【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及阻气膜及阻气膜的制造方法。
技术介绍
1、近年来，阻气膜已被广泛用作基板材料、密封材料。对于阻气膜，除了要求能够抑制水蒸气、氧等的透过的高阻气性以外，还要求例如提高透光性以便不会损害粘贴阻气膜的电子设备等粘贴对象物的视觉辨认性、不会损害粘贴对象物的轻质性。
2、从上述的观点出发，已知的有：在支撑体上直接形成由无机膜等构成的阻气层，或者将包含固化性化合物的固化性组合物涂布在支撑体上，使所得涂布层中包含的固化性化合物固化而形成薄的树脂层，并在该树脂层上直接或夹隔其它层而形成由无机膜等构成的阻气层。
3、以下，将抑制水蒸气、氧的透过的特性称为“阻气性”，将具有阻气性的膜称为“阻气膜”。
4、作为用于提高阻气性的方法，已提出了通过等离子体照射将特定的离子注入阻气层而进行改性的方法。
5、例如，专利文献1中记载了下述内容：对于形成有包含硅、和选自氮及氧中的1种以上元素作为主成分的一次膜的层叠体，对配置在特定位置的多个电极间施加电力而进行低压等离子体处理/改性。进而，在其实施例部分记载了在pet膜上涂敷聚硅氮烷膜，使用氦(he)气进行等离子体处理。
6、另外，专利文献2中记载了对包含聚硅氮烷化合物的层进行使用了等离子体离子束的改性处理。其中，作为进行改性处理时使用的离子种，列举了氢、氮、氩、氦、氖、氙及氪，在实施例中主要使用了氩。
7、现有技术文献
8、专利文献
9、专利文献1：日本特开2015-116804号公报
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技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、近年来，对于阻气膜，要求性能的进一步提高，要求表现出高阻气性能、提高膜强度而提高对于来自外部的应力负荷的耐性、以及提高湿热耐久性而抑制阻气性的降低等。例如，阻气膜在工业上大多在以长条的形式制造后被卷成卷状而制成卷绕体，以导入上述的电子设备等最终产品之前的中间产品的形式进行保管、运输。因此，对于阻气膜，要求对从外部施加的应力的耐受性、对湿热环境下的性能降低的抑制。
3、对于上述专利文献1、2中具体制作的阻气层而言，考虑到用于改性的条件，可认为改性区域的厚度小于30nm。因此，存在如下隐患：由于对阻气层的应力负荷(通过卷对卷的运送、层压等后加工)而导致阻气性降低；另外，由于湿热耐久性试验时与基材膜之间的热、吸湿行为的差异而产生的应力负荷(膨胀/收缩)而导致阻气性能降低。
4、另外，越来越要求对整个阻气膜均确保高阻气性。特别是在粘贴阻气膜的对象物的尺寸大，与此相应地阻气膜的面积也需要增大的情况下，这样的要求更加强烈。
5、鉴于上述问题，本专利技术的课题在于提供具有高阻气性及高表面弹性模量、且具有优异的湿热耐久性的阻气膜及其制造方法。另外，本专利技术的课题在于提供在整个表面均具有高阻气性的阻气膜及其制造方法。
6、解决课题的方法
7、本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，通过使阻气层具有包含硅、氧及氮、且氮的元素比率为5at％以上的区域，并将该区域设为特定的厚度，能够解决上述课题。另外发现，通过在给定条件下进行改性处理，能够解决上述课题。本专利技术人等基于这些见解而完成了本专利技术。
8、即，本专利技术提供以下的[1]～[12]。
9、[1]一种阻气膜，其具有包含硅及氧的阻气层，
10、在上述阻气层的厚度方向上具有包含硅、氧及氮且氮的元素比率为5at％以上的区域，该区域的厚度dm存在30nm以上。
11、[2]根据上述[1]所述的阻气膜，其中，
12、在上述阻气层的厚度方向上的硅、氧及氮中的各元素的元素比率的变化中，存在氮的元素比率显示出极大值的点、硅的元素比率显示出极大值的点、以及氧的元素比率显示出极小值的点。
13、[3]根据上述[1]或[2]所述的阻气膜，其在40℃、相对湿度90％气体氛围中的水蒸气透过率小于6.0×10-3g/m2/day。
14、[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的阻气膜，其中，
15、上述阻气层的厚度dg与上述氮的元素比率为5at％以上的区域的厚度dm满足1＞dm/dg≥0.01的关系。
16、[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的阻气膜，其中，
17、上述阻气膜的表面弹性模量为24.5gpa以上。
18、[6]一种阻气膜，其具有包含硅及氧的阻气层，其中，
19、在将上述阻气膜任意地切出50.5mm×50.5mm的面积的四边形状、并将上述切出的四边形状的阻气膜分区为64个相同形状的四边形状时，相对于全部区块数量，在40℃、相对湿度90％气体氛围中的水蒸气透过率小于1.0×10-3g/m2/day的区块数量为95％以上。
20、[7]根据上述[6]所述的阻气膜，其中，
21、相对于全部区块数量，上述水蒸气透过率小于1.0×10-3g/m2/day且为1.0×10-7g/m2/day以上的区块数量为85％以上。
22、[8]根据上述[6]或[7]所述的阻气膜，其在40℃、相对湿度90％气体氛围中的水蒸气透过率小于1.0×10-3g/m2/day。
23、[9]一种阻气膜的制造方法，其是上述[1]～[8]中任一项所述的阻气膜的制造方法，该方法包括：
24、使用包含含硅高分子化合物的组合物在基材膜上形成阻气前体层，
25、对上述阻气前体层的表面部进行等离子体照射而对上述阻气前体层进行改性，由此形成上述阻气层。
26、[10]根据上述[9]所述的阻气膜的制造方法，其中，
27、在氦气存在下对上述阻气前体层的表面部进行超过300秒钟的长时间等离子体照射而对上述阻气前体层进行改性，由此形成上述阻气层。
28、[11]根据上述[10]所述的阻气膜的制造方法，其中，
29、将上述阻气前体层设置在电极上，边对上述电极重叠地施加直流电和交流电，边对上述阻气前体层进行等离子体照射。
30、[12]根据上述[9]～[11]中任一项所述的阻气膜的制造方法，其中，
31、在氦气存在下对上述阻气前体层的表面部进行700秒钟以上的等离子体照射而对上述阻气前体层进行改性，由此形成上述阻气层。
32、专利技术的效果
33、根据本专利技术，可以提供具有高阻气性及高表面弹性模量、且具有优异的湿热耐久性的阻气膜及其制造方法。另外，根据本专利技术，可以提供在整个表面均具有高阻气性的阻气膜及其制造方法。
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1.一种阻气膜，其具有包含硅及氧的阻气层，
2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其在40℃、相对湿度90％气体氛围中的水蒸气透过率小于6.0×10-3g/m2/day。
4.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，
5.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，
6.一种阻气膜，其具有包含硅及氧的阻气层，其中，
7.根据权利要求6所述的阻气膜，其中，
8.根据权利要求6或7所述的阻气膜，其在40℃、相对湿度90％气体氛围中的水蒸气透过率小于1.0×10-3g/m2/day。
9.一种阻气膜的制造方法，其是权利要求1或6所述的阻气膜的制造方法，该方法包括：
10.根据权利要求9所述的阻气膜的制造方法，其中，
11.根据权利要求10所述的阻气膜的制造方法，其中，
12.根据权利要求9所述的阻气膜的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种阻气膜，其具有包含硅及氧的阻气层，
2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其在40℃、相对湿度90％气体氛围中的水蒸气透过率小于6.0×10-3g/m2/day。
4.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，
5.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，
6.一种阻气膜，其具有包含硅及氧的阻气层，其中，
7.根据权利要求6所述...
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