【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别地，涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)具有成本低、光效率高、节能环保等优点，而被广泛应用于车载、背光、植物照明以及大功率照明灯领域。led芯片分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装led芯片结构是将二极管结构倒置，从蓝宝石一侧射出光线，而电极一侧可固定在散热更好的基板之上。倒装led芯片结构由于具有功率小、发热少的优点，常应用于电视背光、rgb产品等小功率器件应用场景下。但是，现有倒装led芯片会出现焊盘电极与绝缘层断裂或分离(peeling)的问题，进而导致发光二极管在固晶过程中失效。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，以解决上述
技术介绍
中存在的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种发光二极管，包括：
3、发光外延层，包括依次层叠的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；
4、绝缘层，形成于所述发光外延层上，包括第一通孔和第二通孔；
5、焊盘电极，形成于所述绝缘层上，所述焊盘电极包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极通过所述第一通孔与所述第一导电类型半导体层电连接，所述第二焊盘电极通过所述第二通孔与所述第二导电类型半导体层电连接；
6、其中，所述绝缘层在第一波段的反射率大于90％，所述绝缘层在第二波段的反射率小于15％，所述第一波段为430nm
7、第二方面，本申请提供了一种发光二极管，包括：
8、发光外延层，包括依次层叠的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；
9、绝缘层，形成于所述发光外延层上，包括第一通孔和第二通孔；
10、焊盘电极，形成于所述绝缘层上，所述焊盘电极包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极通过所述第一通孔与所述第一导电类型半导体层电连接，所述第二焊盘电极通过所述第二通孔与所述第二导电类型半导体层电连接；
11、其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和形成于所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；所述焊盘电极与所述第二绝缘层上表面接触，所述焊盘电极与所述第二绝缘层上表面接触区域具有图案化结构。
12、第三方面，本申请提供了一种发光装置，其包括上述的发光二极管。
13、与现有技术相比，本申请有益效果至少包括：
14、本申请通过在绝缘层生长时增加绝缘层的厚度或者增加一层绝缘层，在不破坏绝缘反射层的膜堆组成的前提下，
15、通过对绝缘层上设置台阶孔和图案化，进一步加绝缘层与焊盘电极接触的表面积，同时又释放绝缘层内部的应力，使焊盘电极与绝缘层粘附牢固，从而提高固晶过程中的稳定性，有效降低发光二极管在固晶过程中所导致的失效风险。
16、本申请通过在绝缘层生长时增加绝缘层的厚度或者增加一层绝缘层，使得绝缘层能对红外波段(1000nm～1100nm)的隐切激光中进行吸收，对蓝绿波段(430nm～530nm)的光进行反射，避免由发光外延层反射红外波段的激光所导致的隐切的切偏或双晶异常。
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1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和形成于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层包括布拉格反射层，所述第二绝缘层的厚度为500埃米至3000埃米。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔和第二通孔为台阶孔，即包括上段通孔和下段通孔，上段通孔内表面和下段通孔内表面通过台阶面连接。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔的深度小于等于1500埃米。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔处焊盘电极和绝缘层形成相互插入的结构。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔的横截面图案是齿轮形状。
7.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述焊盘电极与所述第二绝缘层具有接触区域；所述第二绝缘层具有图形化结构，所述图形化结构位于所述接触区域。
8.一种发光二极管，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔的深度小于等于所述第二绝缘层的厚度。
11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔处焊盘电极和绝缘层形成相互插入的结构。
12.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔的横截面图案是齿轮形状。
13.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为1000埃米～1500埃米或者1000埃米～3000埃米。
14.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述图形化结构包括从所述第二绝缘层的上表面向所述第一绝缘层下表面延伸的凹槽。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述第二绝缘层的厚度。
16.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层包括布拉格反射层，所述第二绝缘层为氧化硅层。
17.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层在第一波段的反射率大于90％，所述绝缘层在第二波段的反射率小于15％，所述第一波段为430nm～500nm，所述第二波段为1000nm～1100nm。
18.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求1-17中任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和形成于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层包括布拉格反射层，所述第二绝缘层的厚度为500埃米至3000埃米。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔和第二通孔为台阶孔，即包括上段通孔和下段通孔，上段通孔内表面和下段通孔内表面通过台阶面连接。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔的深度小于等于1500埃米。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔处焊盘电极和绝缘层形成相互插入的结构。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述上段通孔的横截面图案是齿轮形状。
7.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述焊盘电极与所述第二绝缘层具有接触区域；所述第二绝缘层具有图形化结构，所述图形化结构位于所述接触区域。
8.一种发光二极管，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔和第二通孔为台阶孔，即包括上段通孔和下段通孔，上段通孔内表面和下段通孔内表面通过台阶面连接。
10.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡家豪，黄敏，柯佳文，庄曜玮，邓有财，陈铭欣，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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