第一mos管a1为n型mos管。
5、在一个实施例中，所述第二mos管a2与所述第三mos管a3均为n型mos管。
6、在一个实施例中，所述输入滤波电路包括：第三电容c3、第四电容c4、第五电容c5、第六电容c6、第七电容c7、第八电容c8、第一电感l1、第二电感l2、第三电感l3以及第四电感l4，其中，第一电感l1与第二电感l2为互感电感，第三电感l3与第四电感l4为互感电感。
7、在一个实施例中，所述第四电容c4与所述第五电容c5的一极作为所述输入滤波电路的高电位输入端与所述电流浪涌抑制电路连接，所述第一电感l1的一端、所述第四电容c4的另一极与所述第三电容c3的一极作为所述输入滤波电路的低电位输入端与所述电流浪涌抑制电路连接，所述第二电感l2的一端、所述第三电容c3的另一极和所述第五电容c5的另一极接地，所述第一电感l1的另一端、所述第六电容c6的一极与所述第三电感l3的一端连接，所述第二电感l2的另一端、所述第六电容c6的另一极与所述第四电感l4的一端连接，所述第三电感l3的另一端、所述第七电容c7的一极与所述第八电容c8的一极的连接点为所述输入滤波电路的高电位输出端，所述第四电感l4的另一端、所述第七电容c7的另一极与所述第八电容c8的另一极的连接点为所述输入滤波电路的低电位输出端。
8、在一个实施例中，所述输出滤波电路包括：第九电容c9、第十电容c10、第十一电容c11、第十二电容c12、第十三电容c13、第十四电容c14以及第五电感l5，所述第九电容c9与所述第十电容c10并联连接后与所述第五电感l5串联连接，所述第十一电阻r11、所述第十二电容c12、所述第十三电容c13与所述第十四电容c14并联连接后，与所述第五电感l5串联连接，且所述第五电感l5的一端为所述输出滤波电路的高电位输入端，所述第五电感l5的另一端为所述输出滤波电路的高电位输出端。
9、在一个实施例中，所述控制电路包括：第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第十五电容c15、第二二极管q2、三极管q3以及光耦m，所述光耦m的第一引脚通过所述第三电阻与3.3v电源连接，所述光耦m的第二引脚为控制引脚，所述光耦m的第三引脚通过所述第四电阻r4与高电位电源连接，所述光耦m的第三引脚和第四引脚并联连接于所述第五电阻r5和所述第十五电容c15，所述光耦m的第三引脚还与所述第二二极管q2的阳极连接，所述第二二极管q2的阴极与所述三极管q3的基极连接，所述三极管q3的发射极与所述光耦m的第四引脚连接，且所述三极管q3的发射极与所述光耦m的第四引脚为所述控制电路的低电位输出端，所述三极管q3的集电极与所述第四芯片的inh引脚连接。
10、本技术的有益效果为：
11、本技术通过在输入端连接mos管，利用mos管饱和导通时间延后电路启动，实现抑制上电瞬间电流尖峰，并且可以通过输入连接n型mos管实现防反接保护功能。其中，当电路反接时，mos管体内二极管截止，电路不导通，起到防反接的作用。本技术将多个mos管并联提高功率，从而实现mos管导通压降小、损耗少。
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1.一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，包括：输入防反接电路，其与电流浪涌抑制电路连接；
2.根据权利要求1所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述电流浪涌抑制电路包括：第一二极管（Q1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第二MOS管（A2）、第三MOS管（A3）以及第一电容（C1），所述第一二极管（Q1）的阴极、第一电阻（R1）的一端、第一电容（C1）的一极、第二MOS管（A2）的栅极与第三MOS管（A3）的栅极连接，所述第一二极管（Q1）的阳极、第一电阻（R1）的另一端、第一电容（C1）的另一极、第二MOS管（A2）的源极与第三MOS管（A3）的源极连接，所述第二MOS管（A2）的漏极与第三MOS管（A3）的漏极连接点为所述电流浪涌抑制电路的低电位输出端，所述第二MOS管（A2）的栅极还通过所述第二电阻（R2）与所述高电位电源连接，所述第二电阻（R2）与所述高电位电源的连接点为所述电流浪涌抑制电路的高电位输出端。
3.根据权利要求2所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于
4.根据权利要求2所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述第二MOS管（A2）与所述第三MOS管（A3）均为N型MOS管。
5.根据权利要求1所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述输入滤波电路包括：第三电容（C3）、第四电容（C4）、第五电容（C5）、第六电容（C6）、第七电容（C7）、第八电容（C8）、第一电感（L1）、第二电感（L2）、第三电感（L3）以及第四电感（L4），其中，第一电感（L1）与第二电感（L2）为互感电感，第三电感（L3）与第四电感（L4）为互感电感。
6.根据权利要求5所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述第四电容（C4）与所述第五电容（C5）的一极作为所述输入滤波电路的高电位输入端与所述电流浪涌抑制电路连接，所述第一电感（L1）的一端、所述第四电容（C4）的另一极与所述第三电容（C3）的一极作为所述输入滤波电路的低电位输入端与所述电流浪涌抑制电路连接，所述第二电感（L2）的一端、所述第三电容（C3）的另一极和所述第五电容（C5）的另一极接地，所述第一电感（L1）的另一端、所述第六电容（C6）的一极与所述第三电感（L3）的一端连接，所述第二电感（L2）的另一端、所述第六电容（C6）的另一极与所述第四电感（L4）的一端连接，所述第三电感（L3）的另一端、所述第七电容（C7）的一极与所述第八电容（C8）的一极的连接点为所述输入滤波电路的高电位输出端，所述第四电感（L4）的另一端、所述第七电容（C7）的另一极与所述第八电容（C8）的另一极的连接点为所述输入滤波电路的低电位输出端。
7.根据权利要求1所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述输出滤波电路包括：第九电容（C9）、第十电容（C10）、第十一电容（C11）、第十二电容（C12）、第十三电容（C13）、第十四电容（C14）以及第五电感（L5），所述第九电容（C9）与所述第十电容（C10）并联连接后与所述第五电感（L5）串联连接，第十一电阻（R11）、所述第十二电容（C12）、所述第十三电容（C13）与所述第十四电容（C14）并联连接后，与所述第五电感（L5）串联连接，且所述第五电感（L5）的一端为所述输出滤波电路的高电位输入端，所述第五电感（L5）的另一端为所述输出滤波电路的高电位输出端。
8.根据权利要求1所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述控制电路包括：第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第十五电容（C15）、第二二极管（Q2）、三极管（Q3）以及光耦（M），所述光耦（M）的第一引脚通过所述第三电阻与3.3V电源连接，所述光耦（M）的第二引脚为控制引脚，所述光耦（M）的第三引脚通过所述第四电阻（R4）与高电位电源连接，所述光耦（M）的第三引脚和第四引脚并联连接于所述第五电阻（R5）和所述第十五电容（C15），所述光耦（M）的第三引脚还与所述第二二极管（Q2）的阳极连接，所述第二二极管（Q2）的阴极与所述三极管（Q3）的基极连接，所述三极管（Q3）的发射极与所述光耦（M）的第四...
【技术特征摘要】
1.一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，包括：输入防反接电路，其与电流浪涌抑制电路连接；
2.根据权利要求1所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述电流浪涌抑制电路包括：第一二极管（q1）、第一电阻（r1）、第二电阻（r2）、第二mos管（a2）、第三mos管（a3）以及第一电容（c1），所述第一二极管（q1）的阴极、第一电阻（r1）的一端、第一电容（c1）的一极、第二mos管（a2）的栅极与第三mos管（a3）的栅极连接，所述第一二极管（q1）的阳极、第一电阻（r1）的另一端、第一电容（c1）的另一极、第二mos管（a2）的源极与第三mos管（a3）的源极连接，所述第二mos管（a2）的漏极与第三mos管（a3）的漏极连接点为所述电流浪涌抑制电路的低电位输出端，所述第二mos管（a2）的栅极还通过所述第二电阻（r2）与所述高电位电源连接，所述第二电阻（r2）与所述高电位电源的连接点为所述电流浪涌抑制电路的高电位输出端。
3.根据权利要求2所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述输入防反接电路包括：第一mos管（a1），所述第一mos管（a1）的漏极与低电位电源连接，所述第一mos管（a1）的栅极连接于第一二极管（q1）的阴极，所述第一mos管（a1）的漏极连接于所述第一二极管（q1）的阳极，其中，第一mos管（a1）为n型mos管。
4.根据权利要求2所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述第二mos管（a2）与所述第三mos管（a3）均为n型mos管。
5.根据权利要求1所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述输入滤波电路包括：第三电容（c3）、第四电容（c4）、第五电容（c5）、第六电容（c6）、第七电容（c7）、第八电容（c8）、第一电感（l1）、第二电感（l2）、第三电感（l3）以及第四电感（l4），其中，第一电感（l1）与第二电感（l2）为互感电感，第三电感（l3）与第四电感（l4）为互感电感。
6.根据权利要求5所述的一种具有理想二极管性能及电流浪涌抑制功能的电路，其特征在于，所述第四电容（c4）与所述第五电容（c5）的一极作为所述输入滤波电路的高电位输入端与所述电流浪涌抑制电路连接，所述第一电感（l1）的一端、所述第四电...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑树义，于冰，刘蜀明，
申请(专利权)人：西安霍威电源有限公司，
类型：新型
国别省市：
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