【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片封装，特别涉及一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构及其制作方法。
技术介绍
1、自从fan-out封装问世以来，经过多年的技术发展，扇出式封装已经形成了多种封装流程、封装结构以适应不同产品需要，根据工艺流程，可以分为先贴芯片后加工rdl的chip first工艺和先制作rdl后贴装芯片的chip last工艺两大类。
2、现有的3d扇出封装方式中，常规孔径深比的tsv直孔孔底存在应力问题，会导致绝缘层开裂，且chip first工艺需封装后才可以测试漏电情况，同时tsv直孔的开口边缘容易存在绝缘层以及金属层材料堆积的问题，降低了3d扇出封装的良率，提高了封装成本。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构及其制作方法。本专利技术的制作方法和封装结构通过倒角结构的tsv孔可降低孔底应力，减少对绝缘层的影响，并可避免在tsv孔边缘存在的绝缘层以及金属层材料堆积的问题，并能在埋入芯片前进行电性测试，有效避开漏电区域，提高3d扇出封装结构的良率，节约封装成本。
2、为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：
3、本专利技术一方面提供了一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，包括如下步骤：
4、s1，取一硅基板，在该硅基板上开设小孔径深比的tsv孔，该tsv孔为盲孔，且其上部为倒角结构；
5、s2，在所述
6、s3，在该复合线路结构上键合支撑基板，然后对硅基板的另一面进行减薄，直至tsv孔中的复合线路结构暴露；
7、s4，在硅基板的远离复合线路结构的一侧开设凹槽，在该凹槽中贴装芯片；
8、s5，在硅基板的远离复合线路结构的一侧上形成线路导出结构。
9、进一步的，步骤s1中，硅基板上开设的tsv孔的孔径深比＜1:4。
10、进一步的，步骤s2中，所述复合线路结构包括依次堆叠的基础绝缘层和基础金属线路层；位于底层的基础绝缘层和基础金属线路层填充于所述tsv孔中。
11、进一步的，所述玻璃基板和芯片均通过键合胶进行键合。
12、进一步的，所述线路导出结构包括外绝缘层、焊盘线路和信号导出器件，所述信号导出器件通过所述焊盘线路与所述复合线路结构连接。
13、进一步的，所述支撑基板为玻璃基板。
14、本专利技术另一方面提供了一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构，包括硅基板和芯片；所述硅基板上设有贯穿的tsv孔，所述tsv孔的一部分为倒角结构，所述tsv孔中形成有向对应tsv孔的倒角结构的一侧延伸覆盖的复合线路结构；所述复合线路结构外键合有支撑基板；所述硅基板上开设有凹槽，所述芯片贴装于所述凹槽中；硅基板的远离tsv孔的倒角结构的一侧设有线路导出结构。
15、进一步的，所述复合线路结构包括依次堆叠的基础绝缘层和基础金属线路层；位于底层的基础绝缘层和基础金属线路层填充于所述tsv孔中。
16、进一步的，所述线路导出结构包括外绝缘层、焊盘线路和信号导出器件，所述信号导出器件通过所述焊盘线路与所述复合线路结构连接。
17、更进一步的，所述信号导出器件为凸柱。
18、本专利技术的有益效果是：
19、本专利技术的制作方法和封装结构通过倒角结构的tsv孔可降低孔底应力，减少对绝缘层的影响，并且，倒角结构的tsv孔相比于直孔可避免在tsv孔边缘(倒角孔口处)存在绝缘层以及金属层材料堆积影响信号扇出的问题从而影响线路扇出；此外，本专利技术的制作方法是先制作tsv孔，并形成有效线路后，再埋入芯片，从而能在埋入芯片前进行电性测试，有效避开漏电区域，失效位置可用于贴假芯片，提高3d扇出封装结构的良率，节约封装成本。
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1.一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S1中，硅基板上开设的TSV孔的孔径深比＜1:4。
3.根据权利要求1所述的一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S2中，所述复合线路结构包括依次堆叠的基础绝缘层和基础金属线路层；位于底层的基础绝缘层和基础金属线路层填充于所述TSV孔中。
4.根据权利要求1所述的一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述支撑基板和芯片均通过键合胶进行键合。
5.根据权利要求1所述的一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述线路导出结构包括外绝缘层、焊盘线路和信号导出器件，所述信号导出器件通过所述焊盘线路与所述复合线路结构连接。
6.一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构，其特征在于，包括硅基板和芯片；所述硅基板上设有贯穿的TSV孔，所述TSV孔的一部分为倒角结构，所述TSV孔中形成
7.根据权利要求6所述的一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构，其特征在于，所述复合线路结构包括依次堆叠的基础绝缘层和基础金属线路层；位于底层的基础绝缘层和基础金属线路层填充于所述TSV孔中。
8.根据权利要求6所述的一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构，其特征在于，所述线路导出结构包括外绝缘层、焊盘线路和信号导出器件，所述信号导出器件通过所述焊盘线路与所述复合线路结构连接。
9.根据权利要求8所述的一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构，其特征在于，所述信号导出器件为凸柱。
10.根据权利要求6所述的一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构，其特征在于，所述支撑基板为玻璃基板。
...【技术特征摘要】
1.一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，步骤s1中，硅基板上开设的tsv孔的孔径深比＜1:4。
3.根据权利要求1所述的一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，步骤s2中，所述复合线路结构包括依次堆叠的基础绝缘层和基础金属线路层；位于底层的基础绝缘层和基础金属线路层填充于所述tsv孔中。
4.根据权利要求1所述的一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述支撑基板和芯片均通过键合胶进行键合。
5.根据权利要求1所述的一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述线路导出结构包括外绝缘层、焊盘线路和信号导出器件，所述信号导出器件通过所述焊盘线路与所述复合线路结构连接。
6.一种可降低tsv孔底应力的扇出型封装结构，其特征在于，包括硅基板和芯片；所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇轩，蒋兴龙，马书英，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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